Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 改善HCI效应的半导体结构及其制作方法
    改善HCI效应的半导体结构及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511598774.3
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种改善HCI效应的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供基底，包括依次叠置的半导体衬底、衬底氧化层和硬掩膜层；半导体衬底中形成有与栅极位置相对应的浅沟槽；刻蚀去除衬底氧化层靠近浅沟槽一侧的端部，刻蚀后衬...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制备方法
    半导体器件及其制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511203753.7
    本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括：提供衬底，包括第一区和第二区，第一区及第二区均包括栅极结构、掩模层、第一氧化层及第一氮化层；形成牺牲材料层覆盖衬底表面，暴露部分高度的栅极结构，去除第一区及第二区上的栅极结构顶部的第一氮...
    2025-12-26
  • 一种光伏模块封装装置及其制作方法
    一种光伏模块封装装置及其制作方法_江苏全芯微半导体有限公司_202511175966.3
    本发明公开了一种光伏模块封装装置及其制作方法，包括：底板组件、电容、IC芯片和框架主体，底板组件包括绝缘底板和导电端子，导电端子呈片状，包括上表面和下表面，该导电端子水平铺设于绝缘底板上，导电端子下表面与绝缘底板接触并连接，导电端子上设置有...
    2025-12-26
  • 一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块
    一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511068160.4
    本发明提供了一种集成驱动、电源和功率的高功率密度模块，包括功率基板、驱动基板以及封装外壳；封装外壳包括容纳功率基板和驱动基板的主腔室，功率基板固定在封装外壳的底板上，驱动基板安装在封装外壳的侧壁并与功率基板平行，将主腔室分割为包括功率基板的...
    2025-12-26
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联芯集成电路制造(厦门)有限公司_202410674366.0
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法。其中半导体元件包含一栅极结构，栅极结构由下而上包含一栅极绝缘层、一第一阻障层以及一栅极导电层。栅极绝缘层设置于一基底上，第一阻障层设置于栅极绝缘层上，其中第一阻障层包含一过渡金属氮化物，且第一阻障层邻近...
    2025-12-26
  • 一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法
    一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法_江苏东海半导体股份有限公司_202511043956.4
    本发明公开了一种降低SiC外延缺陷的外延结构及制备方法，具体涉及SiC制备技术领域，包括：第一导电类型衬底，其表面边缘5～10mm区域内设有同心圆排布的正六边形凹槽；第一导电类型缓冲层，填充凹槽的缓冲层填充衬底凹槽区域，凹槽侧面为SiC晶体...
    2025-12-26
  • 具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法
    具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510928056.1
    本公开公开了一种具有复合缓冲层的半导体芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。该半导体芯片，包括依次叠设的衬底、复合缓冲层和半导体层；所述复合缓冲层包括N极性GaN层、AlN插入层和Ga极性GaN层，所述N极性GaN层、所述AlN插入层和所述...
    2025-12-26
  • 一种宽禁带半导体器件及其制备方法
    一种宽禁带半导体器件及其制备方法_湖北九峰山实验室_202511262166.5
    本申请公开了一种宽禁带半导体器件及其制备方法，可用于半导体领域，该器件包括：沿第一方向依次堆叠的衬底、第一电荷平衡区、第二电荷平衡区、第三电荷平衡区以及源极；第一电荷平衡区包括沿第二方向交替分布的第一P型调制区和第一N型调制区；第二方向垂直...
    2025-12-26
  • 一种超结终端结构及其制备方法
    一种超结终端结构及其制备方法_瑶芯微(上海)电子科技股份有限公司_202511162862.9
    本发明提供一种超结终端结构及其制备方法，超结终端结构中第二导电类型终端区柱的柱宽及柱间距先增大后减小；第二导电类型离子注入阱、第二导电类型终端主结分别在第二导电类型有源区柱和第二导电类型过渡区柱上方。本发明设置非均匀分布的第二导电类型终端区...
    2025-12-26
  • 边缘终端结构
    边缘终端结构_安世有限公司_202510681470.7
    本公开涉及一种适合于MOSFET晶体管的边缘终端结构，特别是在功率应用中。一种边缘终端结构，所述边缘终端结构适合于所述MOSFET晶体管，包括多个平行的条状物(1)、和至少一个屏蔽氧化物填充的沟槽SOTR(6)，其中所述SOTR(6)垂直于...
    2025-12-26
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法
    绝缘栅双极型晶体管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410658740.8
    本发明涉及一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，IGBT包括：集电区；缓冲区，位于所述集电区上；漂移区，位于所述缓冲区上；体区，具有第二导电类型，至少部分位于所述漂移区上；发射区，具有第一导电类型；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类...
    2025-12-26
  • 碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法
    碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410653784.1
    本发明涉及一种碳化硅肖特基势垒二极管及其制造方法，所述碳化硅肖特基势垒二极管包括：衬底，具有第一导电类型；第一外延层，具有第一导电类型，位于所述衬底上方；第二外延层，具有第一导电类型，位于所述第一外延层上，且掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂...
    2025-12-26
  • 碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
    碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制造方法_无锡华润华晶微电子有限公司_202410651482.0
    本发明涉及一种碳化硅金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述碳化硅金属氧化物半导体场效应管包括：第一外延层，具有第一导电类型；第二外延层，具有第一导电类型，位于所述第一外延层上，且掺杂浓度大于所述第一外延层的掺杂浓度；所述第一导电类型和第...
    2025-12-26
  • 调节MOS晶体管的阈值电压的方法
    调节MOS晶体管的阈值电压的方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202511203776.8
    本发明提供了一种调节MOS晶体管的阈值电压的方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括第一沟道、第二沟道、第一氧化层及第二氧化层，所述第一氧化层覆盖所述第一沟道表面，所述第二氧化层覆盖所述第二沟道表面；对所述第一氧化层执行第一粒子辐照，在所述...
    2025-12-26
  • 形成半导体结构、沉积偶极层及形成半导体器件的方法
    形成半导体结构、沉积偶极层及形成半导体器件的方法_ASMIP私人控股有限公司_202510697267.9
    公开了形成半导体结构的方法。所公开的方法包括通过循环沉积过程在高k电介质材料的表面上沉积包含三元镓材料的偶极层。还公开了通过原子层沉积过程在衬底上沉积偶极层的方法。还公开了采用三元镓材料形成半导体器件的方法。
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社日本显示器_202510697503.7
    本发明涉及半导体装置。课题在于实现即使是微细的像素电路，也在不使开口率变小的情况下具备良好电特性的半导体装置。半导体装置具备：具有图案的氧化物半导体层；栅电极，其与前述氧化物半导体层对置；栅极绝缘层，其设置在前述氧化物半导体层与前述栅电极之...
    2025-12-26
  • 半导体功率器件及其制备方法
    半导体功率器件及其制备方法_广东芯粤能半导体有限公司_202511573580.8
    本发明涉及半导体功率器件技术领域，公开了一种半导体功率器件及其制备方法，旨在提升器件耐压性能与可靠性。该终端结构包括衬底；外延层，位于衬底的上方；重掺杂区，位于外延层中；结终端扩展区，位于外延层中，且与重掺杂区接触；氧化层，位于重掺杂区和结...
    2025-12-26
  • 一种优化电场的超结结构及其制备方法
    一种优化电场的超结结构及其制备方法_西安龙威半导体有限公司_202511238918.4
    本发明公开了一种优化电场的超结结构及其制备方法，包括：第一导电类型衬底层；第一导电类型外延层，位于衬底层的上表面；第二导电类型杂质注入区，位于器件两端的外延层内；第二导电类型体区，位于器件两端的外延层内，且位于对应的杂质注入区上；第一导电类...
    2025-12-26
  • 碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备
    碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备_比亚迪股份有限公司_202511204162.1
    本申请提供一种碳化硅MOSFET及其制备方法、芯片、电子设备，在碳化硅MOSFET中的源极沟槽底部设置的第一保护层，可以有效降低碳化硅MOSFET处于关断状态时，降低源极沟槽底部的电场。其中，具体通过避免高能量对体区的注入损伤，可有效屏蔽碳...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510656496.6
    本公开的目的在于提供能够兼得“恢复dV/dt max”及导通损耗的折衷的改善和栅极总电荷量Qg降低的半导体装置。本公开的半导体装置具备：半导体基板；发射极电极，形成在半导体基板之上；第一导电型的漂移层，形成在半导体基板之中；第二导电型的基极...
    2025-12-26
首页 上一页 6 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证