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最新专利技术
  • 一种多级制冷片的制备工艺
    一种多级制冷片的制备工艺_布莫让科技(厦门)有限公司_202410081400.3
    本发明公开了一种多级制冷片的制备工艺，涉及多级制冷片技术领域，该种多级制冷片的制备工艺，通过加热熔化具有第一熔点的第一锡膏，使第一锡膏与第一金属化层和半导体晶粒浸润，再冷却固化，制作成单级制冷片后，再通过加热熔化两个单级制冷片上具有第二熔点...
    2026-01-25
  • 具有多级结构的柔性聚合物复合热电材料及其制备方法
    具有多级结构的柔性聚合物复合热电材料及其制备方法_深圳大学_202511511836.2
    本发明涉及纳米复合材料技术领域，公开了具有多级结构的柔性聚合物复合热电材料及其制备方法，所述材料为柔性自支撑薄膜，包含MOF基体、单壁碳纳米管及导电聚合物包覆层；所述材料具有微孔、介孔、大孔多级孔结构。本发明通过PS微球模板调控介孔/大孔结...
    2026-01-25
  • 散热发电一体化器件结构、制备方法及芯片结构
    散热发电一体化器件结构、制备方法及芯片结构_上海芯源创新中心_202511913756.X
    本发明提供一种散热发电一体化器件结构、制备方法及芯片结构，通过在柔性衬底上依次形成底层电极、热电层及顶层电极，热电层上预留的两个热电单元输出端之间通过底层电极及顶层电极形成串联回路，从而形成柔性薄膜阵列热电结构。制备方法采用微型化单元设计的...
    2026-01-25
  • 一种全向性SH波压电超材料换能器
    一种全向性SH波压电超材料换能器_北京理工大学_202511556932.9
    本发明公开了一种全向性SH波压电超材料换能器，包括扭转模式压电超材料和电极；扭转模式压电超材料包括至少N个结构单元，其中N为不小于3的整数；结构单元为梁板复合结构，包括薄板和位于薄板表面的梁；扭转模式压电超材料具有三维结构，是由结构单元的连...
    2026-01-25
  • 0-3型压电薄膜及其制备方法和应用
    0-3型压电薄膜及其制备方法和应用_之江实验室_202511904934.2
    本发明涉及一种0‑3型压电薄膜及其制备方法和应用，所述0‑3型压电薄膜至少包括0‑3型压电材料层，所述0‑3型压电材料层包括体积比为3 : 7~8 : 2的铟铌酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅纳米颗粒与聚偏氟乙烯‑三氟乙烯；在所述铟铌酸铅‑铌镁酸铅‑...
    2026-01-25
  • 半导体结构及其制备方法、磁隧道结传感器
    半导体结构及其制备方法、磁隧道结传感器_中国南方电网有限责任公司_202511551384.0
    本发明涉及一种半导体结构及其制备方法、磁隧道结传感器。半导体结构包括衬底，及位于衬底上的缓冲层，固磁层，隧道势垒层，自由层及保护层；固磁层包括层叠的反铁磁钉扎层及参考层，反铁磁钉扎层位于缓冲层的顶面，参考层的磁化方向被反铁磁钉扎层钉扎；隧道...
    2026-01-25
  • 一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器
    一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器_杭州电子科技大学_202511537120.X
    本发明涉及一种基于稀土掺杂反铁磁的垂直各向异性磁存储器，包括薄膜结构，所述薄膜结构从下至上依次包括：缓冲层：重金属层：垂直磁各向异性层：稀土掺杂反铁磁层和保护层，本发明通过在共线反铁磁中掺入稀土元素的方式改变磁织构以打破体系对称性，并利用自...
    2026-01-25
  • 轨道电子学器件中垂直磁化铁磁层无场翻转的方法
    轨道电子学器件中垂直磁化铁磁层无场翻转的方法_山西师范大学_202511541642.7
    本发明属于自旋电子学器件技术领域，具体涉及轨道电子学器件中垂直磁化铁磁层无场翻转的方法。在现有技术中，轨道电子学器件存在电流诱导垂直磁化铁磁层翻转需要外加磁场辅助的问题，这极大的限制了轨道电子器件在实际中的应用。为解决该问题，本发明提出两种...
    2026-01-25
  • 一种基于CrBr3的自旋过滤磁性隧道结
    一种基于CrBr3的自旋过滤磁性隧道结_信阳职业技术学院_202511649206.1
    本发明提供一种基于CrBr33的自旋过滤磁性隧道结，属于自旋电子器件技术领域。采用两种二维范德华层状材料构建，具体结构为：以金属性1T相多层MoSe22作为非磁性NM电极，以半导体性双层CrBr33作为隧道磁势垒层，形成“MoSe22/双层...
    2026-01-25
  • 利用钒或钛基轨道霍尔效应产生轨道转矩的磁电子器件及其制造方法
    利用钒或钛基轨道霍尔效应产生轨道转矩的磁电子器件及其制造方法_南京大学_202511475192.6
    本发明公开了一种利用金属钒或钛轨道霍尔效应产生轨道转矩的磁电子器件及其制造方法。所述器件包括依次层叠的衬底、包含钒或钛层的轨道霍尔结构、以及与之相邻的重金属层、铁磁层。当电荷电流通过所述钒或钛层时，基于轨道霍尔效应产生横向的轨道电流，该轨道...
    2026-01-25
  • 与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用
    与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用_河北大学_202511363212.0
    本发明提供了一种与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法及其忆阻器应用。本发明所提供的与CMOS工艺兼容的AlScN薄膜制备方法包括：在Si衬底上生长W底电极层；在W底电极层上通过钪靶和铝靶作为溅射靶材，利用直流溅射和高能量射频溅射法生长...
    2026-01-25
  • 一种利用光学调控实现计数的忆阻器件制备方法和应用
    一种利用光学调控实现计数的忆阻器件制备方法和应用_广西师范大学_202511462082.6
    本发明公开了一种忆阻器件的制备方法及使用该方法制得的忆阻器件和应用，这种方法制备的忆阻器件以光驱动多稳态忆阻特性为核心，在实现计数功能的同时，解决了传统纯电计数器的电路复杂、传输延迟、功耗过高、抗干扰能力差、集成度低等技术问题，为计数技术与...
    2026-01-25
  • 一种阻变存储器及其制作方法
    一种阻变存储器及其制作方法_钠存科技(杭州)有限公司_202511607238.5
    本申请涉及半导体领域，公开了一种阻变存储器及其制作方法，阻变存储器包括至少一个存储单元，存储单元包括第一金属互连层、第一介质层、第一阻变层、第二介质层、导电插塞、至少一个第一导电体和第二金属互连层；第一阻变层在通电后形成有导电细丝；第一阻变...
    2026-01-25
  • 一种半导体器件及其制造方法、电子装置
    一种半导体器件及其制造方法、电子装置_无锡华润微电子有限公司_202410935306.X
    提供一种半导体器件及其制造方法、电子装置，方法包括：提供衬底，在衬底上形成有第一层间介电层；刻蚀第一层间介电层以形成沟槽；在沟槽的底部和侧壁形成第一极板层；形成覆盖第一极板层的铁电介质层；形成覆盖铁电介质层的第二极板层，第二极板层填充沟槽的...
    2026-01-25
  • 键合方法、复合衬底
    键合方法、复合衬底_青禾晶元(天津)半导体材料有限公司_202410895048.7
    本申请涉及半导体材料加工技术领域，尤其涉及一种键合方法、复合衬底。键合方法包括：准备支撑衬底、供体衬底和辅助衬底；采用对位键合平台进行支撑衬底、供体衬底、辅助衬底之间的键合，最终形成由上至下依次为支撑衬底、供体衬底、辅助衬底的第二键合体。将...
    2026-01-25
  • 一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法
    一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511561038.0
    本发明公开了一种实现半导体薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法。本发明设计的半导体外延薄膜低应力正置转移堆叠集成的方法，能够高效的实现任意层数的晶圆级半导体外延薄膜正置堆叠，同时本发明方法可解决传统有机临时键合材料转移过程中存在的一致性差、温度...
    2026-01-25
  • 一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构
    一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构_原集微(上海)电子有限公司_202511904161.8
    本发明提供一种二维半导体堆叠器件的制备方法及结构，通过直接生长第一二维半导体层及第二二维半导体层的方式，实现了垂直堆叠结构构建，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的完整性...
    2026-01-25
  • 二维半导体堆叠器件结构及其制备方法
    二维半导体堆叠器件结构及其制备方法_原集微(上海)电子有限公司_202511904162.2
    本发明提供一种二维半导体堆叠器件结构及其制备方法，通过第一层间介质层与第二层间介质层键合工艺，实现了二维半导体器件的三维垂直堆叠，有效解决了传统二维半导体薄膜转移工艺中常见的有机残留物引入、材料褶皱和断裂等问题，从而显著增强了堆叠结构的完整...
    2026-01-25
  • 一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管
    一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管_安徽芯塔电子科技有限公司_202511389256.0
    本发明提供了一种SiC外延不均匀性补偿方法及其补偿装置、SiC二极管，它包括以下步骤：步骤一，对SiC外延层进行全片扫描，获取外延层厚度与掺杂浓度的二维分布图，所述二维分布图反映外延层在晶圆不同区域的均匀性差异；步骤二，根据步骤一获取的二维...
    2026-01-25
  • 基于液态金属辅助剥离的二维超薄氧化镓薄膜及应用
    基于液态金属辅助剥离的二维超薄氧化镓薄膜及应用_东北师范大学_202511407947.9
    本发明公开了基于液态金属辅助剥离的二维超薄氧化镓薄膜及应用，首先利用镓液态金属良好的流动性、浸润性使其在滴到β‑Ga22O33衬底上产生自流平效果，在凝固后，固态的金属与β‑Ga22O33衬底间界面处的共价键结合力强于β‑Ga22O33晶体...
    2026-01-25
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