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最新专利技术
  • 一种镍基高温合金原位形成致密α-W扩散障的NiPtAl/(NiW+W)涂层的制备方法
    一种镍基高温合金原位形成致密α-W扩散障的NiPtAl/(NiW+W)涂层的制备方法_暨南大学_202511994475.1
    本发明属于高温合金防护涂层技术领域，更具体的说是涉及一种镍基高温合金原位形成致密α‑W扩散障的NiPtAl/(NiW+W)涂层的制备方法。本发明提供的镍基高温合金原位形成致密α‑W扩散障的NiPtAl/(NiW+W)涂层的元素包括Ni、Al...
    2026-04-17
  • 一种界面增强阳极板的制作方法以及钛基二氧化铅阳极板
    一种界面增强阳极板的制作方法以及钛基二氧化铅阳极板_江阴米尔克电解设备有限公司_202610013728.0
    公开的界面增强阳极板的制作方法：对掺杂钛基板表面喷砂酸洗；选择含有SnSO₄、H₂SO₄、明胶和硫脲作为沉积液，在掺杂钛基板表面电沉积，再在沉积液中加入ZnSO₄继续电沉积；选择含有NH₄F和柠檬酸的电解液，将工件作为阳极在电解液中氧化处理...
    2026-04-17
  • 双相复合结构磁芯及制备方法、正交磁通门探头、磁传感测试系统及分子测试方法
    双相复合结构磁芯及制备方法、正交磁通门探头、磁传感测试系统及分子测试方法_兰州大学_202610196364.4
    本发明公开了双相复合结构磁芯及制备方法、正交磁通门探头、磁传感测试系统及分子测试方法。以纯度为4N的银丝为衬底，沉积非晶相的CoP；对磁芯进行电流加热退火，使CoP与空气反应形成部分晶化。正交磁通门探头包括U型双相复合结构磁芯、电压信号拾取...
    2026-04-17
  • 一种水体抗生素检测用复合纳米材料、制备方法及应用
    一种水体抗生素检测用复合纳米材料、制备方法及应用_四川大学_202511739583.4
    本发明公开了一种水体抗生素检测用复合纳米材料、制备方法及应用，属于复合纳米材料技术领域，包括碳基导电基底、金属纳米线网络、二维碳化物片层和金属氧化物纳米颗粒；金属氧化物纳米颗粒由二维碳化物经原位可控氧化生成，各组分形成具有多级孔隙结构和多种...
    2026-04-17
  • 一种二氧化钛纳米管阵列及其制备方法、用途
    一种二氧化钛纳米管阵列及其制备方法、用途_中铝山东新材料有限公司_202511972920.4
    本申请属于海洋防腐技术领域，尤其涉及一种二氧化钛纳米管阵列及其制备方法、用途。该制备方法包括：对钛片依次进行清洗及干燥；对干燥后的所述钛片在含氟乙二醇电解液中进行第一次阳极氧化，去除所述第一次阳极氧化在所述钛片表面生成的氧化层；对去除氧化层...
    2026-04-17
  • 一种微弧氧化制备高耐磨不锈钢区域选择性陶瓷涂层的方法
    一种微弧氧化制备高耐磨不锈钢区域选择性陶瓷涂层的方法_苏州笙瑞先擎科技有限公司_202610013801.4
    本发明公开了一种不锈钢表面陶瓷涂层的区域选择性制备方法，所述方法为：首先将不锈钢基体置于酸性电解液中进行电化学钝化处理，在其表面形成一层致密的氧化钝化膜；随后，将带有所述钝化膜的不锈钢基体直接置于碱性电解液中，利用原有的导电连接点(不浸入电...
    2026-04-17
  • 一种基于离子液体电镀的PCB精密线路增厚装置及方法
    一种基于离子液体电镀的PCB精密线路增厚装置及方法_德仁电子(深圳)有限公司_202511968336.1
    本发明涉及电镀技术领域，尤其涉及一种基于离子液体电镀的PCB精密线路增厚装置及方法。其技术方案包括在沉浮区内上下浮动的浮力球，所述底部架的顶部固定安装有龙门架，所述龙门架的中部固定安装有直拉式阀门，所述直拉式阀门的底部固定安装有卡板。本发明...
    2026-04-17
  • 一种用于电器元件电镀的调控装置
    一种用于电器元件电镀的调控装置_大连永光科技有限公司_202610223001.5
    本发明公开了一种用于电器元件电镀的调控装置，涉及电镀设备领域，包括电镀箱，电镀箱的开口一侧通过螺钉固定有放置板，放置板的上表面从下往上安装有防护箱与暂存箱，防护箱的内壁位于补液管处的上方固定有限制块，限制块的下方滑动设有补液堵板，排液管中设...
    2026-04-17
  • 伸缩式电镀支架
    伸缩式电镀支架_礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司_202411323954.6
    一种伸缩式电镀支架，包括第一伸缩部分、第二伸缩部分以及伸缩部。所述第一伸缩部分包括第一套管、连接所述第一套管的第一横杆以及设于所述第一横杆的多个第一夹具所述第一夹具用于夹持工件的一端。所述第二伸缩部分包括第二套管、连接所述第二套管的第二横杆...
    2026-04-17
  • 一种铝电解电容器用腐蚀箔的八次发孔制备方法
    一种铝电解电容器用腐蚀箔的八次发孔制备方法_广西贺州市桂东电子科技有限责任公司_202511866639.2
    本发明公开一种铝电解电容器用腐蚀箔的八次发孔制备方法，属于铝电解电容器电极材料制备领域。该方法经预处理后，依次进行四组同电解液异参数的八次发孔、硝酸扩孔及后处理；通过梯度化调控各阶段温度、电流密度等参数，配合专属电解液配方，实现腐蚀箔孔结构...
    2026-04-17
  • 镍钛合金管材的大长径比内孔电化学机械抛光方法及装置
    镍钛合金管材的大长径比内孔电化学机械抛光方法及装置_西南科技大学_202610222406.7
    本发明公开了一种镍钛合金管材的大长径比内孔电化学机械抛光方法及装置，涉及金属管内表面精密加工技术领域，包括：S1、将镍钛合金管材固定在夹持单元上；S2、通过定位单元调整抛光单元的位置，使得抛光单元的抛光面与镍钛合金管材内壁的最低点接触，完成...
    2026-04-17
  • 基于双极性方波电流的光学金属元件表面抛光装置和方法
    基于双极性方波电流的光学金属元件表面抛光装置和方法_上海交通大学_202411334538.6
    本发明提供了一种基于双极性方波电流的光学金属元件表面抛光装置和方法，该装置包括电化学离子刻蚀槽体、工件、电极、光敏元件组件、放大电路及激光发射器等，通过电机驱动反射镜扇叶改变激光方向，实现光电转换并生成周期双极性方波电流。该电流在电化学抛光...
    2026-04-17
  • 一种大尺寸金刚石抑制外延生长工艺
    一种大尺寸金刚石抑制外延生长工艺_内蒙古中启芯材料有限公司_202610196360.6
    本发明公开了一种大尺寸金刚石抑制外延生长工艺，将含硼无定形碳包覆的金刚石微粉与复合相变抑制剂微球进行表面改性并均匀混合；在衬底上分区铺设纯金刚石微粉中心层与所述混合粉末边缘层，并施加动态梯度压力进行压制成型；采用分区独立加热，第一温度区间使...
    2026-04-17
  • 一种区熔单晶及其生长方法、生长炉
    一种区熔单晶及其生长方法、生长炉_天津中环领先材料技术有限公司_202511793603.6
    本申请公开了一种区熔单晶及其生长方法、生长炉，涉及晶体制备技术领域。生长方法包括扩肩阶段，扩肩阶段包括凹槽成型步骤，凹槽成型步骤包括：当区熔单晶的直径达到第一直径D1时，进行缩径调节，使区熔单晶的直径减小至第二直径D2；当区熔单晶的直径达到...
    2026-04-17
  • 一种石英坩埚及其制备方法、大尺寸N型硅棒的制备方法
    一种石英坩埚及其制备方法、大尺寸N型硅棒的制备方法_四川高景太阳能科技有限公司_202511849724.8
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体而言，涉及一种石英坩埚及其制备方法、大尺寸N型硅棒的制备方法。所述的石英坩埚，包括：石英坩埚本体以及分散在所述石英坩埚本体中的掺杂材料。所述的石英坩埚，通过将掺杂材料直接均匀分散在石英坩埚本体的基体材料...
    2026-04-17
  • 一种用于PVT氮化铝晶体生长的弹性支撑籽晶座
    一种用于PVT氮化铝晶体生长的弹性支撑籽晶座_奥趋光电技术(杭州)有限公司_202511623557.5
    本发明公开了一种用于PVT氮化铝晶体生长的弹性支撑籽晶座，该装置包括基座本体、固定于基座本体上的弹性支撑组件以及搭接于弹性支撑组件上的弹性缓冲层，还设有环形刚性支撑台、弹簧定位座以及对缓冲层径向定位的导向柱等辅助结构。弹性支撑组件采用变径变...
    2026-04-17
  • 沉积机构及碳化硅外延设备
    沉积机构及碳化硅外延设备_深圳市纳设智能装备股份有限公司_202512039988.3
    本发明涉及样品沉积的技术领域，公开了一种沉积机构及碳化硅外延设备，沉积机构包括反应室、盘体组件、进气组件和探测件。反应室限定出反应腔，反应室的底部设置有安装口，安装口连通反应腔；盘体组件设于反应腔，盘体组件包括转盘和至少两个托盘，至少两个托...
    2026-04-17
  • 一种外延片及其制备方法
    一种外延片及其制备方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511820863.8
    本申请公开了一种外延片及其制备方法。该外延片制备方法，包括：提供衬底；将衬底放置在反应腔内；在氢气氛围下，向反应腔内通入反应源，以在衬底上生长外延层；在生长外延层的过程中，反应腔具有第一压力P1；将氢气和残留的反应源通入尾气燃烧装置中进行燃...
    2026-04-17
  • 一种β-Ga2O3自支撑薄膜及其制备工艺
    一种β-Ga2O3自支撑薄膜及其制备工艺_西湖大学_202512001823.7
    本发明公开一种β‑Ga2O3自支撑薄膜及其制备工艺，涉及半导体薄膜技术领域，解决了现有工艺难以同时满足技术发展对单晶质量、大面积、厚度可控与可扩展性的多重需求的技术问题。本发明通过下述技术方案实现：S1：在β‑Ga2O3(100)面衬底上生...
    2026-04-17
  • 一种改善固液界面和杂质分布的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法
    一种改善固液界面和杂质分布的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法_浙大宁波理工学院_202511991152.7
    本发明提供了一种改善固液界面和杂质分布的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法，属于晶体硅材料的定向凝固制备技术领域。本发明所述的晶体硅铸锭坩埚旋转控制方法，包括以下步骤：采用间歇性正反旋转模式控制盛有硅熔体的坩埚，其中每一旋转周期依次包括正向旋转阶段...
    2026-04-17
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