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最新专利技术
  • 晶圆非刻蚀面无需硬掩膜保护的湿法刻蚀装置及其刻蚀方法
    晶圆非刻蚀面无需硬掩膜保护的湿法刻蚀装置及其刻蚀方法_西安理工大学_202511026027.2
    本发明公开了晶圆非刻蚀面无需硬掩膜保护的湿法刻蚀装置， 包括箱体， 箱体内部上方设有喷淋系统， 喷淋系统下方正对设置有通气载物台， 通气载物台通过输气管道依次连接减压阀、流量计及空气压缩机， 箱体内部盛装有刻蚀液。本发明还公开了晶圆非刻蚀面...
    2025-11-25
  • 一种自动撕膜铁环储存运输装置
    一种自动撕膜铁环储存运输装置_达迩科技(成都)有限公司_202510979720.5
    本发明公开了一种自动撕膜铁环储存运输装置， 涉及半导体切割加工技术领域， 包括：废膜储存仓， 其顶端为开口端且设有用于放置铁环的铁环框， 铁环框具有通口， 以使铁环上的薄膜与废膜储存仓的内部连通；撕膜机构， 设于铁环框和废膜储存仓长度方向的...
    2025-11-25
  • 一种集成电路用具有边角防护结构的生产设备
    一种集成电路用具有边角防护结构的生产设备_安徽懂老板科技有限公司_202510955215.7
    本发明涉及集成电路生产， 特别涉及一种集成电路用具有边角防护结构的生产设备， 包括装置主体， 装置主体的表面开设有矩形槽， 放置面板位于矩形槽的上端， 此时启动伺服电机， 伺服电机带动第一连接柱和双向丝杆旋转， 两个四角防护框会对电路板的边...
    2025-11-25
  • 干燥气体发生装置、半导体工艺设备及干燥方法
    干燥气体发生装置、半导体工艺设备及干燥方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202510933283.3
    本发明提供一种干燥气体发生装置、半导体工艺设备及干燥方法。其中， 干燥气体发生装置包括：供液管路， 其进口端与有机溶剂液源连接， 所述供液管路的出口端用于输出有机溶剂蒸气；加热装置， 用于对所述供液管路中的有机溶剂加热， 以使液态有机溶剂汽...
    2025-11-25
  • 一种喷涂晶圆背面芯片装片的工艺方法
    一种喷涂晶圆背面芯片装片的工艺方法_江门市华凯科技有限公司_202510790226.4
    本发明涉及一种喷涂晶圆背面芯片装片的工艺方法， 包括以下步骤：步骤一、程序图形绘制；步骤二、晶圆清洗；步骤三、晶圆背面喷涂；步骤四、预固化；步骤五、晶圆粘贴；步骤六、晶圆切割；步骤七、芯片清洗；步骤八、芯片安装贴合；步骤九、后固化。本发明通...
    2025-11-25
  • 一种集成电路生产用清洁装置
    一种集成电路生产用清洁装置_江苏灵动云科技有限公司_202510741361.X
    本发明涉及集成电路清洁技术领域， 且公开了一种集成电路生产用清洁装置， 包括转送磨划装置， 所述转送磨划装置的一侧固定连接有芯片清理装置， 所述芯片清理装置的一侧固定连接有焊线除烟装置， 通过设有转送磨划装置将芯片放置于盘中通过履带传送到各...
    2025-11-25
  • 用于键合头加热器的冷却系统以及键合头加热器
    用于键合头加热器的冷却系统以及键合头加热器_先进科技新加坡有限公司_202510507454.6
    本公开提供一种用于键合头加热器的冷却系统， 所述键合头加热器包括可操作以加热芯片的加热板， 所述芯片被保持在邻近所述键合头加热器的位置。所述冷却系统包括与所述加热板热耦合的至少一个流体室。所述流体室包括用于容纳流体的外壳， 以及耦接到所述流...
    2025-11-25
  • 蚀刻方法及蚀刻装置
    蚀刻方法及蚀刻装置_株式会社爱发科_202510503384.7
    本发明提供能提高氮化硅膜相对于氧化硅膜或者多晶硅膜的选择比的蚀刻方法及蚀刻装置。蚀刻方法是选择性地蚀刻包括第1硅膜(S 1)和第2硅膜(S2)的基板(S)中的第1硅膜(S 1)的方法。蚀刻方法包括：一边对基板(S)进行加热， 以将基板(S)...
    2025-11-25
  • 晶片的清洗方法以及清洗装置
    晶片的清洗方法以及清洗装置_株式会社荏原制作所_202510482513.9
    本发明提供一种清洗方法， 通过用辊式清洗部件强制控制晶片的形状， 能够获得再现性良好的清洗效率。晶片(W)的擦刷清洗动作包括：基准清洗动作， 该动作利用位于基准清洗位置的第一辊式清洗部件(7)及第二辊式清洗部件(8)擦刷清洗晶片(W)；第一...
    2025-11-25
  • 基板处理系统和基板处理方法
    基板处理系统和基板处理方法_东京毅力科创株式会社_202510424120.2
    本公开提供一种基板处理系统和基板处理方法， 能够改善成品率。基于本公开的一个方式的基板处理系统具备：批量处理部， 其对多张基板统一地进行处理；单片处理部， 其对基板逐张地进行处理；以及控制电路， 其中， 所述控制电路执行以下处理：基于包含执...
    2025-11-25
  • 基板处理装置
    基板处理装置_东京毅力科创株式会社_202510414893.2
    本发明的课题提供一种能够提高处理流体的流量控制的精度的技术。本发明的一方式的基板处理装置具备：处理部， 具有能够收容表面被液体润湿的状态的基板的处理空间；流体供给装置， 向所述处理空间供给处理流体；和控制部， 所述流体供给装置具有：供给管线...
    2025-11-25
  • 基片处理方法、基片处理装置和计算机程序产品
    基片处理方法、基片处理装置和计算机程序产品_东京毅力科创株式会社_202510413184.2
    本发明提供基片处理方法、基片处理装置和计算机程序产品， 其容易向基片间的间隙填充药液。基片处理方法包括：在以第一基片(W1)位于第二基片(W2)之上的方式将层叠基片(W3)保持为水平的状态下， 向第一基片(W1)的周缘部(W1a)供给药液，...
    2025-11-25
  • 治具校正方法及作业设备
    治具校正方法及作业设备_万润科技股份有限公司_202510022509.4
    本发明提供一种治具校正方法及作业设备；治具校正方法包括：提供一治具， 位于可搬送一待搬送物的一搬送流路中并可选择性保持该待搬送物；提供一作业装置， 设有一距离传感器；使该作业装置被驱动位移至该治具上方， 使该距离传感器对该治具的不同位置进行...
    2025-11-25
  • 基板处理设备
    基板处理设备_三星电子株式会社_202411690335.0
    一种基板处理设备包括：转位模块， 其包括被构造为接纳基板载体的装载口；以及处理模块， 其连接到所述转位模块并且包括传送室、处理室和缓冲室。所述处理室连接到所述传送室并且所述缓冲室设置在所述转位模块与所述传送室之间。所述传送室包括被构造为在所...
    2025-11-25
  • 一种半导体工艺腔室
    一种半导体工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410501438.1
    本发明公开了一种半导体工艺腔室， 包括腔体、热成像器件、加热器件和控制器件， 热成像器件用于采集腔体内待测晶圆的热图像， 控制器件与热成像器件和加热器件相连， 控制器件用于获取热成像器件采集的待测晶圆的热图像， 根据热图像获得属于待测晶圆的...
    2025-11-25
  • 晶圆的加工设备和对晶圆的加工方法
    晶圆的加工设备和对晶圆的加工方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410498047.9
    本发明提供了一种晶圆的加工设备和对晶圆的加工方法。该加工设备中， 用于承载晶圆的台面可直接吸附晶圆， 使晶圆的第一表面贴合在台面上， 从而在喷洒刻蚀液以进行刻蚀的过程中， 使得刻蚀液难以侵蚀晶圆的第一表面。此外， 与传统的加工设备中利用PI...
    2025-11-25
  • 一种液处理装置
    一种液处理装置_沈阳芯源微电子设备股份有限公司_202410492956.1
    本申请公开了一种液处理装置， 涉及半导体制造技术领域， 包括基台、第一承载部、第二承载部、第一功能臂、第二功能臂、第三功能臂和第四功能臂；第一承载部和第二承载部均用于承载晶圆， 第一功能臂、第二功能臂、第三功能臂和第四功能臂上均设置有喷嘴，...
    2025-11-25
  • 半导体热处理设备
    半导体热处理设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410480702.8
    本发明提供一种半导体热处理设备， 包括工艺管、底座、测温部件、导向部件和调节组件， 工艺管竖直设置在底座上， 且工艺管和底座同轴设置， 测温部件包括水平段和竖直段， 水平段自底座外贯穿底座至底座内， 竖直段的部分设置在工艺管内， 部分设置在...
    2025-11-25
  • 半导体工艺设备及其控制方法
    半导体工艺设备及其控制方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410480064.X
    本申请实施例提供了一种半导体工艺设备及其控制方法， 该设备包括：工艺腔室、供气装置、抽气装置、第一阀门、真空计和控制器， 抽气装置经第一阀门与工艺腔室连接；在该设备执行暖机工艺后， 抽气装置按预设参数对工艺腔室进行抽气处理， 真空计检测当前...
    2025-11-25
  • 离子注入在线监控方法及在线监测系统
    离子注入在线监控方法及在线监测系统_上海光通信有限公司_202410431168.1
    本发明提供了一种离子注入在线监控方法及在线监测系统， 所述离子注入在线监控方法包括：构建对样本衬底进行离子注入后在所述样本衬底表面形成的非晶层厚度与对应离子注入的各工艺条件之间的若干单因素模型；提供离子注入后的待测衬底， 所述待测衬底表面形...
    2025-11-25
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