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  • 本发明公开了一种基于SiC的PNPN垂直结构半导体核辐射探测器及方法,涉及辐射探测器领域,包括衬底、在衬底下表面形成的阴极电极、以及在衬底上表面由下至上依次形成的P3区、P2区、N1区、P1区和P1区上的阳极电极;所述P1区为P型重掺杂;所...
  • 本发明涉及一种金刚石基氧化镓异质结雪崩光电探测器及其制备方法,采用p+金刚石衬底,依次外延p‑金刚石倍增层、n‑Ga2O3电荷层、i‑Ga2O3吸收层及n+Ga2O3接触层,形成分离吸收倍增Ⅱ型异质结台面结构;通过ICP刻蚀暴露衬底,并利用...
  • 本发明提供一种单光子雪崩二极管及其制造方法。该单光子雪崩二极管包括:一衬底,具有第一表面和第二表面;一形成于衬底内的雪崩区;以及至少一个光捕获结构。所述光捕获结构形成于衬底的第一表面和/或第二表面上,且包括至少一个倒置的类金字塔凹陷。该光捕...
  • 本发明提供一种全介质超表面增强宽波段光电响应雪崩光电探测器,包括增透膜、上/下电极、氧化层、光敏面、保护环、截止环、倍增层、本征吸收层以及接触层。所述全介质超表面分别位于增透膜层和接触层。本发明依靠材料的结构设计来改善雪崩光电探测器的光电响...
  • 本发明公开了一种基于双层沟道p‑GaNAlGaNn‑GaN结构光子能量探测器及方法,包括第一阳极、第二阳极、第一阴极、第二阴极、二氧化硅钝化层、p型GaN层、势垒层、n型GaN层、GaN缓冲层以及绝缘衬底,其中,x表示材料中Al的摩尔组分,...
  • 本申请涉及光伏组件及其制备方法。本申请的光伏组件包括:多个电池串、多个汇流条以及至少一个跳线;电池串包括通过焊带串联连接的多个光伏电池;多个电池串通过汇流条电连接;汇流条包括第一主体层,第一主体层具有沿其厚度方向相对设置的第一表面和第二表面...
  • 本申请涉及一种光伏组件,包括背接触太阳能电池片、第一粘接件以及第二粘接件,相邻的背接触太阳能电池片通过焊带连接,背接触太阳能电池片包括基底和设置于基底上的焊盘,第一粘接件设置于焊盘上,第一粘接件电连接焊盘与焊带,第二粘接件连接焊带与基底,其...
  • 本申请公开了一种太阳能电池和光伏组件,涉及光伏技术领域,以防止太阳能电池沿同一方向上不同类型的力作用到同一直线上导致电池片损伤,组件可靠性下降。太阳能电池包括电池本体、多个集电电极、多个连接电极和多个电结合部。多个集电电极沿第一方向延伸、沿...
  • 本发明提供了一种光伏组件和光伏系统,涉及光伏技术领域。光伏组件,包括:电池片;电池片设置有电极;电连接件,电连接件具有金属内芯;金属内芯通过结合材料电连接相邻两个电池片的电极;结合材料和金属内芯之间形成有第一合金层;所述电极和结合材料之间形...
  • 本发明公开了一种基于BC电池的光伏系组件封装方法,所述光伏组件光照射方向依次包括玻璃板、BC电池、电路层、胶膜和背板,所述封装方法包括:采用点胶工艺在玻璃的内侧表面形成特定位置和形状的胶点;将BC电池片的正面直接与玻璃上的胶点通过点胶进行粘...
  • 本发明公开了一种基于3D网状增强结构的超轻高抗冲击光伏组件及其制备方法,通过三层协同创新设计解决传统组件轻量化与抗冲击性能的矛盾问题。本发明的光伏组件梯度增强前板采用PC层与ETFE层交替层压,内部嵌有3D螺旋梯度玻璃纤维网,实现冲击应力梯...
  • 本申请涉及一种光伏电池制作方法和光伏电池。所述方法包括:在第一玻璃上进行排版处理,以使远离第一玻璃的一侧,覆盖包括开孔区域的绝缘膜带;对开孔区域进行填补处理,以使绝缘膜带上覆盖汇流条;将第二玻璃贴合于汇流条,进行层压得到光伏电池。采用本方法...
  • 本发明涉及太阳能电池技术领域,具体涉及一种能够调节应力的三结太阳电池及其制备方法,该三结太阳电池自下而上依次为GaAs衬底、腐蚀截止层、接触层、顶电池、第一隧穿结、中电池、第二隧穿结、应变缓冲层、底电池、应力调节层、欧姆接触层。本发明通过在...
  • 本申请涉及一种光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的光伏电池,包括硅衬底、掺杂硅层、复合阻挡层和金属电极;硅衬底具有相对设置的第一表面和第二表面的硅衬底,第一表面包括第一区域和第二区域,第二表面包括第三区域和第四区域;掺杂硅层设置于第一表...
  • 本申请涉及一种太阳能电池和光伏组件。太阳能电池包括基底、发射极结构、掺杂导电结构、第一电极和第二电极,发射极结构设于基底的第一表面上,且包括交替布设的第一高掺杂区和第一低掺杂区。掺杂导电结构设于基底的第二表面上,且包括交替布设的第二高掺杂区...
  • 本申请公开了背接触太阳能电池及其制备方法和光伏组件。电池的背光面包括交替排布的P区、间隔区和N区;所述背光面包括至少一个第一区域,除第一区域外的其他区域为第二区域,所述第一区域中N区的面积占比为N1,所述第二区域中N区的面积占比为N2,其中...
  • 本发明提供高鲁棒性的ESD保护器件,包括:衬底,衬底的表面并列覆盖N型阱层和P型阱层;N型阱层上覆盖第一P型掺杂层和第二P型掺杂层,P型阱层上覆盖第一N型掺杂层、第二N型掺杂层和第三P型掺杂层;第一N型掺杂层靠近第二P型掺杂层,且第一N型掺...
  • 一种阵列基板、显示面板和显示装置,解决了现有技术中OLED显示产品的显示效果较差的问题。其中,阵列基板,包括:衬底;像素电路,位于衬底一侧,像素电路包括发光模块和存储模块;发光模块包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管,第一晶体管包括第一栅极...
  • 本发明提供一种混合型薄膜晶体管的显示装置,属于显示技术领域,包括于同一半导体基板上形成的多个薄膜晶体管,包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,第一薄膜晶体管为低温多晶硅薄膜晶体管,第二薄膜晶体管为氧化物半导体薄膜晶体管;还包括:屏蔽层,位于第...
  • 本申请实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板;该阵列基板通过使钝化层与层间绝缘层的材料不同,且钝化层中的氢含量大于层间绝缘层中的氢含量,则可以去除层间绝缘层中的氮化硅层,使有源层中的悬挂键不会与层间绝缘层中的氮化硅层中的氢复合,使得有...
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