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最新专利技术
  • OPC修正方法、版图及半导体器件
    OPC修正方法、版图及半导体器件_重庆芯联微电子有限公司_202511654793.3
    本发明提供了一种OPC修正方法、版图及半导体器件，属于半导体领域。该OPC修正方法包括提供一版图，所述版图包括若干原始图形。在所述第一凹角转角处朝向所述凸角转角的方向内挖，形成凹槽，以获取修正图形，所述凹槽在所述第一边沿第一方向延伸的第一长...
    2026-05-14
  • 一种掩模版检测卡盘
    一种掩模版检测卡盘_北京电子量检测装备有限责任公司_202511774192.6
    本发明涉及一种掩模版检测卡盘，涉及掩模版检测装置技术领域, 包括基板和至少两个用于挤压掩模版的夹持组件，所述基板的一侧开设有置物槽，所述置物槽具有四个槽壁，且其中相互垂直的两个槽壁分别为第一夹持面和第二夹持面，所述基板还开设有多个均连通所述...
    2026-05-14
  • 一种复制模具结构、纳米压印结构制备方法
    一种复制模具结构、纳米压印结构制备方法_苏州光越微纳科技有限公司_202511782991.8
    本发明提供一种纳米压印结构制备方法，采用本发明提供的复制模具结构；所述方法包括：制备得到复制模具；在产品基底表面涂覆产品胶形成所述产品胶层；将所述复制模具压合于所述产品胶层上，使产品胶填充所述模具胶层的纳米结构并经固化形成复合结构；将所述模...
    2026-05-14
  • 正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜
    正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜_DIC株式会社_202510538758.9
    本发明提供正型感光性树脂组合物、抗蚀剂膜、抗蚀剂下层膜和抗蚀剂永久膜。本发明提供一种正型感光性树脂组合物，其可得到显影性和耐热性优异的抗蚀剂膜、且保存稳定性和厚膜制膜性良好。一种正型感光性树脂组合物，其含有下述成分(A)～(C)，(A)由间...
    2026-05-14
  • 一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版
    一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版_乐凯华光印刷科技有限公司_202511551861.3
    本发明提供一种柔性树脂版用感光弹性体组合物及含有该感光弹性体组合物的柔性树脂版，采用高效肟酯引发剂能提高感光层的感度，还能减少版面发粘现象；同时为了防止引发剂过度所产生的感光弹性体发脆问题，在柔性树脂版用感光弹性体中引入高分子液态环己烷‑1...
    2026-05-14
  • 一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法
    一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法_光卓新材料(江苏)有限公司_202511896199.5
    本申请涉及光刻胶制备技术领域，特别涉及一种高亮度、高对比的光刻胶及其制备方法，按照质量份数计，所述高亮度、高对比的光刻胶包括改性树脂溶液35~40份，光敏组分8~10份，颜料4~5份，添加剂4~5份，溶剂45~50份；所述改性树脂溶液的制备...
    2026-05-14
  • 抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质
    抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质_东京毅力科创株式会社_202510954037.6
    本公开涉及一种抗蚀剂膜成膜方法、抗蚀剂膜成膜装置以及存储介质，在通过气体处理在基板形成抗蚀剂膜时提高处理效率。本公开的抗蚀剂膜成膜方法包括以下工序：成膜工序，将包括保存基板的处理容器内的处理空间的调整区域设为第二气氛，向所述第二气氛的所述处...
    2026-05-14
  • 套刻对准标记和套刻误差的测量方法
    套刻对准标记和套刻误差的测量方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410942016.8
    一种套刻对准标记和套刻误差的测量方法，套刻对准标记包括：前层标记，在平行于前层标记表面的方向上，前层标记具有第一几何中心；当层标记，位于前层标记的上方，在平行于当层标记表面的方向上，当层标记具有第二几何中心，且在同一投影面上，当层标记的投影...
    2026-05-14
  • 套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质
    套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410942024.2
    一种套刻误差的测量方法及系统、装置、程序产品和存储介质，套刻误差的测量方法包括：获取第一状态下的产品晶圆和参考晶圆的第一参考套刻误差，第一参考套刻误差为产品晶圆上的第一前层套刻标记与参考晶圆上的第二前层套刻标记之间的套刻误差；获取第二状态下...
    2026-05-14
  • 一种光刻机垂向参数补偿方法及系统
    一种光刻机垂向参数补偿方法及系统_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410954385.9
    本申请公开了一种光刻机垂向参数补偿方法及系统，属于半导体领域，该方法包括：在对产品各个曝光场进行曝光前，获取各个曝光场的垂向面型；对各个曝光场的垂向面型进行拟合，得到各个曝光场的垂向参数实际值；垂向参数实际值包括Z向高度实际值、绕X向倾斜实...
    2026-05-14
  • 电子装置的制造方法
    电子装置的制造方法_群创光电股份有限公司_202510257101.5
    本揭露提供一种电子装置的制造方法。电子装置的制造方法包括以下步骤：提供具有容置空间的透明载板，其中透明载板具有第一记号；设置样品于透明载板的容置空间中，其中样品具有第二记号；根据第一记号、第二记号以及标准值计算样品的偏移量；以及根据偏移量，...
    2026-05-14
  • 一种高数值孔径极紫外光刻系统及光刻方法
    一种高数值孔径极紫外光刻系统及光刻方法_广州市君盘实业股份有限公司_202511345207.7
    本发明提供一种高数值孔径极紫外光刻系统及光刻方法。该系统通过双光瞳分次曝光的通带限域结构，以余弦权重融合晶圆曝光剂量，叠加物理耗散装置选择性耦合光瞳面奇对称模式，避免杂散能量回灌成像通道；并引入双通道暗端口干涉结构实时监测并校正晶圆倾斜与离...
    2026-05-14
  • 一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆
    一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆_中国科学院光电技术研究所_202511365161.5
    本发明涉及超分辨成像技术领域，特别涉及一种高效浸没式超分辨光刻方法及光刻晶圆。制备方法包括如下步骤：在裸晶圆或结构晶圆上依次制备第一金属层、感光膜层和第二金属层，形成待曝光晶圆；在所述待曝光晶圆表面进行整片浸没液喷涂，利用掩模版对整片浸没液...
    2026-05-14
  • 一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法
    一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法_兴华芯(绍兴)半导体科技有限公司_202511602511.5
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种利用光刻曝光参数补偿基于AIMS的掩膜误差的方法，包括以下步骤：S10，获取AIMS检测阶段的误差信息，所述误差信息包括误差参数及其对应的误差量及缺陷位置；S40，根据所述误差量确定所述缺陷位置的...
    2026-05-14
  • 一种基于接近式光刻的柔性凹角超疏表面加工方法
    一种基于接近式光刻的柔性凹角超疏表面加工方法_安徽大学_202511627780.7
    本发明涉及新材料技术领域，具体涉及一种基于接近式光刻的柔性凹角超疏表面加工方法，通过一次近距离短时间曝光一个下垂沿，然后通过一次远距离长时间曝光将同心圆孔和圆环原本不透光的部分固化，即可得到双凹角微结构，无需多次正反面对准曝光即可使用接近式...
    2026-05-14
  • 一种立式CTS光刻设备
    一种立式CTS光刻设备_三卿光学(深圳)有限公司_202511634906.3
    本发明涉及一种立式CTS光刻设备，包括机架，机架上设置有用于对网框进行夹持的夹持机构和对夹持的网框背面进行曝光的曝光机构，所述曝光机构包括设置在机架上且能够横向和竖向移动的曝光移动结构，曝光移动结构上设置有点激光组件和曝光调节电机，曝光调节...
    2026-05-14
  • 一种光刻机台报错自动识别处理方法及系统
    一种光刻机台报错自动识别处理方法及系统_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511679166.5
    本发明提供一种光刻机台报错自动识别处理方法及系统，方法包括：对光刻机台晶圆依次位置粗对准、倾斜量检测、位置细对准、曝光；位置粗对准或细对准不成功更换对准图像采集区域、对准模式和对准标记，倾斜量检测报错更换曝光焦平面位置、对焦模式和对焦位置；...
    2026-05-14
  • 掩模板面型调整方法及装置
    掩模板面型调整方法及装置_天府兴隆湖实验室_202511763465.7
    本申请提供一种掩模板面型调整方法及装置，涉及光刻技术领域。所述曝光方法包括：提供一掩模板，将掩模板安装于吸盘的一侧；吸盘包括至少两个吸附区域；吸盘还包括调整区域，调整区域设置有通孔，通孔内设置有调整模块；通过气压控制模块分别向至少两个吸附区...
    2026-05-14
  • 曝光系统及光刻设备
    曝光系统及光刻设备_天府兴隆湖实验室_202511763503.9
    本申请提供一种曝光系统及光刻设备，包括：光源；检测模块，所述检测模块用于采集所述光源的光强信号，并将所述光强信号发送至控制模块；控制模块，所述控制模块用于接收所述光强信号，并根据所述光强信号控制所述光源至设定光强。如此，本申请中的曝光系统中...
    2026-05-14
  • 一种用于硅基材料曝光的视觉对位设备
    一种用于硅基材料曝光的视觉对位设备_苏州皓申智能科技有限公司_202511865279.4
    本发明涉及半导体光刻技术领域，公开了一种用于硅基材料曝光的视觉对位设备，通过在掩模版上预设多个圆形透光标志点，经多角度旋转曝光在可移动感光载台上形成对位标志点，采集坐标后以最小二乘法拟合掩模版旋转中心，建立旋转角度与坐标的补偿数列；量产时通...
    2026-05-14
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