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最新专利技术
  • 改进的工艺腔室清洁
    改进的工艺腔室清洁_应用材料公司_202480018444.X
    提供了一种清洁工艺腔室的方法，所述方法包括：在第一时间段期间从远程等离子体源向快速热处理腔室的内部体积供应等离子体，所述快速热处理腔室包括多个灯，所述多个灯被配置为加热所述快速热处理腔室的内部体积；以及当来自所述远程等离子体源的所述等离子体...
    2025-11-20
  • 制造工具校准
    制造工具校准_应用材料公司_202480017899.X
    一种用于校准制造系统的方法，包括从多个配方选择包括用于在基板上执行制造工艺的第一工艺参数的校准配方，包括：对于每个配方以及对于两个或更多个基板，接收表示使用所述配方在所述两个或更多个基板上执行的所述制造工艺的表征数据。根据所述基板的第一状态...
    2025-11-20
  • 接合层及接合构造
    接合层及接合构造_TDK株式会社_202480019391.3
    接合层是接合电子部件与基板电极的接合层，至少在与基板电极的接合部处具有较基板电极的宽度窄的宽度。
    2025-11-20
  • 打线接合装置、打线接合方法及打线接合程序
    打线接合装置、打线接合方法及打线接合程序_雅马哈智能机器株式会社_202480018388.X
    打线接合装置(1)包括：超声波焊头(30)；焊头支架(20)；接合工具(40)；焊头支架温度传感器(CH0)；焊头支架驱动部(10、12)；焊头温度推定部(90c)，基于焊头支架(20)的温度历程、及接合工具(40)的位置历程中的至少一者，...
    2025-11-20
  • 用于压缩成形的密封树脂的形成装置及形成方法
    用于压缩成形的密封树脂的形成装置及形成方法_雅马哈智能机器株式会社_202380095756.6
    本发明的课题在于提供一种密封树脂的形成装置及形成方法，所述密封树脂可实现能够防止产生成形不良的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段，本发明的密封树脂的形成装置(100)是对基础树脂(Rm)进行压片而形成用于工件(W)的压缩成形的密封树脂...
    2025-11-20
  • 膏组合物、半导体装置及其制造方法、以及电子部件及其制造方法
    膏组合物、半导体装置及其制造方法、以及电子部件及其制造方法_京瓷株式会社_202480001723.5
    一种膏组合物，其中，所述膏组合物包含银粒子(A)和粘合剂(B)，所述银粒子(A)100质量％中，粒径大于20μm的银粒子(A1)的含量为5质量％以下，所述银粒子(A)和所述粘合剂(B)的总量100质量％中，所述银粒子(A)的含量为95质量％...
    2025-11-20
  • 包括至少两个芯层的封装基板
    包括至少两个芯层的封装基板_高通股份有限公司_202480019648.5
    一种封装件，该封装件包括基板和联接到该基板的集成器件。该基板包括：(i)第一有芯基板部分，该第一有芯基板部分包括：第一芯层，该第一芯层包括第一腔体；第一集成器件，该第一集成器件位于该第一芯层的该第一腔体中；和第一电介质层，该第一电介质层包封...
    2025-11-20
  • 基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序
    基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序_株式会社国际电气_202380095986.2
    本发明提供一种能够抑制基板处理的偏差的技术。本发明所提供的技术具有第一工序和第二工序，其中，第一工序包含：(a1)将处理气体贮存于贮存部的工序，所述第二工序是在所述第一工序之后执行规定次数的循环的工序，该循环中依次进行以下工序：(b1)将所...
    2025-11-20
  • 处理容器、处理装置及半导体装置的制造方法
    处理容器、处理装置及半导体装置的制造方法_株式会社国际电气_202380095933.0
    提供一种技术，具备：内管，其具有从处理室排出处理气体的开口部、以及在内部配置有向上述处理室供给上述处理气体的第一供给部的第一缓冲部；外管，其配置于上述内管的外侧；以及第二缓冲部，其沿着上述外管隔着上述第一缓冲部而位于与上述开口部相反的一侧，...
    2025-11-20
  • 蚀刻方法和等离子体处理装置
    蚀刻方法和等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480023485.8
    本发明提供一种抑制蚀刻的形状异常的技术。本发明提供一种蚀刻方法。该方法包括：(a)准备基片的工序，基片包括具有凹部的蚀刻对象膜和具有使凹部露出的开口且配置在蚀刻对象膜上的掩模；(b)使用由包含含金属气体的第1处理气体形成的第1等离子体，在凹...
    2025-11-20
  • 等离子体处理装置
    等离子体处理装置_东京毅力科创株式会社_202480019244.6
    等离子体处理装置包括：外侧腔室，外侧腔室包括外侧侧壁，外侧侧壁包括第一外侧透明窗；基板支撑部，配置在外侧腔室的内部空间内；能够更换的内侧腔室，配置在外侧腔室的内部空间内，能够更换的内侧腔室包括：上部板，在基板支撑部的上方沿水平方向延伸；环形...
    2025-11-20
  • 处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及处理装置
    处理方法、半导体装置的制造方法、程序以及处理装置_株式会社国际电气_202380095978.8
    本发明具有将包含(a)、(b)以及(c)的循环使(a)的实施期间和(b)的实施期间的至少一部分重叠地进行预定次数而将膜蚀刻的工序，上述(a)是对上述膜供给改性气体的工序，上述(b)是对上述膜供给惰性气体的工序，上述(c)是对上述膜供给蚀刻气...
    2025-11-20
  • 学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置
    学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置_东京毅力科创株式会社_202380095807.5
    本发明提供一种用于实现基于在基板处理时获取的反射光光谱的结构参数的预测的学习模型的生成方法、信息处理方法、计算机程序以及信息处理装置。在本实施方式所涉及的学习模型的生成方法中，信息处理装置进行下述处理：获取由使基板的状态变化的基板处理引起的...
    2025-11-20
  • 基片处理装置和基片处理方法
    基片处理装置和基片处理方法_东京毅力科创株式会社_202480021532.5
    本发明的基片处理装置包括基片旋转部、杯体、排气管和处理液喷嘴。基片旋转部保持基片并使其旋转。杯体呈环状地包围由基片旋转部保持的基片的周围。排气管与杯体连接，来自杯体的排气在其中流动。处理液喷嘴至少能够在水平方向上移动，向保持于基片旋转部的基...
    2025-11-20
  • 光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法
    光照射剥离用的剥离剂组合物、层叠体以及经加工的半导体基板的制造方法_日产化学株式会社_202480021189.4
    一种剥离剂组合物，其是光照射剥离用的剥离剂组合物，所述剥离剂组合物含有聚合物和溶剂，所述聚合物具有第一结构、第二结构以及第三结构，所述第一结构具有吸收光并对由所述剥离剂组合物形成的剥离剂层赋予剥离性的结构，所述第二结构在所述聚合物的主链中具...
    2025-11-20
  • 臭氧水的供给装置以及供给方法
    臭氧水的供给装置以及供给方法_株式会社明电舍_202480018579.6
    在臭氧水的供给装置(1)中，具备：臭氧水生成部(2)，所述臭氧水生成部(2)在气液混合器(21)中接受臭氧浓度50体积％以上且臭氧分压30kPa(abs)以下的臭氧气体和溶剂而生成臭氧水；臭氧水供给部(3)，所述臭氧水供给部(3)向被供给对...
    2025-11-20
  • 基板处理方法以及基板处理装置
    基板处理方法以及基板处理装置_株式会社斯库林集团_202480017989.9
    基板处理方法包括：药液工序，向基板W的主面供给酸性药液；酸性冲洗工序，向基板的主面供给调整为酸性药液的pH以下的pH的酸性冲洗液，以置换基板的主面上的酸性药液；以及中性冲洗工序，向基板的主面供给pH比酸性冲洗液大的中性冲洗液，以置换基板的主...
    2025-11-20
  • 半导体晶片磨削装置和磨削方法
    半导体晶片磨削装置和磨削方法_株式会社东京精密_202480016082.0
    本发明提供一种半导体晶片的磨削方法，其包括如下步骤：关于从同一锭切出的多个半导体晶片中的至少一片，测量半导体晶片的外周部处的晶体取向，作为与半导体晶片的从基准位置起的周向位移相对应的晶体取向数据进行存储；根据晶体取向改变包括所施加的超声波的...
    2025-11-20
  • 基板处理装置和基板处理装置的清洗方法
    基板处理装置和基板处理装置的清洗方法_东京毅力科创株式会社_202480015945.2
    本公开的一个方式的基板处理装置具备：处理腔室(20)；基板保持部(33)，其配置在处理腔室(20)内，将基板保持为水平；雾防护件(70)，其从杯体(60)的外侧包围所述杯体(60)，所述杯体(60)用于对从保持于基板保持部(33)的基板飞散...
    2025-11-20
  • 研磨处理装置及研磨台
    研磨处理装置及研磨台_超微细技研有限公司_202380095646.X
    本发明提供一种研磨处理装置，其能够有效抑制CMP装置的研磨定盘的变形(热变形)，进一步改善基板表面的SFQR等，并且能够进行高质量稳定的每次大量的研磨处理。研磨台(11)具有：研磨定盘(1)，在表面设置有研磨垫；冷却基座(2)，载置研磨定盘...
    2025-11-20
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