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最新专利技术
  • 基于二次谐波的晶圆检测方法及系统
    基于二次谐波的晶圆检测方法及系统_上海微崇半导体设备有限公司_202510974708.5
    本发明涉及一种基于二次谐波的晶圆检测方法及系统，其中，方法包括：获取待测样品中的预选测点处的实测二次谐波检测信号集，实测二次谐波检测信号集包括：预选测点被来自不同方位角的光源照射后、受激发所产生的多个二次谐波检测信号；基于预设的拟合算法对实...
    2025-12-01
  • 基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统
    基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统_立川(杭州)半导体设备有限公司_202510928429.5
    本申请提供一种基于CMP清洗后的TSV晶圆表面污染粒子检测分析方法及系统，涉及集成电路技术领域，用于改善相关技术中，对污染粒子风险评估不够精确的的技术问题。方法包括：获取待检测晶圆的粒子分布图；获取待检测晶圆的TSV版图数据；基于预设的基准...
    2025-12-01
  • 晶圆检测设备及晶圆检测方法
    晶圆检测设备及晶圆检测方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202510863105.8
    本公开实施例提供了晶圆检测设备及晶圆检测方法，所述晶圆检测设备包括：用于支撑晶圆的支撑装置；超声波发生器，所述超声波发生器用于向所述晶圆发送超声波，以在所述晶圆内部引发振动，其中，所述超声波的传播方向设置成与所述晶圆的主表面成非零夹角；判定...
    2025-12-01
  • 用于光伏电池板生产的检测装置
    用于光伏电池板生产的检测装置_合肥博斯维尔能源科技有限公司_202510829870.8
    本发明公开了一种用于光伏电池板生产的检测装置，涉及光伏电池板生产技术领域。本发明包括水平设置的基座以及设置于基座上方的摄像头；基座的上表面竖直装设有用于搭载光伏电池板的旋转机构，且旋转机构能够水平转动光伏电池板；旋转机构的一侧水平装设有推拉...
    2025-12-01
  • 一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺
    一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺_中国矿业大学_202511068026.4
    本发明公开了一种基于电流辅助热压键合的铜柱表面金属化及键合工艺，属于半导体封装技术领域。包括以下步骤：在铜柱表面依次电镀镍层(2.0±0.3μm)和金层(3.0±0.4μm，Ra≤0.8μm)，随后在空气环境下，通过施加脉冲电流(峰值电流1...
    2025-12-01
  • 一种低温低压铜铜金属键合方法
    一种低温低压铜铜金属键合方法_江苏中科智芯集成科技有限公司_202511068020.7
    本发明提供一种低温低压铜铜金属键合方法，属于半导体封装技术领域。该方法首先对电镀形成的铜柱凸点进行机械化学抛光，将其表面粗糙度降至纳米级，形成高平整度的键合面，随后在空气环境下，施加290～300℃的温度、100～170MPa的压力，并加载...
    2025-12-01
  • 一种半导体晶圆的键合装置及键合方法
    一种半导体晶圆的键合装置及键合方法_矽赫微科技(上海)有限公司_202511029357.7
    本申请通过简单结构提高半导体制造工艺中晶圆之间的键合强度。本申请提供一种用于将半导体晶圆W1、W2相互键合的半导体晶圆键合装置34，在对半导体晶圆W1、W2进行等离子处理以激活其表面之后，规定时间内使其处于高真空状态，从而使半导体晶圆W1、...
    2025-12-01
  • 引线键合机线弧参数补偿方法、装置、计算机设备及介质
    引线键合机线弧参数补偿方法、装置、计算机设备及介质_深圳市德沃先进自动化有限公司_202511009061.9
    本申请公开了引线键合机线弧参数补偿方法、装置、计算机设备及介质，其方法实现，包括：基于目标芯片的封装需求，确定线弧形状以及线弧参数；基于所述线弧形状以及线弧参数，对所述目标芯片进行焊接，形成初始线弧；确定所述初始线弧是否符合预设焊接需求；若...
    2025-12-01
  • 一种用于功率模块芯片互联的高性能烧结铜膜及其制备方法和应用
    一种用于功率模块芯片互联的高性能烧结铜膜及其制备方法和应用_合肥钧联汽车电子有限公司_202510976894.6
    本申请提供了一种用于功率模块芯片互联的高性能烧结铜膜及其制备方法和应用，前驱体溶液的制备、溶液旋涂、热退火处理、铜膜分离等处理，获得致密、均匀的烧结铜膜。本发明对铜膜制备工艺的优化，采用溶液旋涂结合热退火工艺，先将铜盐、抗氧化剂、活性元素等...
    2025-12-01
  • 半导体封装方法、半导体组件及电子设备
    半导体封装方法、半导体组件及电子设备_上海易卜半导体有限公司_202510880964.8
    本申请涉及半导体封装方法、半导体组件及电子设备，该方法包括：提供至少一个第一焊接结构；第一焊接结构包括具有第一对准焊接部的半导体器件与具有第二对准焊接部的第一基板，第一对准焊接部与第二对准焊接部对准焊接；第一对准焊接部与第二对准焊接部中的一...
    2025-12-01
  • 用于引线框架封装器件的制造方法
    用于引线框架封装器件的制造方法_英飞凌科技奥地利有限公司_202510527552.6
    一种制造引线框架封装器件的方法，包括：提供引线框架，所述引线框架包括至少一个引线键合区域以及从所述至少一个引线键合区域延伸的多条引线，其中，每个引线键合区域包括多个键合焊盘；在每个引线键合区域上沉积镍镀层，以形成镀镍键合焊盘；在所述镍镀层上...
    2025-12-01
  • 一种半导体器件制作方法
    一种半导体器件制作方法_深圳镓楠半导体科技有限公司_202511042012.5
    本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种半导体器件制作方法，其中包括：形成基底层；在基底层的顶面上形成源极金属、漏极金属和栅极金属；在源极金属、漏极金属和栅极金属的顶面上形成第一介质层；在第一介质层的顶面上形成第一金属层；在第一金属层的顶面上...
    2025-12-01
  • 一种玻璃基板埋桥接芯片的方法
    一种玻璃基板埋桥接芯片的方法_成都奕成集成电路有限公司_202511097859.3
    本发明公开了一种玻璃基板埋桥接芯片的方法，包括步骤：取一已经完成电镀通孔线路的玻璃基板；在玻璃基板的正面制作出盲槽；将桥接芯片嵌入盲槽内；通过玻璃基板减薄技术将玻璃基板的背面减薄直至露出桥接芯片的背面凸块，以实现桥接芯片的双面导通。本申请中...
    2025-12-01
  • 一种芯片封装方法及结构
    一种芯片封装方法及结构_华天科技(江苏)有限公司_202511059222.5
    本发明公开了一种芯片封装方法及结构，该方法包括以下步骤：在基板上设临时键合层；在临时键合层上设重布线结构；在裸硅上贴装芯片；将芯片与重布线结构键合；去除裸硅；对芯片表面除杂；填充芯片与重布线结构之间的缝隙；形成塑封体；对塑封体进行研磨，露出...
    2025-12-01
  • 衬底布线封装方法、衬底布线封装结构和衬底布线封装载板
    衬底布线封装方法、衬底布线封装结构和衬底布线封装载板_甬矽半导体(宁波)有限公司_202511082814.9
    本发明提供的衬底布线封装方法、衬底布线封装结构和衬底布线封装载板，该方法首先提供一表面溅射有导热金属层的玻璃衬底，然后在导热金属层上旋涂形成粘接层，再在粘接层上形成重构布线组合层。再利用白光照射导热金属层，使得粘接层受热后失去粘性并剥离该玻...
    2025-12-01
  • 一种玻璃基板的制造方法
    一种玻璃基板的制造方法_朴松美_202511054857.6
    本发明公开了一种适用于显示行业及半导体领域的玻璃基板的制造方法，包括以下步骤：S1、通过精密加工和光刻形成允许电流流过电极材料的纯铜板的电极电路；S2、其特征是在高温，真空条件下将玻璃熔化成半液态玻璃，将纯铜板的柱面与半液态玻璃结合，形成玻...
    2025-12-01
  • 一种玻璃基板的结构及其制备方法
    一种玻璃基板的结构及其制备方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511011173.8
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种玻璃基板的结构及其制备方法。包括如下步骤：S1，提供玻璃，将玻璃研磨至指定厚度，得到玻璃芯板；S2，通过镭射激光开槽工艺，在玻璃芯板一侧表面的板边开两条细边槽；S3，通过3D打印技术，在细边槽内打印...
    2025-12-01
  • 一种IDF引线框架的切筋成型方法
    一种IDF引线框架的切筋成型方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511010255.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种IDF引线框架的切筋成型方法。包括以下步骤：S1、反向上料：待处理框架产品以引脚朝下的方式进料，将产品放于传送带的上料处；S2、第一次图像自动检测：工业相机采集产品的图像信息，经处理后与标准模板的信...
    2025-12-01
  • 一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法
    一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法_上海新微技术研发中心有限公司_202511074534.3
    本发明公开了一种减少掺杂层损伤的金属层刻蚀方法，包括步骤一：提供一衬底，在所述衬底中形成掺杂层；步骤二：在所述衬底表面依次形成金属层、图案化的光刻胶层；步骤三：对所述衬底进行干法刻蚀，移除第一厚度的所述金属层，所述第一厚度大于剩余的所述金属...
    2025-12-01
  • 一种单晶硅环表面处理方法
    一种单晶硅环表面处理方法_重庆臻宝半导体材料有限公司_202511043561.4
    本申请公开了一种单晶硅环表面处理方法，包括对精加工后的单晶硅环的工作面及装配面进行研磨处理；将单晶硅环的装配面进行防腐蚀遮蔽处理；将单晶硅环放入气相射流刻蚀装置的刻蚀腔体内的旋转平台上，并使含添加剂的刻蚀液加热后产生的刻蚀气相蒸汽与辅助气体...
    2025-12-01
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