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最新专利技术
  • 电池片及其制备方法、光伏组件
    电池片及其制备方法、光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610245203.X
    本申请提供一种电池片及其制备方法、光伏组件，电池片的制备方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；提供导电浆料，在所述半导体衬底的第一表面和/或第二表面涂布所述导电浆料、烧结，形成电极；其中，按照质量百...
    2026-04-18
  • 一种碳电极全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法
    一种碳电极全无机钙钛矿太阳能电池的制备方法_湖北大学_202411337708.6
    本发明属于太阳能电池材料与技术领域，具体涉及一种钝化剂、钝化修饰层及钙钛矿太阳能电池的制备方法, 本发明采用3‑巯基‑1‑丙烷磺酸钠修饰改善电子传输层，特别有效于钝化表面缺陷和界面缺陷，改善了电荷载流子的输运特性，钝化钙钛矿未配位的铅离子和...
    2026-04-18
  • 一种磷发射极钝化结构及其制备方法
    一种磷发射极钝化结构及其制备方法_中科研和(宁波)科技有限公司_202411347184.9
    本发明提供一种磷发射极钝化结构及其制备方法，钝化结构包括磷发射极，所述磷发射极的成分包括硅、磷、氢、碳和/或氮，所述磷发射极表面设有纳米氧化硅层，所述磷发射极包括电注入区和掺杂区，电注入区对应位置设有导电层，所述导电层用于连接金属电极，所述...
    2026-04-18
  • 一种硼发射极钝化结构及其制备方法
    一种硼发射极钝化结构及其制备方法_中科研和(宁波)科技有限公司_202411347185.3
    本发明提供一种硼发射极钝化结构及其制备方法，钝化结构包括硼发射极，所述硼发射极的成分包括硅、硼、碳和氢，所述硼发射极表面设有纳米氧化硅层，所述硼发射极包括电注入区和掺杂区，所述电注入区对应位置设有导电层，所述导电层用于连接金属电极，所述掺杂...
    2026-04-18
  • 太阳能电池及其制备方法
    太阳能电池及其制备方法_扬州阿特斯太阳能电池有限公司_202411352533.6
    本发明公开了一种太阳能电池及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在硅片的受光面和/或背光面上制备减反层；采用激光工艺对硅片金属区域上的减反层进行开膜，形成贯穿至硅片表面的若干窗口；对激光工艺后的硅片进行高温烧结；在硅片金属区域上印刷电极浆...
    2026-04-18
  • 一种氟化镁薄膜晶硅光伏电池及其制备方法和涉电设备
    一种氟化镁薄膜晶硅光伏电池及其制备方法和涉电设备_一道新能源科技股份有限公司_202411353236.3
    本发明提供一种氟化镁薄膜晶硅光伏电池及其制备方法和涉电设备，属于光伏电池技术领域，所述氟化镁薄膜晶硅光伏电池的结构从下向上依次包括：背面金属电极层、背SiNx钝化层、隧穿poly磷掺杂非晶硅层、N‑si硅基底、P+发射极层、正SiNx钝化层...
    2026-04-18
  • 光感测装置
    光感测装置_晶元光电股份有限公司_202511391681.3
    本发明公开一种光感测装置，其包括第一半导体层、位于第一半导体层上的吸收层、位于吸收层上的第二半导体层、位于第二半导体层上的滤光结构、形成于滤光结构中的开口，以及设置于滤光结构上的电极结构。电极结构通过开口连接于第二半导体层。滤光结构包括相互...
    2026-04-18
  • 太阳能电池、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610230815.1
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池、光伏组件及光伏系统，包括：硅基底、第一钝化膜、及第二钝化膜，硅基底包括相对的第一面、第二面，以及连接第一面和第二面的若干切割面；切割面包括靠近第一面的第一区域和靠近第二面的第二区域；第一...
    2026-04-18
  • 太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统
    太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610239667.X
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池及其制备方法、光伏组件及光伏系统，包括：硅基底，包括相对的第一表面和第二表面；掺杂层，设于第一表面和第二表面中的至少一个表面；钝化层，设于掺杂层背离硅基底的一侧，包括通孔；种子层，种子层穿...
    2026-04-18
  • 一种光电异质集成的微波发射芯片及其制备方法
    一种光电异质集成的微波发射芯片及其制备方法_中国电子科技集团公司第五十五研究所_202511975160.2
    本发明涉及半导体器件领域，具体公开了一种光电异质集成的微波发射芯片及其制备方法，该芯片由SiC衬底上的GaN HEMT放大器和InP UTC型探测器组成；制备方法如下：在SiC外延片上制备放大器；在InP衬底上生长UTC型探测器外延层，并制...
    2026-04-18
  • 背接触太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件
    背接触太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件_浙江晶科能源有限公司_202610245627.6
    本申请实施例涉及光伏领域，提供一种背接触太阳能电池、制备方法、叠层电池和光伏组件。背接触太阳能电池包括：衬底，衬底具有相对的第一面和第二面，第二面包括交替设置的第一区和第二区，第一区包括第一金字塔结构，第一金字塔结构的塔顶具有凹槽；第一掺杂...
    2026-04-18
  • LED芯片组件及其制备方法
    LED芯片组件及其制备方法_重庆康佳光电科技有限公司_202411338175.3
    本申请公开了一种LED芯片组件及其制备方法，方法包括：提供一外延片，外延片包括衬底和外延层，在外延层上形成反射键合金属层；将反射键合金属层与驱动基板键合，去除衬底；刻蚀外延层，形成多个外延台阶结构；刻蚀反射键合金属层，形成多个与外延台阶结构...
    2026-04-18
  • 一种用于LED封装的加工装置及方法
    一种用于LED封装的加工装置及方法_广东拓亮半导体科技有限公司_202511676250.1
    本发明提供一种用于LED封装的加工装置及方法，涉及LED封装领域。本发明包括放料桶；所述放料桶上端固接有固定框；所述固定框的顶端中部固定安装有驱动电机；所述放料桶的内部设置有搅拌机构；所述搅拌机构的上端穿过放料桶和固定框并与驱动电机的输出端...
    2026-04-18
  • 一种高亮度LED芯片制备方法
    一种高亮度LED芯片制备方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511767203.8
    本发明公开了一种高亮度LED芯片制备方法，涉及LED芯片制备方法，包括外延层、P/N台阶、电流阻挡层、透明导电层、金属电极层的制备，本发明通过对透明导电层图形化处理工艺的改变，不仅图形化透明导电层，还图形化P‑GaN欧姆接触层，在保证电流可...
    2026-04-18
  • 一种深紫外发光二极管及其优化方法
    一种深紫外发光二极管及其优化方法_广东技术师范大学_202511925593.7
    说明书摘要本发明公开了一种深紫外发光二极管及其优化方法，应用于深紫外发光设备技术领域。本方法包括以下步骤：建立深紫外发光二极管的结构优化器件模型，所述器件的透明衬底的出光表面有衬底纳米阵列，器件的p‑GaN层和/或p‑AlGaN层的表面有p...
    2026-04-18
  • 一种基于PECVD多段沉积的LED芯片钝化层制备方法及其结构
    一种基于PECVD多段沉积的LED芯片钝化层制备方法及其结构_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511978102.5
    本发明涉及半导体器件制造技术领域，具体为一种基于PECVD多段沉积的LED芯片钝化层制备方法及其结构，包括以下步骤：提供一表面形成有发光结构和电极的LED芯片衬底；在所述衬底上通过PECVD工艺依次进行三个阶段沉积钝化层：第一沉积阶段，在低...
    2026-04-18
  • 一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法
    一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法_聚灿光电科技(宿迁)有限公司_202511978117.1
    本发明涉及半导体制造技术领域，具体为一种基于ICP多段式蚀刻改善LED芯片均匀性和外观的工艺方法，包括以下步骤：将待蚀刻的LED外延片置于ICP反应腔室中，并通入蚀刻气体；进行多段蚀刻：启动等离子体，并依次执行至少两个蚀刻阶段，其中，至少两...
    2026-04-18
  • 一种发光二极管、发光器件及发光装置
    一种发光二极管、发光器件及发光装置_泉州三安半导体科技有限公司_202511603805.X
    本申请提供了一种发光二极管、发光器件及发光装置。本申请中，通过在N型半导体层一侧形成P型掺杂的第一欧姆接触层，并且第一欧姆接触层上方形成透明导电材料形成的第一电极。该第一电极能够与P型的第一欧姆接触层形成从第一欧姆接触层到第一电极的正向电流...
    2026-04-18
  • 一种LED芯片及其制备方法
    一种LED芯片及其制备方法_扬州乾照光电有限公司_202511847424.6
    本申请公开了一种LED芯片及其制备方法，涉及发光二极管技术领域，该LED芯片包括衬底和位于衬底一侧层叠的发光功能层、窗口层和透明导电层，窗口层包括第一子层和位于第一子层背离衬底一侧的第二子层，即第二子层为窗口层中与透明导电层接触的表层，第一...
    2026-04-18
  • Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED
    Micro-LED外延片及其制备方法、Micro-LED_江西兆驰集成科技有限公司_202511993334.8
    本发明公开了一种Micro‑LED外延片及其制备方法、Micro‑LED，涉及半导体光电器件领域。Micro‑LED外延片依次包括衬底、缓冲层、三维GaN层、第一插入层、二维GaN层、N型GaN层、第二插入层、多量子阱层和P型GaN层；其中...
    2026-04-18
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