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最新专利技术
  • 一种紫外光电探测器及其制备方法
    一种紫外光电探测器及其制备方法_湖北大学_202610023528.3
    本发明提供了一种紫外光电探测器及其制备方法。本发明在传统的β‑Ga2O3探测器的基础上，设计了Sn : β‑Ga2O3/β‑Ga2O3同质结构造，通过PECVD沉积了SiO2作为阻挡层，既避免了第二电极与第一电极短路接触，也阻挡了紫外光与S...
    2026-04-23
  • 一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器
    一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器_华中科技大学_202511975784.4
    本发明提出一种基于表面等离激元增强的横向PIN光电探测器，属于光电探测器技术领域，该探测器自下向上依次包括衬底、背部增反膜层、半导体器件层、等离激元阵列和增透膜层；半导体器件层的P+区和N+区对称分布于非掺杂本征层的两侧，形成横向PIN结；...
    2026-04-23
  • 单光子雪崩二极管单元和制备方法
    单光子雪崩二极管单元和制备方法_深圳市速腾聚创科技有限公司_202510637618.7
    本申请提供单光子雪崩二极管单元和制备方法，单光子雪崩二极管单元包括光电效应区，所述光电效应区为产生光电效应的区域；其中：所述光电效应区包括耗尽区和氧化物填充区；所述耗尽区用于吸收光子并生成载流子，所述耗尽区中的载流子用于触发雪崩击穿；所述氧...
    2026-04-23
  • 一种高温型中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法
    一种高温型中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法_南通大学_202511738340.9
    本发明公开了一种高温型中波红外碲镉汞雪崩光电探测器及其制备方法，属于光电探测器技术领域，包括依次层叠的n型接触层、吸收层、电荷层、倍增层和p型接触层；倍增层为复合结构，包括沿生长方向顺序生成线性梯度区以及阶梯式突变的能带结构区；线性梯度区的...
    2026-04-23
  • 光敏薄膜晶体管、半导体基板及其制备方法
    光敏薄膜晶体管、半导体基板及其制备方法_惠科股份有限公司_202511850682.X
    本申请提供了一种光敏薄膜晶体管、半导体基板及其制备方法。光敏薄膜晶体管包括衬底、有源层、源漏极层和吸氧层。有源层，位于衬底上；有源层为氧化物半导体；源漏极层，设置于有源层远离衬底的一侧；吸氧层，设置于衬底与有源层之间，且与有源层接触设置；其...
    2026-04-23
  • 一种光控铁电半导体场晶体管及其制备方法
    一种光控铁电半导体场晶体管及其制备方法_重庆芯联微电子有限公司_202511895777.3
    本发明提供一种光控铁电半导体场晶体管及其制备方法，其中无栅器件包括光致变形衬底、形成于衬底上的介电层、位于介电层上的铁电半导体层以及设置于铁电层上的源漏电极，背栅器件在光致变形衬底上依次形成第一介电层、背栅电极和第二介电层，位于第二介电层上...
    2026-04-23
  • 一种光致线性可重构人工突触的实现方法
    一种光致线性可重构人工突触的实现方法_电子科技大学_202511906210.1
    本发明提供一种基于光致线性可重构人工突触的实现方法，属于神经形态电子器件与智能感知信号预处理技术领域。提供可通过电压脉冲调控电导的人工突触晶体管，在其沟道或电导调制区域照射可见光，在光照条件下施加连续电压脉冲，并在最后一个脉冲结束后于预定时...
    2026-04-23
  • 一种基于金属-绝缘层-半导体结构的石墨烯可见光探测器
    一种基于金属-绝缘层-半导体结构的石墨烯可见光探测器_东南大学_202512042546.4
    本发明涉及一种基于金属‑绝缘层‑半导体结构的石墨烯可见光探测器，包括衬底、硅层和石墨烯层，探测器还包括第一二氧化硅层、第二二氧化硅层和绝缘层，绝缘层、第二二氧化硅层和衬底由上至下依次设置，绝缘层上设有贯穿式窗口，第一二氧化硅层采用氧等离子轰...
    2026-04-23
  • 一种芯片模组、X射线探测器及芯片模组的拆除方法
    一种芯片模组、X射线探测器及芯片模组的拆除方法_成都善思微科技有限公司_202411374867.3
    本发明属于芯片模组技术领域，尤其涉及一种芯片模组、X射线探测器及芯片模组的拆除方法。本发明通过可破坏或可拆除的第一粘接部和第二粘接部实现芯片和基板的粘接和拆除，实现了芯片模组中芯片的可拆除以及大尺寸探测器拼接生产过程中每个芯片的独立拆卸或更...
    2026-04-23
  • 用于X光探测器的电路结构及其制造方法及X光探测器
    用于X光探测器的电路结构及其制造方法及X光探测器_奕瑞电子科技集团股份有限公司_202511883857.7
    本申请的一种用于X光探测器的电路结构，采用油墨通过印刷工艺在基板上形成电路结构。电路结构包括行驱动电路和列采集电路，行驱动电路和列采集电路均包括栅极线、栅极绝缘层、半导体层、源极线及漏极线和保护层。栅极绝缘层覆盖栅极线。半导体层覆盖栅极绝缘...
    2026-04-23
  • 探测器的制备方法、探测器
    探测器的制备方法、探测器_杭州海康微影传感科技有限公司_202512004897.6
    本公开实施例提供了一种探测器的制备方法、探测器，涉及光学技术领域，用于实现探测器小型化的同时维持良好的光学成像效果。该探测器的制备方法包括在第一晶片的一侧形成第一透镜面；将支撑层与第一晶片靠近第一透镜面的一侧连接；支撑层包括过孔，至少一个第...
    2026-04-23
  • 一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器
    一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器_格科半导体(上海)有限公司_202512041291.X
    本发明公开了一种背照式图像传感器的制造方法及背照式图像传感器，所述制造方法包含：提供衬底，所述衬底具有相对的正面及背面；所述衬底的正面形成有金属互连层，所述金属互连层上形成有接触孔；从所述衬底的背面刻蚀形成贯穿所述衬底的第一通孔及第二通孔；...
    2026-04-23
  • 一种晶圆及光电转换单元
    一种晶圆及光电转换单元_杭州海康微影传感科技有限公司_202411328471.5
    本申请提供一种晶圆及光电转换单元。所述晶圆包括多个第一光电转换单元和多个第二光电转换单元；各光电转换单元错开设置，所述晶圆具有第一表面，所述第一光电转换单元与所述第二光电转换单元一一对应，且各所述第一光电转换单元和所对应的第二光电转换单元在...
    2026-04-23
  • 一种提升光谱响应一致性的多光谱TDICCD制备方法
    一种提升光谱响应一致性的多光谱TDICCD制备方法_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202511836450.9
    本发明涉及一种提升光谱响应一致性的多光谱TDICCD制备方法，属于多光谱TDICCD领域。其包括：在硅外延衬底上依次形成势阱和栅氧化层；在栅氧化层表面淀积第一层多晶硅并进行大剂量离子注入，然后执行氮气处理退火；在第一层多晶硅上形成电极图案，...
    2026-04-23
  • 一种图像传感器及其制备方法
    一种图像传感器及其制备方法_武汉楚兴技术有限公司_202411384034.5
    本申请公开了一种图像传感器及其制备方法，涉及图像传感器技术领域，该图像传感器的像素区包括多个像素结构，以及在多个像素结构上方层叠的第一有机层和防反射层；非像素区包括多个焊盘结构；第一有机层和防反射层组成的第一叠层由像素区延伸至非像素区并暴露...
    2026-04-23
  • 用于SPAD应用的嵌入式触点
    用于SPAD应用的嵌入式触点_半导体元件工业有限责任公司_202411885342.6
    本公开涉及用于SPAD应用的嵌入式触点。本发明描述了用于在基于SPAD的成像器的隔离沟槽结构中定位用于单光子雪崩二极管(SPAD)的触点的系统、设备和方法。系统、设备和方法可包括设置在相邻SPAD像素之间的正面隔离沟槽结构，其中沟槽衬有具有...
    2026-04-23
  • 极弱光全彩单光子探测器结构及其制备方法
    极弱光全彩单光子探测器结构及其制备方法_西安电子科技大学_202511890122.7
    本发明公开了一种极弱光全彩单光子探测器结构及其制备方法，结构包括阵列排布的多个微光全彩像素结构，每个包括由下至上设置的P型外延层、N型埋层、P型硅衬底、减反层、两侧的埋金属全槽隔离结构；埋金属全槽隔离结构上端引出N埋层电极板接触N型埋层上表...
    2026-04-23
  • 图像传感器及其形成方法
    图像传感器及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610268737.4
    本申请技术方案公开了一种图像传感器及其形成方法，所述图像传感器包括衬底，包括若干感光区以及位于感光区之间的隔离区；位于所述隔离区上的栅格结构；位于所述栅格结构顶部的复合结构，所述复合结构包括至少两层吸光层以及位于相邻吸光层之间的间隔层，所述...
    2026-04-23
  • 一种电池片的焊接方法、光伏组件和光伏发电系统
    一种电池片的焊接方法、光伏组件和光伏发电系统_一道新能源科技股份有限公司_202411373238.9
    本申请提供一种电池片的焊接方法、光伏组件和光伏发电系统，涉及电池片焊接技术领域。该电池片的焊接方法，包括：在电池片的表面使用网板进行第一涂覆、烘干得到涂覆后电池片；在裸铜带上进行第二涂覆，得到涂覆后铜带；将涂覆后铜带放置在涂覆后电池片上进行...
    2026-04-23
  • 一种太阳电池栅线制作方法
    一种太阳电池栅线制作方法_陕西众森电能科技有限公司_202411379515.7
    本发明涉及太阳电池的制备方法，具体涉及一种太阳电池栅线制作方法，用于解决现有使用镀层金属丝代替银浆来形成栅线的方案，在生产过程中需要在同一工位进行两次栅线的铺设，增加了生产的复杂性，降低了自动化程度，进而限制了双面太阳能电池的高效生产和市场...
    2026-04-23
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