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  • 本发明公开了一种自动化嵌件注塑设备,涉及嵌件注塑设备技术领域,包括机座和二号升降杆,所述机座的台面固定有立柱。该自动化嵌件注塑设备,通过传动机构驱动主动链轮旋转,进而通过链条使从动链轮带动二号升降杆旋转,随后使推送机构到达动模具的上方,对工...
  • 本发明涉及一种VOCs废气处理装置,包括处理罐、长通道和承载模块;所述承载模块的输入部位对接于处理罐上,所述长通道对接于承载模块的输出部位,所述承载模块包括中空筒一、T筒、环形沟路和挡架,所述T筒对接于中空筒一的输入端,所述T筒偏离中空筒一...
  • 本申请涉及一种油净化装置的控制系统,其属于油净化领域,其中方法包括包括主控模块和检测模块,所述检测模块电连接于主控模块,所述主控模块还电连接于油净化系统;所述检测模块用于检测油净化系统的运行数据,并将运行数据发送给主控模块;所述主控模块用于...
  • 本申请涉及消泡剂技术领域,具体公开了一种应用于光油体系中的消泡剂组合物及其制备方法;一种应用于光油体系中的消泡剂组合物,包括以下重量份的原料:聚醚60‑80份,硅膏5‑13份,乳化剂8‑15份,增溶剂3‑5份,分散剂1‑3份,稳定剂0.5‑...
  • 本发明属于床垫技术领域,提供了卧床患者人体成分测量智能床垫,包括:床垫,其包括由下至上依次设置的基层、支撑层和透气层;测距组件,其包括伺服电机、螺杆、滑座、电推杆、安装座、红外线发生器和红外测距传感器;测重组件;本发明通过设置床垫、测距组件...
  • 本发明提供一种COT架构中上电初期导通时间电路,包括功率电感、输出电容、第一反馈电阻、第二反馈电阻、环路比较器、Ton1计时模块、Ton2计时模块、Vout检测模块、选择开关、PWM控制逻辑模块和功率模块。本发明在寄生比较大的高压工艺下,有...
  • 本申请公开了一种面向氚水处理的微型气液逆流催化交换装置,包括气体进料管、气体出料管、液体进料管、液体出料管、微通道、流体约束结构及催化剂。本发明的微型气液逆流催化交换装置利用流体约束结构实现在微尺度下的气液逆流过程;利用催化剂实现催化交换过...
  • 本发明提供了一种基于生猪多模态智能感知的饲料智能推荐与精准投喂系统。系统包括感知模块、数据处理模块、决策模块和执行模块。感知模块采集生猪视觉、声音、行为和生理数据,数据处理模块对数据进行清洗、标准化和融合,决策模块通过强化学习算法生成饲料投...
  • 本披露公开了一种非易失性两端存储部、制造方法及相关产品,所述非易失性两端存储部包括下电极、上电极和转换层,所述转换层设置在所述下电极和上电极之间,所述转换层至少包括第一区域、第二区域以及分别与所述第一区域和所述第二区域接触的第一过渡区;其中...
  • 本公开涉及显示技术领域,具体涉及显示装置,该显示装置包括安装框、显示模组以及盖板;显示模组位于安装框内,且与安装框周侧具有间隙;盖板设置在显示模组的出光侧;盖板具有第一区域和第二区域,第二区域在安装框上的正投影与显示模组在安装框上的正投影不...
  • 本申请提供了一种显示面板及显示装置。显示面板包括显示区和非显示区,非显示区靠近显示区的边缘包括第一边缘,显示面板包括:衬底;第一导电层,位于衬底一侧,第一导电层包括第一栅极线和走线;走线位于第一栅极线靠近第一边缘的一侧;与第一边缘相邻的多个...
  • 一种运行稳定钙钛矿发光二极管,属于钙钛矿发光/显示技术领域。所述钙钛矿发光二极管包括依次设置的带透明电极的基板、ZnO电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层和阳极;其中,所述ZnO电子传输层为采用氨基或卤素封端的有机硅偶联剂表面修饰改性后的Z...
  • 一种钙钛矿发光二极管,属于钙钛矿发光/显示技术领域。所述钙钛矿发光二极管包括依次设置的带透明电极的基板、ZnO电子传输层、钙钛矿发光层、空穴传输层、阳极缓冲层和阳极;其中,所述ZnO电子传输层为采用有机硅交联剂(含有可与氨基反应形成交联网络...
  • 本发明公开了一种中红外探测器及其制备方法,该中红外探测器包括基底、金属电极、半导体薄膜层和量子点层,所述半导体薄膜层和量子点层之间设有电子收集层,所述电子收集层满足在半导体薄膜层和量子点层之间产生内建电势以将电子从量子点层驱动到电子传输层,...
  • 本申请实施例提供一种光伏组件的制备方法、焊带和光伏系统,属于太阳能电池技术领域。其中,制备方法包括:获得无主栅背接触太阳能电池片;无主栅背接触太阳能电池片的表面设有多条栅线和第一绝缘胶膜段;在沿着预设的第一焊带线路上,每条第一栅线上设有一个...
  • 本申请提供一种光伏组件和光伏系统。该光伏组件包括:无主栅背接触太阳能电池片、绝缘单元和焊带,无主栅背接触太阳能电池片的表面设有第一栅线和第二栅线;绝缘单元包括第一绝缘胶膜段和第二绝缘胶膜段;在沿着预设的第一焊带线路上,每条第一栅线上设有一个...
  • 提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括:衬底;沟道区,位于衬底中;栅电极,位于衬底上,且与沟道区相对设置;栅电极层包括栅电极层,栅电极层包括:扩散阻挡层,包括一层第一多晶硅层,第一多晶硅层的厚度范围为50埃‑300埃,第一多晶硅层...
  • 本发明实施例提供的半导体外延结构和半导体外延生长方法,涉及半导体外延生长技术领域,该半导体外延结构包括衬底、形核层、应力调控层、超晶格层、沟道层、势垒层和盖帽层,形核层设置在衬底上;应力调控层设置在形核层上;超晶格层依次层叠设置在应力调控层...
  • 本申请提供了一种存储器及其形成方法,涉及半导体相关技术领域,其中存储器的形成方法包括提供第一存储结构、位于第一存储结构一侧的第一导电层以及隔离层。第一存储结构包括阵列排布的存储单元。隔离层位于相邻存储单元之间、相邻第一导电层之间以及第一导电...
  • 本发明公开了一种计算机信息化安全应用的智能装置及使用方法,涉及计算机信息化安全技术领域,该装置包括计算机信息化智能装置主体,计算机信息化智能装置主体内设有元器件安装柜,柜门内设有辅助形成风道的导风组件,计算机信息化智能装置主体内设有送风结构...
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