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最新专利技术
  • 一种大调制深度动态可饱和吸收镜及其制备、工作方法
    一种大调制深度动态可饱和吸收镜及其制备、工作方法_电子科技大学_202511702021.2
    本发明提供了一种大调制深度动态可饱和吸收镜及其制备、工作方法，包括二氧化钒纳米薄膜和金膜硅基底高反射镜，所述薄膜通过直流磁控溅射技术沉积于金膜高反射镜的金膜上层构成动态可饱和吸收镜器件；核心机制为腔内增强的光强驱动所述动态可饱和吸收镜时发生...
    2026-04-24
  • 适用于布拉格型原子干涉仪的布拉格光产生系统及方法
    适用于布拉格型原子干涉仪的布拉格光产生系统及方法_华中科技大学_202511960077.8
    本申请属于激光频率控制领域，具体公开了适用于布拉格型原子干涉仪的布拉格光产生系统及方法。本申请通过两种射频驱动源合并放大，产生包含两种射频频率成分的放大信号，将其作为声光调制器的驱动源，从而仅利用一个声光调制器即可产生两种频率的布拉格光。不...
    2026-04-24
  • 用于改进DUV激光对准的量测
    用于改进DUV激光对准的量测_西默有限公司_202511889047.2
    本公开涉及用于改进DUV激光对准的量测。光源设备包括气体放电级、感测设备、光学布置、调整设备和控制设备。气体放电级包括光学放大器和一组光学元件，光学放大器包括被配置为保持输出光束的气体放电介质的腔室，光学元件被配置为在光学放大器周围形成光学...
    2026-04-24
  • 基于光频移的激光稳频装置及方法
    基于光频移的激光稳频装置及方法_北京大学_202411306479.1
    本申请提供一种基于光频移的激光稳频装置及方法，涉及激光稳频领域，包括第一从激光器、第一稳频系统、第二从激光器、第二稳频系统、主激光器、声光调制模块和锁相稳频设备；第一从激光器用于发射第一波长的第一激光；主激光器用发射第二波长的第三激光；第一...
    2026-04-24
  • 基于多路波长锁定与空间调制的光学焦点阵列系统和方法
    基于多路波长锁定与空间调制的光学焦点阵列系统和方法_山西大学_202511909717.2
    本发明公开了基于多路波长锁定与空间调制的光学焦点阵列系统和方法，属于激光技术、光学精密测量与控制技术领域。系统包括多路激光波长锁定模块、三维空间光调制模块和闭环控制模块。波长锁定模块确保激光波长的长期稳定，空间光调制模块基于计算全息算法生成...
    2026-04-24
  • 光源装置及其制造方法
    光源装置及其制造方法_日亚化学工业株式会社_202511749225.1
    本公开提供可改善玻璃罩的光透过部的平坦性的光源装置及其制造方法。本公开的光源装置(100)具备：激光二极管(10)、直接或间接地支承激光二极管的基板(30)；覆盖激光二极管的罩(40)。罩包含：使从激光二极管射出的激光(14)透过的第一玻璃...
    2026-04-24
  • 激光器及光源装置
    激光器及光源装置_青岛海信激光显示股份有限公司_202411320768.7
    本申请公开了一种激光器及光源装置，属于光电技术领域。激光器，包括：基板、框体和发光芯片，发光芯片可以固定在基板中的凸台的贴装面上，凸台的贴装面与基板的支撑面相交，发光芯片可以用于沿平行于贴装面且沿远离基板的方向出射光线。这样，发光芯片出射的...
    2026-04-24
  • 一种可调谐激光器的封装结构及控制方法
    一种可调谐激光器的封装结构及控制方法_宁波元芯光电子科技有限公司_202511881396.X
    本发明公开了一种可调谐激光器的封装结构，包括有封装基座(1)和激光器芯片(2)，其特征在于：还包括有绝热件(3)，该绝热件(3)安装在所述的封装基座(1)和激光器芯片(2)之间。本发明还公开了一种该可调谐激光器的封装结构的控制方法。与现有技...
    2026-04-24
  • 一种用于汽车激光雷达的扇出型封装结构及方法
    一种用于汽车激光雷达的扇出型封装结构及方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511815697.2
    本发明公开一种用于汽车激光雷达的扇出型封装结构及方法，包括基板，其上设透光材料层，层内有两个独立密闭的第一、第二腔室，分别放置接收芯片和发射芯片；两腔室顶部设不对称玻璃盖板，相对封装底面有5°至30°倾角，以优化光学路径、减少内部反射；第一...
    2026-04-24
  • 光源装置以及检查装置
    光源装置以及检查装置_株式会社斯库林集团_202511248731.2
    本发明提供光源装置(3)以及具有该光源装置(3)的检查装置(1)，所述光源装置(3)具有：激光二极管封装件(31)，内置有激光二极管芯片(311)；保持单元(32)，具有内部流路(321)，以激光二极管封装件(31)的一部分露出到内部流路(...
    2026-04-24
  • 一种蝶形封装半导体泵浦激光器
    一种蝶形封装半导体泵浦激光器_厦门统芯科技有限公司_202511902300.3
    本发明专利提出一种蝶形封装半导体泵浦激光器，包括蝶形管壳、控温制冷器、氮化铝热沉、半导体激光器芯片和光纤透镜组件。本发明专利提供的蝶形封装半导体泵浦激光器，将所述控温制冷器和半导体激光器芯片通过金锡焊料片焊接在氮化铝热沉的上表面，利用所述金...
    2026-04-24
  • 一种半导体脊形波导激光器制作方法
    一种半导体脊形波导激光器制作方法_中国工程物理研究院应用电子学研究所_202511955767.4
    本发明公开了一种半导体脊形波导激光器制作方法，包括以下步骤：首先在半导体外延片上通过光刻结合干法或湿法刻蚀制备脊型波导；随后蒸镀第一绝缘膜层，其厚度不小于脊型波导高度；接着用光刻胶遮挡脊型上方(宽度不小于脊型波导)，刻蚀去除其余氧化硅并使脊...
    2026-04-24
  • 一种VCSEL激光器
    一种VCSEL激光器_威科赛乐微电子股份有限公司_202511364452.2
    本申请提供一种VCSEL激光器，包括衬底，所述衬底上依次堆叠有第一Buffer层、第二Buffer层、外延层、接触Cap层和钝化层，还包括线阵列单元，所述线阵列单元对应有一对共面Probe电极；所述一对共面Probe电极包括：P‑Probe...
    2026-04-24
  • 一种片上集成式多频窄线宽半导体激光光脉冲装置及其制备方法
    一种片上集成式多频窄线宽半导体激光光脉冲装置及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511962251.2
    本公开涉及一种片上集成式多频窄线宽半导体激光光脉冲装置及其制备方法，所述装置包括硅衬底；位于硅衬底上且通过半导体工艺加工制备的激光信号处理器件的激光信号处理器件，包括：顺次连接的硅基波导光栅、硅基光开关结构、硅基移频器结构及硅基合束结构；通...
    2026-04-24
  • 一种欧姆接触结构及用于其的半导体激光器及制造方法
    一种欧姆接触结构及用于其的半导体激光器及制造方法_浙江华辰芯光技术有限公司_202512001158.1
    本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种欧姆接触结构及用于其的半导体激光器及制造方法，包括欧姆接触层，所述欧姆接触层包括若干掺杂浓度不同的欧姆层，且欧姆层至少包括跃势弱层和穿势高层，所述跃势弱层的掺杂浓度小于等于1E19cm‑3，穿...
    2026-04-24
  • 一种荧光波长转换器及其制造方法
    一种荧光波长转换器及其制造方法_杭州西晨科技有限公司_202411303428.3
    本发明公开了一种荧光波长转换器及其制造方法，其特征在于，所述荧光波长转换器依次包括：承载荧光波长转换器的衬底、反射膜、将单色入射光转换为白光的荧光膜、增透膜。所述荧光波长转换器的制造方法包括以下工序：准备衬底、在衬底的一面镀反射膜、在反射膜...
    2026-04-24
  • 一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法
    一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法_山东省科学院激光研究所_202610208974.1
    本申请涉及芯片制备技术领域，并提供一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法。制备方法包括：在衬底上生长成核层；在成核层背离衬底的一侧生长超晶格结构；在超晶格结构背离成核层的一侧依次生长n型包覆层、n型波导层、量子阱和p型电子阻挡层；在p型电子...
    2026-04-24
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器及其制备方法_吉光半导体科技有限公司_202511957466.5
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，垂直腔面发射激光器包括：依次堆叠的第一电极、衬底层、N型DBR结构、第一间隔层、有源层、第二间隔层、氧化限制层以及第三间隔层；介质膜DBR结构以及第二电极，介质膜DBR结...
    2026-04-24
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器及其制备方法_吉光半导体科技有限公司_202511957469.9
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，垂直腔面发射激光器包括：依次堆叠的负极、衬底层、N型DBR结构、光耦合层、水平腔波导层、水平腔限制层、有源层、第一间隔层、氧化限制层、第二间隔层、P型DBR结构以及正极；...
    2026-04-24
  • 一种垂直腔面发射激光器及其制备方法
    一种垂直腔面发射激光器及其制备方法_吉光半导体科技有限公司_202511957470.1
    本发明涉及激光器技术领域，尤其涉及一种垂直腔面发射激光器及其制备方法，垂直腔面发射激光器包括：依次堆叠的衬底层、N型DBR结构、第一间隔层、有源层、第二间隔层、氧化限制层、第三间隔层、P型DBR结构以及二氧化钒吸收层；其中，所述氧化限制层包...
    2026-04-24
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