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最新专利技术
  • 一种高功率钠离子电池
    一种高功率钠离子电池_太仓中科赛诺新能源科技有限公司_202511067110.4
    本发明公开了一种高功率钠离子电池，包括正极、负极和电解液，所述正极的活性材料包括通过流变相反应和NaCl‑KCl低共熔盐协同烧结制备的具有NASICON结构的Fe基和/或Mn基聚阴离子材料，所述负极的活性材料包括硫氮掺杂且双碳层包覆的磷酸钛...
    2025-12-04
  • 一种具有锂靶向结构框架的锂金属负极
    一种具有锂靶向结构框架的锂金属负极_天津大学_202511217584.2
    本发明公开了一种具有锂靶向结构框架的锂金属负极，属于二次电池材料技术领域。该负极的核心在于其多级协同的锂靶向结构框架，由静态锂合金横向导锂界面、动态体相导锂合金位点和动态纳米金属‑无机复合导锂固体电解质界面三部分组成。该框架通过静态界面的固...
    2025-12-04
  • 涂层浆料的制备方法、银碳负极片及其制备方法、固态电池
    涂层浆料的制备方法、银碳负极片及其制备方法、固态电池_中创新航技术研究院(江苏)有限公司_202511146570.6
    本发明属于电池技术领域，尤其涉及一种涂层浆料的制备方法、银碳负极片及其制备方法、固态电池。与现有技术相比，本发明通过控制负极活性涂层中银材料的团聚程度，可使银、碳颗粒分散均匀避免锂枝晶产生的基础上，增加银颗粒在碳颗粒上的附着位点和空间，进而...
    2025-12-04
  • 负极极片、二次电池和电子装置
    负极极片、二次电池和电子装置_宁德新能源科技有限公司_202511113496.8
    本申请提供一种负极极片、二次电池和电子装置，负极极片包括集流体和设置于集流体上的负极材料层，负极材料层包括负极活性材料，负极活性材料包括复合石墨材料和硅基材料，复合石墨材料包括石墨和石墨表面的硬碳，复合石墨材料的拉曼光谱的D峰与G峰的比值为...
    2025-12-04
  • 正极极片及其制备方法、质控方法、固态电池和用电设备
    正极极片及其制备方法、质控方法、固态电池和用电设备_比亚迪股份有限公司_202511420508.1
    本申请属于固态电池领域，具体公开了一种正极极片及其制备方法、质控方法、固态电池和用电设备，其中正极极片包括正极集流体以及设置在正极集流体至少部分表面的复合正极层，复合正极层包括正极活性物质和固态电解质；复合正极层的空间均匀性R1满足，其中为...
    2025-12-04
  • 正极片及其制造方法、二次电池
    正极片及其制造方法、二次电池_江苏正力新能电池技术股份有限公司_202511447498.0
    本发明涉及储能技术领域，具体涉及一种正极片及其制造方法、二次电池；正极片包括正极集流体、设置于正极集流体表面上的第一活性层、设置于第一活性层表面上的第二活性层、设置于第二活性层表面上第三活性层；第一活性层包括第一多晶高镍材料和第一单晶高镍材...
    2025-12-04
  • 一种负极极片及二次电池
    一种负极极片及二次电池_深圳好电科技有限公司_202511438582.6
    本发明提供了一种负极极片及二次电池。负极极片包括集流体及自靠近集流体侧向外依次设置的第一涂层和第二涂层，第一涂层包括第一活性物质和第一聚合物微球，第二涂层包括第二活性物质和第二聚合物微球；第一聚合物微球的溶胀率小于第二聚合物微球的溶胀率，所...
    2025-12-04
  • 全固态电池用的参比电极及包含参比电极的全固态电池
    全固态电池用的参比电极及包含参比电极的全固态电池_重庆长安汽车股份有限公司_202511432994.9
    本申请涉及一种全固态电池用的参比电极及包含参比电极的全固态电池，所述参比电极包括参比集流体、封口胶层、参比活性材料层和绝缘层；所述参比集流体包括依次连接的尾部、封口段和用于布置于全固态电池的overhang空间内的overhang段，所述o...
    2025-12-04
  • 一种原位生成具有梯度亲锂化三维结构的无锂负极及其制备方法
    一种原位生成具有梯度亲锂化三维结构的无锂负极及其制备方法_成都旭鑫玖能科技有限公司_202511161334.1
    本发明涉及锂电池负极材料技术领域，具体公开了一种原位生成具有梯度亲锂化三维结构的无锂负极及其制备方法，所述无锂负极包括CuZn合金层、以及位于CuZn合金层一表面的石墨烯疏锂层和位于CuZn合金层另一表面的Cu2O亲锂层，所述石墨烯疏锂层位...
    2025-12-04
  • 低压力固态电池正极及其制备方法、固态电池
    低压力固态电池正极及其制备方法、固态电池_清陶(昆山)能源发展集团股份有限公司_202510932067.7
    本申请公开一种低压力固态电池正极、制备方法以及固态电池。所述低压力固态电池正极包括正极活性物质和无机固态电解质；所述正极活性物质正极活性材料和包覆于正极活性材料表面的聚合物电解质，所述聚合物电解质材料包括由第一交联单体聚合所形成的第一聚合物...
    2025-12-04
  • 负极片及其制备方法以及电池
    负极片及其制备方法以及电池_惠州亿纬锂能股份有限公司_202510901661.X
    本发明提供一种负极片及其制备方法以及电池，该负极片包括集流体和依次设置于所述集流体上的第一涂层、第二涂层和第三涂层，所述第一涂层的材料包括第一导电剂，所述第二涂层的材料包括第二导电剂，所述第三涂层的材料包括第三导电剂，所述第一导电剂和所述第...
    2025-12-04
  • 一种新能源汽车电池铜镀镍极片及加工方法
    一种新能源汽车电池铜镀镍极片及加工方法_池州普莱特科技有限公司_202511068325.8
    本发明提供一种新能源汽车电池铜镀镍极片及加工方法，包括S1、铜带预处理，铜带穿过各预处理用槽体；S2、铜带镀镍，铜带穿过各个镀镍用槽体：S2.1、电镀处理：水洗后的铜带输入至多道电镀槽内，电镀槽内增设波浪形排气板，排气板可排出惰性气体形成湍...
    2025-12-04
  • 一种镓铟合金掺杂铝钒氧化物水合物正极电极的制备方法
    一种镓铟合金掺杂铝钒氧化物水合物正极电极的制备方法_内蒙古工业大学_202510987847.1
    本发明公开了一种镓铟合金掺杂铝钒氧化物水合物正极电极的制备方法，本发明采用镓铟合金与铝离子协同掺杂的新型改性策略，系统性提升了钒氧化物正极材料在水系锌离子电池中的电化学性能。GaIn合金的引入显著增强了材料的电子导电性，形成连续的电子传输路...
    2025-12-04
  • 一种电极及其制备方法和二次电池
    一种电极及其制备方法和二次电池_北京车和家汽车科技有限公司_202410551162.8
    本发明提供了一种电极及其制备方法和二次电池，属于二次电池技术领域。所述电极的制备方法包括以下步骤：S1.将粉料和溶剂进行混合，所述粉料包括活性材料、导电剂、粘结剂，得到面絮状或面团状的混合料；S2.将所述混合料进行冷压，得到半干电极膜；S3...
    2025-12-04
  • 电极片、固态电解质膜、固态电池及其制备方法和应用
    电极片、固态电解质膜、固态电池及其制备方法和应用_奇瑞汽车股份有限公司_202511085714.1
    本公开涉及一种电极片、固态电解质膜、固态电池及其制备方法和应用，属于固态电池技术领域。电极片包括集流体和涂覆层，涂覆层涂覆于集流体的至少一侧表面，涂覆层背离集流体的一侧表面形成有多个第一嵌合结构，多个第一嵌合结构间隔分布。固态电解质膜包括固...
    2025-12-04
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_江苏长电科技股份有限公司_202511285434.5
    一种封装结构及其形成方法，结构包括：基板，基板包括多个功能器件区以及位于相邻功能器件区之间的电磁屏蔽区；功能芯片，设置于功能器件区的基板上；电磁屏蔽结构，设置于电磁屏蔽区的基板上，且电磁屏蔽结构包括多个间隔排布的针体以及环绕包覆针体的针座，...
    2025-12-04
  • 基于有机转接板的SIP封装结构及封装方法
    基于有机转接板的SIP封装结构及封装方法_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511046911.2
    本发明提供了一种基于有机转接板的SIP封装结构及封装方法，属于半导体封装技术领域，封装结构包括陶瓷基壳、芯片模块、有机转接板、第一焊接层和第二焊接层；陶瓷基壳内部设有芯片模块，芯片模块与陶瓷基壳之间通过引线键合；有机转接板，内部设有多层横向...
    2025-12-04
  • 一种集成应变与温度感知功能的射频微系统封装结构及其控制方法
    一种集成应变与温度感知功能的射频微系统封装结构及其控制方法_扬州大学_202510908912.7
    本发明涉及一种集成应变与温度感知功能的射频微系统封装结构及其控制方法，包括：至少三层堆叠的转接板结构，包含芯片埋置层转接板、微流道层转接板和底层转接板；所述芯片埋置层转接板设有用于嵌入芯片的凹槽，凹槽底部集成热电偶薄膜；所述底层转接板下表面...
    2025-12-04
  • 一种板级多芯片模块堆叠结构及封装方法
    一种板级多芯片模块堆叠结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511084594.3
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种板级多芯片模块堆叠结构及封装方法。芯片组包含若干以阶梯状错位堆叠的芯片，芯片正面朝向基板，芯片正面露出的阶梯位置和芯片组旁侧设有垂直引线的一端，垂直引线的另一端连接互连结构，芯片和垂直引线外侧设有环...
    2025-12-04
  • 一种晶圆级多芯片模块堆叠结构及封装方法
    一种晶圆级多芯片模块堆叠结构及封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511084592.4
    本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种晶圆级多芯片模块堆叠结构及封装方法。每个模块内包括至少一个芯片组，芯片组包含若干以阶梯状错位堆叠的芯片，芯片正面朝上通过贴片连接再布线层一，芯片正面露出的阶梯位置与再布线层二之间设有垂直引线，再布线...
    2025-12-04
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