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最新专利技术
  • 金属双极板涂层的制备方法、金属双极板及燃料电池
    金属双极板涂层的制备方法、金属双极板及燃料电池_上海电气集团股份有限公司_202512033774.5
    本发明公开了一种金属双极板涂层的制备方法、金属双极板及燃料电池。该金属双极板涂层的制备方法包括如下步骤：S1. 在金属双极板基材上，采用直流磁控溅射沉积Ti层；S2. 在Ti层上，采用高功率脉冲磁控溅射沉积TiAlN陶瓷层；高功率脉冲磁控溅...
    2026-04-08
  • 无取向硅钢复合材料及其制备方法
    无取向硅钢复合材料及其制备方法_广东电网有限责任公司电力科学研究院_202512035941.X
    本发明公开了一种无取向硅钢复合材料及其制备方法，所述方法包括：将Ce、La、Y元素的粉体进行球磨，得到粒径≤8μm的研磨粉体；在研磨粉体中加入0.5–1.2wt%的纳米TiO2作为改性剂，采用磁控溅射法，在无取向硅钢基体的表面均匀沉积稀土复...
    2026-04-08
  • 一种高温绝缘耐磨涂层的制备方法及其应用
    一种高温绝缘耐磨涂层的制备方法及其应用_郑州大学_202512046810.1
    本发明属于高温绝缘领域，涉及一种高温绝缘耐磨涂层的制备方法及其应用。该方法基于现有磁控溅射技术，依次包括以下步骤：镀前处理、Ar离子溅射清洗以及氧化铝基涂层的沉积。在沉积过程中，采用Al、Cr靶材，在氧气和氮气气氛中进行反应共溅射，以形成目...
    2026-04-08
  • 一种磨损自监测超硬耐磨梯度增强涂层及制备方法
    一种磨损自监测超硬耐磨梯度增强涂层及制备方法_洛阳理工学院_202610026277.4
    本发明涉及刀具表面功能涂层技术领域，具体涉及一种磨损自监测超硬耐磨梯度增强涂层及制备方法，涂层包括金属基底及交替沉积的高熵耐磨层、颜色层、过渡层，外层为顶层高熵耐磨层；高熵耐磨层由Ti/Al/Zr/Si/Mo‑N构成，硬度梯度35‑55GP...
    2026-04-08
  • 一种改性塑料基材用低温高致密磁控溅射镀膜设备
    一种改性塑料基材用低温高致密磁控溅射镀膜设备_新沂市鼎丽塑胶制品有限公司_202610029647.X
    本发明涉及磁控溅射技术领域，并具体公开了一种改性塑料基材用低温高致密磁控溅射镀膜设备，包括真空室，所述真空室一侧连通有进料通道，所述真空室内壁贯穿并转动连接有镀膜机构，所述真空室内壁两侧均固定连接有隔板，所述真空室一侧开设有第一进料口，所述...
    2026-04-08
  • 一种高抗腐蚀性无氧铜及其制备方法
    一种高抗腐蚀性无氧铜及其制备方法_陕西省军工(集团)陕铜有限责任公司_202610219590.X
    本发明涉及表面处理技术领域，公开了一种高抗腐蚀性无氧铜及其制备方法；包括以下操作步骤：步骤1：在无氧铜基体的表面依次磁控溅射纳米铜过渡层、Al‑Cr‑Cu金属层；得到无氧铜基体A；步骤2：将无氧铜基体A置于氢氧化钠溶液浸泡处理，形成多孔Al...
    2026-04-08
  • 一种红外探测器芯片组镀膜夹具及镀膜方法
    一种红外探测器芯片组镀膜夹具及镀膜方法_昆明物理研究所_202511875284.3
    本发明公开了一种红外探测器芯片组镀膜夹具及镀膜方法，夹具包括基座和盖片，基座上设置有若干固定组件，每个固定组件设置一块盖片，固定组件包括：第一凹槽和第二凹槽，第一凹槽用于放置芯片组，第二凹槽对称布置于所述第一凹槽对角线两端，且第二凹槽与第一...
    2026-04-08
  • 面板的承载固定机构
    面板的承载固定机构_天虹科技股份有限公司_202610021949.2
    本发明为一种面板的承载固定机构，特别适用于薄膜沉积设备，主要包括一承载盘、一固定环及多个弹性单元。承载盘包括一承载区，用以承载一面板。多个弹性单元设置在承载盘上，并位于承载区的周围。固定环包括一方形开口，其中固定环用以放置在承载盘上，并用以...
    2026-04-08
  • 一种镀膜设备
    一种镀膜设备_江苏先导微电子科技有限公司_202610249002.7
    本申请公开了一种镀膜设备，涉及真空设备技术领域，包括设备主体、工件调节装置、真空调节装置及镀膜源。设备主体设真空作业腔，镀膜源位于腔底，真空调节装置与作业腔连通。工件调节装置含弹性夹持机构、转动调节机构及两级升降机构。转动调节机构由第一、二...
    2026-04-08
  • 一种镀膜机及其镀膜工艺
    一种镀膜机及其镀膜工艺_苏州同冠微电子有限公司_202610255023.X
    本发明涉及镀膜装置技术领域，具体涉及一种镀膜机及其镀膜工艺。一种镀膜机包括外壳、安装机构和多个卡接机构。安装机构包括多个连接环，连接环的侧壁上开设有多个安装槽。每个卡接机构包括卡紧架。安装时，将卡紧架夹紧工件后插入安装槽内，整个装夹过程中，...
    2026-04-08
  • 一种屏蔽油油量的确定方法、控制方法、装置及电子设备
    一种屏蔽油油量的确定方法、控制方法、装置及电子设备_珠海格力新元电子有限公司_202411366720.X
    本申请公开了一种屏蔽油油量的确定方法、控制方法、装置及电子设备，属于金属化薄膜蒸镀领域。首先选择预设开口宽度的盖板，蒸镀过程中，盖板开口处用于喷涂装置喷涂屏蔽油，这样后续进行蒸镀金属化薄膜时，屏蔽油处形成屏带，蒸镀完成后，测量盖板开口即屏带...
    2026-04-08
  • 一种基于PLC器的金属膜沉积过程控制系统
    一种基于PLC器的金属膜沉积过程控制系统_芜湖鑫国电子科技有限公司_202610013272.8
    本发明涉及物理气相沉积与工业自动化控制技术领域，具体为一种基于PLC器的金属膜沉积过程控制系统，包括：主动扰动注入模块：用于生成具有预设频率和预设幅值的周期性微扰动信号，生成复合驱动指令，并将所述复合驱动指令发送至沉积过程的执行机构；动态响...
    2026-04-08
  • 一种磁控溅射电源自适应控制方法、系统、设备及介质
    一种磁控溅射电源自适应控制方法、系统、设备及介质_上海悦匠实业有限公司_202610243586.7
    本申请提供一种磁控溅射电源自适应控制方法、系统、设备及介质，方法包括：针对反应溅射工况下的磁控溅射过程，采集用于表征反应溅射运行状态的多源运行信号；基于多源运行信号，对反应溅射运行状态进行分析，并将其划分为包括稳定运行状态、过渡运行状态及异...
    2026-04-08
  • 真空腔体水汽捕捉系统
    真空腔体水汽捕捉系统_江苏阳铭互联智能系统有限公司_202311575679.2
    本申请涉及真空腔体水汽捕捉领域，尤其是涉及一种真空腔体水汽捕捉系统，包括腔体，腔体上设有水汽捕捉装置，水汽捕捉装置包括管路机构、分流机构和供能机构，供能机构设置在腔体的一侧，管路机构包括吸附组件，吸附组件设置在腔体的内壁上，且吸附组件至少设...
    2026-04-08
  • 镀锂装置
    镀锂装置_洪田科技(南通)有限公司_202512032749.5
    本发明涉及蒸镀设备技术领域，公开了镀锂装置，包括真空腔体、输送机构和镀锂机构，真空腔体包括上腔体和下腔体；输送机构包括输送结构和辅助结构，输送结构设置在上腔体内，辅助结构设置在输送结构的一侧，输送结构用于输送基材，辅助结构用于处理基材的表面...
    2026-04-08
  • 用于高真空镀膜系统的集成式高效除水除氧装置及方法
    用于高真空镀膜系统的集成式高效除水除氧装置及方法_安徽飞拓新材料科技有限公司_202610060776.5
    本发明公开了用于高真空镀膜系统的集成式高效除水除氧装置及方法，装置集成于镀膜腔体内部，包括安装于镀膜腔体的侧壁或顶盖上的集成式吸气剂泵模块，在腔体上方连接可再生吸附盒，内填吸附剂，在腔体内所有挡板和掩膜板的背面，通过磁控溅射镀上一层或多层薄...
    2026-04-08
  • 一种用于卷对卷真空镀膜的动态静电贴附装置及方法
    一种用于卷对卷真空镀膜的动态静电贴附装置及方法_安徽飞拓新材料科技有限公司_202610088328.6
    本发明公开了一种用于卷对卷真空镀膜的动态静电贴附装置及方法，包括真空腔体，真空腔体内设有磁控溅射蒸发源，磁控溅射蒸发源上方设有绝缘冷却主辊，薄膜自放卷辊引出，经过绝缘冷却主辊绕卷在收卷辊上，绝缘冷却主辊连接至一可控的偏置电源的正输出端/或负...
    2026-04-08
  • 基于激光诱导原子交换的硫系光子芯片加工方法和装置
    基于激光诱导原子交换的硫系光子芯片加工方法和装置_中山大学_202511795270.0
    本发明公开一种基于激光诱导原子交换的硫系光子芯片加工方法和装置，方法包括在介质基底的表面制备硫化物薄膜；将制备有所述硫化物薄膜的介质基底放置到密闭的激光直写加工空间中；控制所述激光直写加工空间的加工参数，对所述硫化物薄膜进行激光诱导原子交换...
    2026-04-08
  • 刚性基板金属薄膜湿法剥离工艺
    刚性基板金属薄膜湿法剥离工艺_浙江正瀚源半导体有限公司_202511938111.1
    本发明提供了一种刚性基板金属薄膜湿法剥离工艺。本刚性基板金属薄膜湿法剥离工艺包括以下步骤：A、选备基板：选用设定型号的玻璃、陶瓷、碳化硅晶圆中任一一种材料的基板；B、开孔：基板上镀覆金属材料的部位为处理部，在处理部处开孔；C、转移：待接板处...
    2026-04-08
  • 一种通过金属衬底熔化实现二维材料转移的方法
    一种通过金属衬底熔化实现二维材料转移的方法_上海交通大学_202610026645.5
    本发明公开了一种用于二维材料转移的方法，包括利用锗(Ge)低熔点特性来实现二维材料(如石墨烯和氮化硼)高效转移的方法，该工艺不仅能够确保材料在转移过程中的洁净度和完整性，还适用于大面积材料的无损转移，为二维材料在电子器件中的应用提供了技术保...
    2026-04-08
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