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最新专利技术
  • 一种拓扑晶体绝缘体结构及其制备方法
    一种拓扑晶体绝缘体结构及其制备方法_北京量子信息科学研究院_202510705106.X
    本申请公开一种拓扑晶体绝缘体结构及其制备方法。拓扑晶体绝缘体结构由下至上依次包括：CdTe基底、第一Pb0.98Eu0.02Te薄膜、SnTe薄膜、第二Pb0.98Eu0.02Te薄膜；其中， 所述第一Pb0.98Eu0.02Te薄膜和所述...
    2026-01-01
  • 碳化硅长晶炉用保温筒
    碳化硅长晶炉用保温筒_佛山市石金科技有限公司_202511039578.2
    本发明公开了碳化硅长晶炉用保温筒， 涉及碳化硅长晶炉技术领域， 其技术方案要点包括拼接条， 所述拼接条为圆弧状结构， 至少两个所述拼接条沿圆周方向等距拼接排列组合形成圆筒状主体结构， 且相邻两个拼接条之间预留有间歇， 以减少环形电流导致的自...
    2026-01-01
  • 基于液氮温控的碳化硅晶锭激光剥离方法及系统
    基于液氮温控的碳化硅晶锭激光剥离方法及系统_山西烁科晶体有限公司_202510885209.9
    本发明涉及基于液氮温控的碳化硅晶锭激光剥离方法及系统， 属于晶体加工技术领域， 包括以下步骤：通过单脉冲激光对碳化硅晶锭的内部形成轻微分裂的改质层；通过液氮喷头对改质层进行冷冻处理， 在改质层上部形成冷区， 改质层下部为热区；冷区与热区之间...
    2026-01-01
  • 钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法
    钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法_同济大学_202510885055.3
    本发明涉及一种钬镨掺杂的无序中熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法， 所述晶体的化学式为Ho, Pr : CaSrBaF6或Ho, Pr : MeCaSrBaF9， 其中钬的掺杂浓度为0.5～1.5at.％， 镨的掺杂浓度为0.05～0.15...
    2026-01-01
  • 钬镨掺杂的无序高熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法
    钬镨掺杂的无序高熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法_同济大学_202510885053.4
    本发明涉及一种钬镨掺杂的无序高熵氟化物中红外激光晶体及其制备方法， 所述晶体的化学式为Ho, Pr : Me1Me2CaSrBaF12， 其中钬的掺杂浓度为0.5～1.5at.％， 镨的掺杂浓度为0.05～0.15at.％， Me1和Me2...
    2026-01-01
  • 一种锡铅混合卤化物晶体及其制备方法
    一种锡铅混合卤化物晶体及其制备方法_舟山华洲化学有限公司_202510764517.6
    本发明提出了一种锡铅混合卤化物晶体及其制备方法， 属于锡铅混合卤化物光电材料技术领域， 本发明在真空密封条件下， 通过高温熔融反应实现SnX2与PbX2的晶格混合， 制备出晶格均一、抗氧化性优良的PbxSn2‑xX4晶体。真空环境有效隔绝了...
    2026-01-01
  • 一种单晶金刚石及其生长方法
    一种单晶金刚石及其生长方法_浙江先导微电子科技有限公司_202510845674.X
    本申请属于晶体生长领域， 公开了一种单晶金刚石及其生长方法， 该单晶金刚石， 由籽晶在持续通入氢气和氧气的氛围下循环刻蚀、生长得到， 所述单晶金刚石的长度≥10.5mm。本申请得到的单晶金刚石长度超过10.5mm且能够避免多晶化严重的问题，...
    2026-01-01
  • 用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用
    用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用_浙江大学杭州国际科创中心_202511234159.4
    本申请涉及用于制备多晶碳化硅的装置和方法、多晶碳化硅及其应用。该装置包括：坩埚；石墨基板， 设置于坩埚且位于坩埚的上部；气道结构， 设置于坩埚， 用于向坩埚内通气；挡板， 设置于坩埚内， 与石墨基板具有间隔且投影覆盖石墨基板， 挡板与坩埚的...
    2026-01-01
  • 一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺
    一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺_金瑞泓微电子(嘉兴)有限公司_202511151921.2
    本发明公开了一种重掺硼直拉硅外延片的内吸杂工艺， 包括步骤：1)将重掺硼直拉硅片在惰性气氛下进行高温预处理， 包括依次进行高温快速热处理和高温普通热处理；2)硅片进行抛光消除表面损伤层；3)沉积轻掺外延层或本征外延层制得所述外延片。所述外延...
    2026-01-01
  • 一种在非金属衬底上生长磷烯的方法
    一种在非金属衬底上生长磷烯的方法_南京航空航天大学_202510792518.1
    本发明公开了一种在非金属衬底上生长磷烯的方法， 采用分子束外延技术， 在高真空环境下以磷化铟为前驱体， 在外延生长的硅衬底上生长磷烯， 实现对磷烯生长过程的精确控制。步骤包括：在新鲜剥离的云母表面沉积金层并进行离子清洗和退火处理获得洁净的 ...
    2026-01-01
  • 一种多梯度电流与甲烷协同调控的单晶金刚石形核方法
    一种多梯度电流与甲烷协同调控的单晶金刚石形核方法_西安电子科技大学_202510844602.3
    本发明公开了一种多梯度电流与甲烷协同调控的单晶金刚石形核方法， 包括：将具有Ir薄膜的氧化物复合衬底置于形核试验用MPCVD设备的腔室内， 对Ir薄膜进行氢刻蚀清洗；向腔室内通入预设体积分数的甲烷气体， 并使甲烷气体与腔室内的气体充分混匀；...
    2026-01-01
  • 半导体工艺腔室及半导体设备
    半导体工艺腔室及半导体设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410382838.5
    本发明公开一种半导体工艺腔室及半导体设备， 所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体和设置于腔室本体内的基座、预热环和环形内衬， 腔室本体通过基座分为第一腔室和第二腔室；环形内衬环绕基座设置， 且与基座之间形成环形间隙；预热环与环形内衬连接， 且...
    2026-01-01
  • 一种寄生碳化硅的去除方法
    一种寄生碳化硅的去除方法_蓝河科技(绍兴)有限公司_202511203858.2
    本发明提供了一种寄生碳化硅的去除方法， 包括采用甲硅烷和含氢气和氟化氢气体的无氧清洁气体， 保持清洁腔室内的清洁温度不低于1300摄氏度， 清洁压力不低于100mbar下去除寄生碳化硅， 有利于提升清洁速率。利用氢气对氟化氢气体起到稀释作用...
    2026-01-01
  • 一种分子束外延系统的钼托组件
    一种分子束外延系统的钼托组件_中国电子科技集团公司第十一研究所_202510793323.9
    本申请公开了一种分子束外延系统的钼托组件， 涉及半导体技术， 包括：钼托本体， 材料为钼， 呈环状结构， 所述钼托本体内环设置有台面结构， 所属钼托结构底部配有氮化硼(PBN)环状结构， 所述钼托本体内环的台面结构的规格与晶圆结构的规格相适...
    2026-01-01
  • 一种碳化硅晶体生长设备
    一种碳化硅晶体生长设备_江苏兑尚半导体科技有限公司_202510924093.5
    本发明涉及碳化硅晶体加工技术领域， 更具体的公开了一种碳化硅晶体生长设备， 包括定位底座， 所述定位底座的顶部固定连接有加热炉体， 所述加热炉体的顶部安装有顶部密封盖， 所述定位底座的顶部安装有石墨坩埚组件；本发明将需要进加工的碳化硅原料放...
    2026-01-01
  • 一种碳化硅晶体及其生长装置与生长方法
    一种碳化硅晶体及其生长装置与生长方法_江苏超芯星半导体有限公司_202510921526.1
    本发明属于半导体材料制备技术领域， 本发明提供了一种碳化硅晶体及其生长装置与生长方法， 所述生长装置设置有主副坩埚；其中， 所述主坩埚的内部包括碳化硅原料区及第一气相传输区， 用于碳化硅的晶体生长反应；所述副坩埚的内部包括硅补充原料区及第二...
    2026-01-01
  • 一种连续加料装置及加料速度控制方法
    一种连续加料装置及加料速度控制方法_包头美科硅能源有限公司_202511065268.8
    本发明涉及硅单晶炉技术领域， 具体涉及一种连续加料装置及加料速度控制方法， 其中加料装置包括竖直安装在单晶炉上并延伸至坩埚上方的进料管， 以及滑动安装在单晶炉一侧设置的机架上的料仓， 料仓底部设置有竖直的出料管， 出料管的输出端与进料管的输...
    2026-01-01
  • 一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池
    一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池_晶科能源股份有限公司_202510998838.2
    本申请涉及一种单晶炉、单晶硅棒的制备方法、硅片和太阳能电池， 单晶炉包括水冷屏， 水冷屏包括外筒体和内筒体， 外筒体设置于内筒体的外周， 内筒体包括本体、交替设置的第一散热体和第二散热体， 第一散热体和第二散热体均沿内筒体的径向相对本体凸起...
    2026-01-01
  • 一种具有特殊磁转变性质的高质量LaCoO3-δ单晶制备方法
    一种具有特殊磁转变性质的高质量LaCoO3-δ单晶制备方法_浙江光电子研究院_202510851240.0
    本发明公开了一种特殊具有磁转变性质的高质量LaCoO3‑δ单晶制备方法， 包括La2O3粉末先进行除水烧结；将预处理的La2O3粉末和Co3O4粉末按照化合反应比置于研钵中， 进行研磨均匀；将粉末倒入定制的不锈钢模具中， 使用1.4T压力进...
    2026-01-01
  • 材料制备方法、器件制备方法和热电器件
    材料制备方法、器件制备方法和热电器件_南方科技大学_202510718451.7
    本申请公开一种材料制备方法、器件制备方法和热电器件。材料制备方法应用于制备热电腿的材料， 热电腿包括第一热电腿， 第一热电腿的材料包括N型Mg3Bi2晶体， 制备方法包括：称取第一原料装入第一反应容器， 并将第一反应容器放入第一加热装置中，...
    2026-01-01
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