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最新专利技术
  • 一种基于堆叠式负载锁的晶圆处理系统及方法
    一种基于堆叠式负载锁的晶圆处理系统及方法_盛红晔半导体科技(上海)有限公司_202511179269.5
    本发明涉及一种基于堆叠式负载锁的晶圆处理系统及方法。系统包括负载锁模块、晶圆传送模块、工艺模块和气路调控模块， 负载锁模块一侧通过真空传输腔体与工艺模块相连接， 另一侧与大气环境相连接， 且负载锁模块采用双层负载锁结构， 每层的左右两侧各设...
    2025-12-01
  • 一种半导体芯片加工用贴片装置
    一种半导体芯片加工用贴片装置_苏州汉牛芯科技有限公司_202510941897.6
    本发明公开了一种半导体芯片加工用贴片装置， 包括框体， 所述框体的反面一侧固定安装有工作台；所述框体的内部设置有夹持机构， 且工作台的顶部设置有调节组件；其中， 所述夹持机构包括支撑杆， 且支撑杆对称固定安装于框体的内部， 并且支撑杆的外部...
    2025-12-01
  • 一种方胶体超高压二极管测试印字一体机
    一种方胶体超高压二极管测试印字一体机_太仓市晨启电子精密机械有限公司_202510849129.8
    本发明公开了一种方胶体超高压二极管测试印字一体机， 包括：进料机构；传送机构；转运机构；相性测试机构， 其用于对二极管的相性进行测试， 并对二极管进行排向， 使得各二极管的正负极电极引线朝向统一；产品检测机构、电性测试机构、塑封体四面检测机...
    2025-12-01
  • 具有芯片缓存的晶圆多级分组装置
    具有芯片缓存的晶圆多级分组装置_东莞触点智能装备有限公司_202510795322.8
    本发明公开了一种具有芯片缓存的晶圆多级分组装置， 包括设置在承载台上的晶圆处理模组、主轨道模组和进料轨道模组， 所述的主轨道模组位于晶圆处理模组的旁侧， 所述的晶圆处理模组和主轨道模组之间设置有芯片缓存模组， 该芯片缓存模组包括：一用于暂存...
    2025-12-01
  • 具有基板缓存的晶圆多级分组装置
    具有基板缓存的晶圆多级分组装置_东莞触点智能装备有限公司_202510795317.7
    本发明公开了一种具有基板缓存的晶圆多级分组装置， 包括设置在承载台上的晶圆处理模组、主轨道模组和进料轨道模组， 主轨道模组位于晶圆处理模组的旁侧， 且主轨道模组包括有供基板沿X轴运行的主轨道；基板进料模组包括有可与主轨道对接的进料轨道， 于...
    2025-12-01
  • 炉管机台
    炉管机台_华虹半导体(无锡)有限公司_202510782481.4
    本申请公开了一种炉管机台， 包括：反应腔， 其用于容置需要生长薄膜的晶片且提供薄膜生长的封闭环境；加热管， 其用于对反应腔进行加热；供气系统， 其用于向反应腔通入氧气、氮气和氢气中的至少一种气体， 其通过主供气管道与反应腔连通， 当炉管机台...
    2025-12-01
  • 一种BGA封装结构
    一种BGA封装结构_山东齐芯微系统科技股份有限公司_202510730444.9
    本发明涉及BGA封装技术领域， 且公开了一种BGA封装结构， 包括， 底架顶部固定连接有外壳， 外壳的内壁滑动连接有外壳二， 外壳二的外壁固定连接有开口网格板， 开口网格板的外壁固定连接有连接杆， 集成电路连接板上需焊接处向下凹陷， 通过开...
    2025-12-01
  • 用于将多个芯片贴片到载板的芯片贴片装置和方法
    用于将多个芯片贴片到载板的芯片贴片装置和方法_PYXISCF私人有限公司_202510321705.1
    本申请提供了一种用于将多个芯片贴片到载板的芯片贴片装置和方法。其中， 所述芯片贴片装置包括：一个载板支撑单元， 具有至少一个支撑元件和一个支撑架；一个晶圆供给单元， 具有一个晶圆架可操作以保持一切割晶圆；一个设置在所述载板支撑单元和晶圆供给...
    2025-12-01
  • 半导体工艺腔室和应用于半导体工艺腔室的控制方法
    半导体工艺腔室和应用于半导体工艺腔室的控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410421724.7
    本发明公开一种半导体工艺腔室和应用于半导体工艺腔室的控制方法， 所公开的半导体工艺腔室包括腔室本体、顶盖、气体纯化组件、第一管道、以及位于第一管道两端的第一开关阀， 其中：顶盖设于腔室本体， 且用于与腔室本体围成工艺内腔， 半导体工艺腔室具...
    2025-12-01
  • 工艺腔室、工艺方法及处理控制装置
    工艺腔室、工艺方法及处理控制装置_北京北方华创微电子装备有限公司_202410404854.X
    本发明提供一种工艺腔室、工艺方法及处理控制装置， 工艺腔室包括腔室本体、承载部件、第一检测部件和第二检测部件， 承载部件可升降的设置在腔室本体内， 用于承载晶圆， 第一检测部件和第二检测部件分别与腔室本体配合设置， 第一检测部件和第二检测部...
    2025-12-01
  • 缺陷标记装置及标记方法
    缺陷标记装置及标记方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511191458.4
    本发明涉及半导体制造技术领域， 提供了一种缺陷标记装置及标记方法， 缺陷标记装置包括承载单元和标定单元；所述承载单元包括承载件， 所述承载件具有一承载面， 所述承载件上具有镂空区， 所述标定单元包括缺陷检测组件和标定组件， 所述缺陷检测组件...
    2025-12-01
  • 一种受激辐射的晶圆检测装置
    一种受激辐射的晶圆检测装置_深圳中科飞测科技股份有限公司_202510921026.8
    本申请提供的一种受激辐射的晶圆检测装置， 激发光源产生的激发光束经第一照明镜组进行准直、匀光和形状调制后形成均匀的整形光束， 整形光束经第二照明镜组进行汇聚产生的汇聚光束能够经光束分离元件和物镜后形成出射光束且照射于晶圆的表面以激发产生荧光...
    2025-12-01
  • 一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置
    一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置_叁砖科技(南京)有限公司_202510916244.2
    本发明公开了一种间隔支撑可移动位置式半导体检测装置， 涉及半导体检测技术领域。该检测装置， 包括：腔室顶盖；监测窗， 监测窗的顶部为监测边框支撑的一体式石英窗；支撑架体， 通过支撑件间隔支撑于监测窗的顶部之上， 用于可移动的支撑一个以上的探...
    2025-12-01
  • 一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质
    一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质_深圳中科飞测科技股份有限公司_202510886122.3
    本申请提供一种形貌参数的确定方法、装置、设备和介质， 确定高深宽比纳米结构对应的参数化模型， 参数化模型用于表示高深宽比纳米结构的形貌参数与高深宽比纳米结构的高度之间的函数关系， 参数化模型包括多个基函数， 以及每个基函数对应的基函数系数；...
    2025-12-01
  • 一种具有除尘机构的等比线扫成像显示设备
    一种具有除尘机构的等比线扫成像显示设备_山东交通学院_202410415898.2
    本发明公开了一种具有除尘机构的等比线扫成像显示设备， 其技术方案包括：晶圆生产线和线扫主机， 所述晶圆生产线顶部两侧均安装有支撑座， 两侧所述支撑座靠近顶部通过连接架安装有线扫主机， 两侧所述支撑座间隙通过丝杆安装有滑板， 所述丝杆一端连接...
    2025-12-01
  • 用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法
    用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法_江苏卓胜微电子股份有限公司_202410393295.7
    本发明提供一种用于监测MOS管结性能的电性测试结构及测试方法， 通过设置测试单元， 且该测试单元结构有着类似于MOS管的结构， 即包括衬底层、阱层、栅极结构、掺杂区及测试焊盘， 但却将掺杂区分为掺杂类型相反的两个区， 即第一及第二导电类型掺...
    2025-12-01
  • 半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法
    半导体晶圆及测量半导体晶圆的方法_鸿海精密工业股份有限公司_202410383758.1
    一种测量半导体晶圆的方法包括形成多个岛状金属块于半导体层的背面。岛状金属块分别具有不同面积。岛状金属块的多个中心点沿着轴等间距地排列。方法还包括依序测量岛状金属块中任意相邻两者之间的电流‑电压关系。方法还包括基于电流‑电压关系获取特征接触电...
    2025-12-01
  • 芯片封装方法及芯片封装体
    芯片封装方法及芯片封装体_华宇华源电子科技(深圳)有限公司_202511041892.4
    本发明公开了一种芯片封装方法及芯片封装体， 芯片封装方法包括：S1、在载体上设置第一焊盘以及第一绝缘层；S2、在第一绝缘层上设置第二焊盘；S3、贴装芯片；S4、设置塑封体， 芯片以及第二焊盘被包裹在塑封体中；S5、设置线路层， 线路层导电连...
    2025-12-01
  • 一种双向对接的植球机
    一种双向对接的植球机_讯科半导体(苏州)有限公司_202510883506.X
    本发明公开了一种双向对接的植球机， 包括机架本体， 第一移载机构， 第二移载机构， 定位机构， 第三移载机构， 第四移载机构， 助焊剂上料组件， 植球组件， 检测组件和第五移载机构， 机架本体的两侧分别开设有第一对接口和第二对接口， 第一对...
    2025-12-01
  • 半导体管芯封装和形成其的方法
    半导体管芯封装和形成其的方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510657908.8
    提供了一种半导体管芯封装和形成其的方法。从半导体管芯封装中的半导体管芯的装置层的背侧表面省略高介电常数(高k)钝化层。代替地， 硬掩模层直接形成在装置层的背侧表面上， 以及图案化硬掩模层并用于形成通过装置层的一个或多个延伸导电结构(例如， ...
    2025-12-01
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