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  • 本发明涉及芯片封装领域, 尤其涉及一种CoW模组及芯片封装结构。包括:多个芯片、硅基转接板、塑封料层及翘曲抑制层硅基转接板, 翘曲抑制层固定连接于硅基转接板未安装芯片的一侧;翘曲抑制层的CTE大于硅基转接板的CTE;翘曲抑制层的CTE与塑封...
  • 本发明提供了一种高阶汽车保护用整流器晶片及其生产工艺, 涉及晶片生产技术领域。整流器晶片的生产工艺相较于传统工艺流程缩短, 在高温自动化扩散炉约6‑8个小时配合少量人力即可完成, 大幅提升了生产效率;取消了玻璃烧结工序, 减少有机粉尘等环境...
  • 本发明属于芯片封装技术领域, 公开了一种量子芯片封装装置, 其技术要点是:包括基板, 所述基板表面开设有安装槽, 所述安装槽内放置有芯片本体, 所述基板表面设置有封装盖, 所述基板表面设置有固定机构, 所述固定机构包括有卡接组件与调节组件,...
  • 本公开提供了一种半导体结构以及形成方法, 其中, 半导体结构包括:晶圆、至少一个凹槽和填充结构;至少一个凹槽形成在晶圆边缘;填充结构填充凹槽;其中, 填充结构的缓冲系数大于晶圆。这样, 在晶圆的边缘受外力冲击的情况下, 凹槽能够迫使裂纹沿凹...
  • 本发明提供一种带金属划线区的半导体芯片切割方法, 半导体芯片具有多个半导体芯片形成区域和分隔多个半导体芯片形成区域的划线区域, 且划线区域中设有划片道金属, 所述切割方法包括:通过激光烧蚀所述划片道金属形成开口槽, 所述开口槽的深度小于或等...
  • 本申请实施例公开了金属互连方法、半导体器件制备方法以及半导体器件。本申请实施例提供的技术方案通过在第一金属层上沉积第一介质层, 在第一介质层上沉积第二介质层, 对第一金属层、第一介质层和第二介质层进行炉管退火以及蚀刻处理, 并在炉管退火以及...
  • 本申请涉及一种金属互连结构的制备方法和半导体器件。该金属互连结构的制备方法, 包括:在半导体叠层结构上依次形成第一绝缘层、停止层与第二绝缘层;导电结构从半导体叠层结构暴露出来;刻蚀第二绝缘层、停止层与第一绝缘层形成第一沟槽, 第一沟槽暴露导...
  • 本申请公开了一种深硅通孔制备方法、集成芯片制备方法及集成芯片, 涉及半导体制造技术领域。该深硅通孔制备方法包括:在晶圆的硅中介层上表面沉积氧化硅以形成氧化硅薄膜;在氧化硅薄膜上表面涂覆光刻胶, 通过预设的通孔掩膜对光刻胶进行曝光显影以露出通...
  • 本发明涉及存储技术领域, 尤其涉及一种高带宽闪存芯片的加工方法, 包括以下步骤:S1、提供硅衬底, 加工功能电路层;S2、双光刻胶掩蔽注入;S3、沉积功能电路层互连介质及铜导线;S4、在功能电路层上生长存储阵列层:沉积厚度≤20nm的磷掺杂...
  • 本发明公开了一种可浸润侧翼基板结构及其制作方法、存储介质, 涉及封装基板技术领域。该方法包括:准备承载板;在第一金属种子层的表面设置保护层;在保护层的表面设置牺牲铜柱;在第一金属种子层的表面覆盖绝缘层;蚀刻牺牲铜柱, 形成第一空腔;根据第一...
  • 本公开提供了一种半导体结构及其制备方法, 涉及半导体技术领域, 方法包括:提供堆叠结构, 包括第一牺牲层、第一介质层、第二牺牲层和目标层;刻蚀第一牺牲层以形成第一图案;在第一图案的侧壁上形成第一间隔物层;去除第一牺牲层的剩余部分的至少部分;...
  • 本申请提供一种半导体结构及其制造方法, 半导体结构包括金属层, 金属层包括多个凹槽。方法包括:形成牺牲层, 牺牲层覆盖凹槽的侧壁, 沿着凹槽的顶部朝向凹槽的底部的方向, 牺牲层的厚度逐渐降低, 以预设角度去除位于凹槽的顶部的部分形状的牺牲层...
  • 本发明提供一种具有散热复合浅沟隔离区的半导体电路结构及其制作方法。其中, 半导体电路结构的制造方法。此方法包括下述步骤 : 先提供一半导体基材。形成浅沟渠从半导体基材的原始表面延伸至半导体基材内部, 用以围绕有源区。在浅沟渠的侧壁和底部形成...
  • 本发明提供一种用于LED蓝宝石衬底的固定装置及其固定方法, 包括设置在基座筒上的蓝宝石衬底, 所述基座筒为柱形敞口结构, 且内部设有安装内腔, 所述基座筒的敞口处转动设置有固定筒, 所述固定筒的内壁上安装有多个定位导向滑轨, 所述定位导向滑...
  • 本发明涉及键合机技术领域, 具体的说是一种双工位全自动键合系统及方法, 包括机架, 机架上安装有键合机构, 键合机构上安装有夹持机构和驱动机构, 键合机构上安装有吸尘机构;通过键合机构与机架的配合安装, 利于对半导体元器件进行键合, 并且能...
  • 本申请公开了一种手持式晶圆真空吸笔, 包括真空机以及吸笔, 吸笔包括外壳、吸盘、挑针, 挑针包括设于容纳腔内的按压部, 以及与按压部连接且自固定部向外伸出的操作部, 握持部设有部分外露于外壳的按钮, 按压部可随按钮竖向活动并带动操作部竖向活...
  • 本发明提供一种分体式快拆CHUCK盘, 属于夹盘领域, 具体包括上盘体、吸附腔、引流管、下旋转轴、真空通道和隔断组件, 上盘体用于承载晶圆设置有吸附区域, 晶圆能够将吸附区域覆盖;吸附腔与吸附区域连通, 用于将晶圆进行吸附定位;引流管设置在...
  • 本申请涉及芯片技术领域, 具体公开了一种多芯片承载结构, 包括承载板, 承载板的上表面设置有芯片块, 芯片块的外表面设置有引脚, 并通过引脚和承载板焊接使承载板和芯片块实现固定连接, 承载板的上表面设置有防脱落组件, 本发明通过防护组件在芯...
  • 本发明公开了一种减少散料产品中切割铜屑的方法, 针对成品电路在切割过程中产生的铜屑黏附在UV膜上导致剥料时与散料电路混合在一起影响产品外观以及后续性能测试的问题, 在切割前使用UV照射机提前在封装体四周位置解UV去除膜的粘性, 实现了封装体...
  • 本发明属于翘曲晶圆搬运技术领域, 尤其为翘曲晶圆吸附搬运装置, 包括固定环, 所述固定环的内部转动连接有转动环, 所述转动环的上表面固定连接有滑动槽架, 所述固定环的下方设置有第一抱闸电机, 所述第一抱闸电机的动力输出端贯穿固定环并与转动环...
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