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最新专利技术
  • 一种单晶炉副室提升装置
    一种单晶炉副室提升装置_云南嘉泰来新材料有限公司_202511050562.1
    本发明涉及单晶炉抬升技术领域，具体涉及一种单晶炉副室提升装置，包括安装于副腔室的挂设卡块，以及用于带动副腔室抬升以及转动的调节装置，调节装置的伸缩端固定安装有卡接部，卡接部与挂设卡块构成卡接，挂设卡块开设有插槽，卡接部包括卡接壳体，卡接壳体...
    2025-12-28
  • 一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件
    一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件_北京中科源芯光电科技有限公司_202511058319.4
    本申请提出了一种刻蚀铌酸锂材料的方法及铌酸锂器件，其中刻蚀铌酸锂材料的方法，包括如下步骤：在铌酸锂基板上制备掩膜层；在氩气氛围下对设置有所述掩膜层的铌酸锂基板进行低压刻蚀10‑20min完成图案化刻蚀得到样品；制备抛光液并将所述样品浸入所述...
    2025-12-28
  • 一种热处理装置
    一种热处理装置_上海新昇半导体科技有限公司_202511062645.2
    本申请提供一种热处理装置，包括：炉体，炉体由炉壁和炉底支撑板围合而成，其中，炉体内设置有由内壁护板隔离形成的热处理腔室；多个加热器，每个加热器设置在热处理腔室外侧的加热器腔室中，并且多个加热器沿第一方向间隔设置，其中，通过加热器使热处理腔室...
    2025-12-28
  • 一种半导体工件的热处理方法
    一种半导体工件的热处理方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511062435.3
    本申请提供一种半导体工件的热处理方法，包括：将半导体工件放置在可移动的运载单元上；驱动运载单元在热处理腔室内沿着行进方向移动，依次经过热处理腔室的升温区、恒温区和降温区，以完成半导体工件的热处理，其中，升温区、恒温区和降温区均包括多个子温区...
    2025-12-28
  • 一种热处理装置
    一种热处理装置_上海新昇半导体科技有限公司_202511062423.0
    本申请提供一种热处理装置，包括：环形的炉体，由炉盖、内炉壁、外炉壁和底板围合而成，炉体内设置有由第一护板和底板围合而成的环形的热处理腔室；环形的加热器腔室，设置于炉体内并设置于热处理腔室的内侧和/或外侧，加热器腔室中设置有沿圆周间隔设置的多...
    2025-12-28
  • 一种控制单晶硅棒氧含量的方法
    一种控制单晶硅棒氧含量的方法_包头晶澳太阳能科技有限公司_202510858169.9
    本申请涉及一种控制单晶硅棒氧含量的方法，包括：预设氧含量目标值以及氧含量随反切长度的变化率；根据氧含量随反切长度的变化率分别获取上一炉次本棒次的氧含量以及本炉次上一棒次的氧含量；根据上一炉次本棒次的氧含量以及本炉次上一棒次的氧含量获取本炉次...
    2025-12-28
  • 一种金属晶须的快速制备方法
    一种金属晶须的快速制备方法_苏州大学_202511095103.5
    本发明公开了一种金属晶须的快速制备方法。本发明基于活性金属原子理论，利用硬质相对纯金属粉末产生强机械剪切作用，使金属粉末高度细化并产生大量高活性金属原子；随后在低于纯金属熔点至少20℃的温度下进行等温退火，仅需数小时即可实现金属晶须的高效生...
    2025-12-28
  • 一种水汽/温度刺激响应的锰基卤化物纳米纤维膜发光材料及其制备方法和应用
    一种水汽/温度刺激响应的锰基卤化物纳米纤维膜发光材料及其制备方法和应用_济南大学_202411967210.8
    本发明属于发光材料合成领域，一种具有可逆光致发光和辐射发光转换的零维锰基杂化卤化物纳米纤维膜的制备方法及其应用。其合成路线如下：用4‑二甲氨基吡啶(DMAP)和盐酸制得前驱体，再与氯化锰水合物(MnCl2·4H2O)和无水氯化锰(MnCl2...
    2025-12-28
  • 一种零维有机锑基卤化物闪烁体单晶、闪烁体薄膜及其应用
    一种零维有机锑基卤化物闪烁体单晶、闪烁体薄膜及其应用_南京邮电大学_202511060017.0
    本发明属于X射线激发闪烁体材料和X射线成像技术领域，公开了一种零维有机锑基卤化物闪烁体单晶，所述闪烁体单晶的化学式为C48H52O4P2SbCl5，所述闪烁体单晶是一种稳定性强且对X射线具有响应性的闪烁体材料，本发明还提供了基于零维有机锑基...
    2025-12-28
  • 一种中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的制备方法及应用
    一种中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的制备方法及应用_福州大学_202511068664.6
    本发明公开了一种中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的制备方法及应用，所述中远红外非线性光学晶体硫镓汞钾的化学式为KHg4Ga5S12；所述KHg4Ga5S12晶体结构为：结构中K含有1个晶体学位点，Hg/Ga含有3个共占据的晶体学位点，S含有4...
    2025-12-28
  • 一种稀土掺杂高熵石榴石结构氧化物激光晶体及其制备方法与应用
    一种稀土掺杂高熵石榴石结构氧化物激光晶体及其制备方法与应用_中国科学院合肥物质科学研究院_202511414917.0
    本发明涉及一种稀土掺杂高熵石榴石结构氧化物激光晶体及其制备方法与应用，属于激光晶体材料技术领域。本发明激光晶体包括基质晶体和激活离子，所述激光晶体的化学式为RE3xAe3(1‑x)Me5O12，其中RE3+为激活离子，Ae3(1‑x)Me5...
    2025-12-28
  • 铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用
    铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用_山东大学_202511091159.3
    本发明属于闪烁材料技术领域，具体来说是铬离子掺杂的近红外闪烁晶体及其制备方法和应用。本发明铬离子掺杂的近红外闪烁晶体分子式为A3B2‑xCrxC3O12，其中，0.005≤x≤0.1，采用铬离子掺杂紫外‑可见光无机闪烁体后，发光位于650n...
    2025-12-28
  • 一种钙钛矿减薄液及其制备方法
    一种钙钛矿减薄液及其制备方法_上海君宇浩升光电科技有限公司_202510967045.4
    本发明提供了一种钙钛矿减薄液及其制备方法，所述钙钛矿减薄液包括质量比为2.7‑3.3：4.5‑5.5：0.9‑1.1：0.27‑0.33：0.27‑0.33：0.18‑0.22：0.18‑0.22的去离子水、醇类试剂、研磨颗粒、分散剂、悬浮...
    2025-12-28
  • 一种晶体生长模拟实验装置
    一种晶体生长模拟实验装置_中国科学院力学研究所_202510962305.9
    本发明涉及环状流模型领域，具体涉及一种晶体生长模拟实验装置，包括液池模组、中心柱和驱动系统，液池模组用于容纳实验液体，其外围设置有制冷元件；中心柱设置于液池模组的中心区域，其内部设置有制热元件；驱动系统与中心柱连接，并用于驱动中心柱沿重力方...
    2025-12-28
  • 一种单晶石墨及其制备方法
    一种单晶石墨及其制备方法_深圳清力技术有限公司_202511284294.X
    本申请涉及材料制备领域，公开了一种单晶石墨及其制备方法，包括：将单晶金属衬底置于石墨基材的表面，并将单晶金属衬底和石墨基材置于加热设备的腔体中；其中，石墨基材作为单晶石墨的碳源；当腔体内为非氧化性气氛，对单晶金属衬底和石墨基材加热，以在单晶...
    2025-12-28
  • 铜箔及其制备方法、负极片、电池和用电设备
    铜箔及其制备方法、负极片、电池和用电设备_比亚迪股份有限公司_202510783644.0
    本申请公开了铜箔及其制备方法、负极片、电池和用电设备。本申请提出的铜箔，以铜箔的(111)晶面织构系数、(200)晶面织构系数、(220)晶面织构系数和(311)晶面织构系数的总和为基准，(220)晶面织构系数的占比为75％～98％。本申请...
    2025-12-28
  • 基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法
    基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法_武汉大学_202510816155.0
    本发明提供了一种基于MPCVD工艺的氮化镓薄膜及其制备方法，属于半导体领域。包括：提供衬底；对衬底进行预处理，去除衬底表面缺陷及污染物；持续往生长腔内通入镓源；持续往生长腔内通入氮源；开启微波电源，在生长气体的氛围下，在生长腔内外延得到氮化...
    2025-12-28
  • 一种氮化镓晶体生长炉气路系统
    一种氮化镓晶体生长炉气路系统_沈阳中科汉达科技有限公司_202511318746.1
    本发明涉及一种氮化镓晶体生长炉气路系统，包括与生长炉连通的工艺气组分调节模块、真空抽气及压力控制模块、尾气处理模块和超压快排模块，所述生长炉上设有真空规P。本发明显著提高对工艺气体的气相组分和工艺压力的控制精度，使得晶体可以在高浓度氨气环境...
    2025-12-28
  • 一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法
    一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法_南京邮电大学_202511070577.4
    本发明属于半导体材料领域，公开了一种通过氧气流量调控择优生长ε相氧化镓外延薄膜的方法。制备方法包括：将蓝宝石衬底清洗后放入金属有机物化学气相沉积系统的腔室中；设置反应腔内气压，通入载气，升温至第一预设温度，通入第一预设高流量氧气，进入衬底高...
    2025-12-28
  • 一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜
    一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜_中国科学院上海技术物理研究所_202511029700.8
    本发明提供一种晶圆级晶向可控碲薄膜的制备方法和碲薄膜，涉及半导体技术领域。该制备方法包括以下步骤：S1、提供一洁净单晶衬底；S2、将所述衬底传入分子束外延预处理室进行除气处理；S3、将经过除气处理后的衬底传入分子束外延生长室进行脱氧处理；S...
    2025-12-28
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