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  • 本发明公开了一种尺寸测量装置, 属于磁体加工尺寸检测的技术领域, 包括机架, 机架上方设有上料输送机构、检测机构、下料输送机构和吹料机构, 检测机构包括支撑台, 支撑台上方滑动连接有两个工件导向块, 支撑台的两侧设有用于驱动两个工件导向块向...
  • 本发明涉及磨削夹具技术领域, 公开了一种石墨制品磨削夹具, 包括基台, 用于承载石墨制品, 所述基台的内部贯穿开设有若干个通孔, 若干个柱体, 其设置于通孔的内部, 所述若干个柱体能对石墨制品进行支撑。本发明通过标记芯靠近石墨制品下表面运动...
  • 本发明提供一种可自适应非平行表面样品的手持式磨抛装置, 包括握把套筒、非平行表面自适应调节组件及竖向夹持组件, 所述的握把套筒包括外套筒和套筒配件, 用于对样品进行侧向限位, 确保磨抛过程中的稳定性;所述的非平行表面自适应调节组件位于试样顶...
  • 本发明公开了一种抛光设备磨头连接装置, 涉及旋转接头技术领域, 包括内含安装通道的壳体、从壳体底端伸入安装通道内并与壳体转动连接的转子轴, 以及轴向等距装配于安装通道内的机械密封组件;所述转子轴内部沿圆周方向均匀设有多路独立管路, 所述壳体...
  • 本发明涉及刀盒领域, 公开了一种玻璃深加工用刀盒, 包括刀轮、刀杆及刀座, 所述刀杆通过刀座与刀轮连接, 所述刀杆受导向件导向, 且导向件的内部形成可改变大小的腔体, 在对导向件内通入气体时, 所述刀杆沿其长度方向移动, 并在受驱动旋转改变...
  • 本发明公开一种磨削加工装置, 包括:刀轴、刀具以及冷却仓, 所述冷却仓和所述刀具依次安装于所述刀轴, 所述冷却仓形成有密封腔, 所述刀具具有磨削区域, 所述密封腔靠近于所述磨削区域, 所述密封腔用于盛装相变流体, 以使所述密封腔的相变流体吸...
  • 本发明公开了一种晶圆传输装置和化学机械抛光系统, 涉及晶圆制造技术领域。该晶圆传输装置包括:轨道, 沿化学机械抛光系统的横向及竖向设置并位于化学机械抛光系统中;滑块, 设置于所述轨道上并沿轨道移动, 所述滑块上配置有晶圆夹持机构, 以夹持待...
  • 本申请公开了多功能终点检测窗口, 具体涉及一种用于化学机械抛光的抛光垫, 该抛光垫包括:抛光层, 该抛光层具有抛光表面、与抛光表面相反的抛光层界面表面和从抛光表面延伸至抛光界面表面的抛光窗口区域表面;子垫层, 该子垫层具有与抛光层界面表面相...
  • 一种用于衬底(例如, 半导体晶圆)的化学机械抛光的抛光垫, 该抛光垫包括抛光层、子垫层、顶部窗口部分、底部窗口部分、以及支承部。支承部从抛光层朝向顶部窗口周边表面延伸并且与顶部窗口周边表面相邻。底部窗口部分的横截面大于顶部窗口部分的横截面。...
  • 本发明是关于一种研磨机及地平研磨施工方法, 研磨机包括底架机构、扶手机构及研磨机构, 所述研磨机构用于安装研磨组件。所述底架机构包括底座、调节座、调节杆组件和脚轮组件, 调节杆组件升降活动调整底座和调节座的开合角度, 以调整研磨机构的研磨平...
  • 本发明提供能够容易地提高在晶片表面层叠的多个层中的抛光层的厚度的测定精度的CMP装置和抛光方法。CMP装置(1)对具有抛光层(W1)和位于所述抛光层之下的至少一层基底层(W2)的晶片(W)的所述抛光层进行抛光, 所述CMP装置具备:数据库(...
  • 本申请提供一种研磨设备及研磨方法, 涉及半导体技术领域, 用于解决研磨垫修整器的修整效果较差的问题。该研磨设备包括研磨垫、研磨垫修整器、清洗喷嘴、压力检测装置和控制装置。研磨垫修整器可移动至压力检测装置上并与压力检测装置接触, 压力检测装置...
  • 本发明公开了一种法兰密封面清理装置, 涉及法兰盘清理设备技术领域, 主要目的是提供一种能够对法兰盘的密封面进行机械化打磨的一种法兰密封面清理装置。本发明的主要技术方案为:一种法兰密封面清理装置, 包括:驱动部件;调节部件, 调节部件包括固定...
  • 本发明公开了一种晶圆处理方法, 涉及晶圆制造技术领域。该晶圆处理方法在CMP系统中处理晶圆表面, 其包括:S1, 前置单元的前置机械手将晶圆放置于轨道起始位置的晶圆夹持机构上;S2, 晶圆夹持机构沿轨道移动至抛光单元的第一交互位置, 在所述...
  • 本发明涉及耐火材料生产技术领域, 提出了一种耐火材料精研设备及管件研磨方法, 包括基座、主摆臂、单摆臂、研磨机构和检测机构, 其中, 基座并列开设有多个槽口;主摆臂对应槽口设置有多个, 并可相对基座进行转动;单摆臂与主摆臂转动连接;研磨机构...
  • 提供可提高化学机械研磨处理的基板处理质量的信息处理装置及方法、基板研磨装置、推论装置及方法、机器学习装置及方法。信息处理装置(6)具备:信息获取部(210b), 获取包含表示由基板研磨装置(2)进行由研磨垫的研磨面研磨基板的研磨处理时的研磨...
  • 本发明涉及一种硅材料高平坦度CMP的加工方式, 所属半导体技术领域, 包括如下操作步骤:第一步:在CMP机械抛光工艺前, 优化抛光布结构和材料, 使用具有更好弹性和耐磨性的材料制造抛光布, 能够提高抛光布在抛光过程中的稳定性和耐用性。第二步...
  • 本发明公开了一种探针卡研磨装置, 包含外壳、机体及摄影组件。外壳具有定位平面及工作窗口, 定位平面位于外壳顶部, 工作窗口位于定位平面上且连通外壳的内部。机体容置在外壳之内, 机体具有升降滑轨、升降平台、抬升致动器、转向滑轨、旋转盘、驱动马...
  • 本发明涉及磁力研磨技术领域, 提供一种用于微细沟槽的旋转磁粒研磨装置和方法, 装置包括:磁极, 磁极夹具;电机, 用于驱动磁极夹具和磁极转动;工件夹具, 用于夹紧固定待加工精密零件;滑台, 安装工件夹具, 带动工件夹具和待加工精密零件沿着Z...
  • 本发明公开了一种小口径螺纹联接平衡阀生产用打磨装置, 涉及打磨装置技术领域, 本发明包括底座以及机体, 还包括:中心柱, 所述中心柱固定安装在机体内, 且中心柱与机体同轴;支撑组件, 支撑组件用于底座和机体之间的连接;支撑环, 所述支撑环密...
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