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最新专利技术
  • 用于硬模应用的含硅与金属材料的形成
    用于硬模应用的含硅与金属材料的形成_应用材料公司_202480039980.8
    半导体处理的示例性方法可包括将沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区。沉积前驱物可包括含硅前驱物和含金属前驱物。含硅前驱物和含金属前驱物在到达处理区之前可被流体地隔离。基板可被容纳在处理区内。这些方法可包括产生沉积前驱物的等离子体流出物。这...
    2026-01-18
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及基板处理装置_株式会社国际电气_202480039813.3
    本发明提高形成于基板上的膜的特性。本发明具有以下工序：(a)向基板供给原料的工序；(b)向基板供给反应体的工序；(c)向所述基板供给调整剂的工序，所述调整剂调整吸附于基板的原料的分子和反应体的分子中至少某一个的量；(d)使(a)和(b)中至...
    2026-01-18
  • 多流过式蒸气安瓿输送系统
    多流过式蒸气安瓿输送系统_朗姆研究公司_202480039975.7
    一种向衬底处理系统的处理模块供应汽化前体的组件包括设置于外壳中的多个输送系统，以及设置于外壳中并介于相邻的输送系统之间以将相邻的输送系统彼此热隔离的热隔离器。每一输送系统包括容器、加热器以及导管。容器包括液体前体。加热器被配置为加热容器中的...
    2026-01-18
  • 基板处理装置、基板处理单元、基板处理方法以及程序
    基板处理装置、基板处理单元、基板处理方法以及程序_株式会社国际电气_202480039440.X
    一种基板处理装置，具有：大气搬送部，其在大气气氛下搬送基板；处理部，其沿着所述大气搬送部被配置有多个，并能够在真空气氛下处理所述基板；以及中间部，其与所述处理部相邻配置，并从所述大气搬送部接收所述基板，在比所述大气气氛低的压力的气氛下将所述...
    2026-01-18
  • 用于裸片到晶片叠加计量的叠加计量目标
    用于裸片到晶片叠加计量的叠加计量目标_科磊股份有限公司_202480039931.4
    一种方法包含识别晶片上的第一组对准标记的打印位置，所述第一组对准标记是在由数值孔径及裸片的裸片高度界定的几何阴影之外。所述方法包含通过基于所述所识别打印位置打印所述第一组对准标记且在所述裸片的表面上打印第二组对准标记来制造叠加计量目标。所述...
    2026-01-18
  • 电子装置
    电子装置_罗姆股份有限公司_202480039790.6
    本发明的电子装置具备基板、电子元件、柱状部以及密封树脂。所述基板具有：绝缘层，其具有在厚度方向上朝向第一侧的绝缘层主面以及绝缘层背面；以及导电部，其从所述绝缘层主面及所述绝缘层背面露出。所述电子元件具有：元件主体，其包含在所述厚度方向上与所...
    2026-01-18
  • 电子装置
    电子装置_株式会社日本显示器_202480040170.4
    具有：第1玻璃基板；覆盖前述第1玻璃基板的第1面的第1氮化铝膜；覆盖前述第1玻璃基板的第2面的第2氮化铝膜；配置在前述第1氮化铝膜之上的1层以上的布线层；配置在前述1层以上的布线层之上的多个第1端子；安装于前述多个第1端子的第1电子部件；配...
    2026-01-18
  • 采用具有嵌入(诸)降低高度的电子器件的腔的芯的基板、以及相关的集成电路(IC)封装和制造方法
    采用具有嵌入(诸)降低高度的电子器件的腔的芯的基板、以及相关的集成电路(IC)封装和制造方法_高通股份有限公司_202480028575.6
    还公开了采用具有嵌入降低高度的电子器件的腔的芯的基板、以及相关集成电路(IC)封装和制造方法。该基板的芯(具有一个或多个芯层)的腔包括嵌入式电子器件结构，其中电子器件被构建在(诸)另外第二组件上以使该电子器件结构的整体高度与该芯的腔的高度兼...
    2026-01-18
  • 用于堆栈装置结构中互连的导线
    用于堆栈装置结构中互连的导线_BAE系统信息和电子系统集成有限公司_202480037405.4
    一种微电子装置结构，其包括：装置，该装置具有(i)下表面，(ii)上表面，与该下表面对立，及(iii)侧表面，在该下表面与该上表面之间延伸。该集成电路结构进一步包括导线，该导线具有(i)在该上表面上的第一区段，(ii)在该侧表面上的第二区段...
    2026-01-18
  • 设置有加强框架的功率模块
    设置有加强框架的功率模块_赛峰电力公司_202480014973.2
    本发明涉及一种功率模块(10)，包括：基板(11)；贴装到基板(11)上的电子部件(13)；加强框架(25)，被组装(特别是钎焊)到基板(11)上并且至少部分地围绕电子部件(13)延伸，以便限定封装空间(26)；以及被布置在封装空间(26)...
    2026-01-18
  • 功率半导体模块和制造功率半导体模块的方法
    功率半导体模块和制造功率半导体模块的方法_日立能源有限公司_202380098345.2
    本发明涉及一种功率半导体模块(1)，包括：模块壳体(50)，具有对准元件(52)；和板状的基底结构(10)，具有顶侧(12)、布置在顶侧的顶部金属化层(30)、布置在顶侧(12)并电连接到顶部金属化层(30)的功率半导体器件(18)、以及布...
    2026-01-18
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