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最新专利技术
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511153945.1
    提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一鳍图案和第二鳍图案，通过第一隔离沟槽分离并在第一方向上延伸；第三鳍图案，在与第一方向相交的第二方向上与第一鳍图案间隔开并在第一方向上延伸；第四鳍图案，通过第二隔离沟槽与第三鳍图案分离；第一栅结构，...
    2025-12-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_三星电子株式会社_202510383418.3
    提供了半导体装置和制造半导体装置的方法。根据各种实施例的半导体装置包括：衬底和形成在衬底上的多个晶体管堆叠件。每个晶体管堆叠件包括下晶体管和上晶体管，下晶体管包括至少一个下沟道层和包围至少一个下沟道层的下栅极结构并且形成在衬底上，上晶体管包...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510726803.3
    一种半导体装置包括：绝缘基础层；鳍型图案，在绝缘基础层上，并且在第一方向上延伸；多个沟道结构，在鳍型图案上，并且在第一方向上彼此间隔开，所述多个沟道结构中的每个包括在与第一方向垂直的第二方向上彼此间隔开的多个沟道层；多个栅极结构，分别围绕所...
    2025-12-26
  • 半导体器件结构及其形成方法
    半导体器件结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510671964.7
    本公开涉及半导体器件结构及其形成方法。本公开的实施例涉及半导体器件结构。该结构包括：衬底；绝缘材料，设置在所述衬底上；第一鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；第二鳍结构，从所述衬底向上延伸穿过所述绝缘材料；源极/漏极(S/D)特征，...
    2025-12-26
  • 具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件
    具有集成功率晶体管和启动电路的III-V族半导体器件_剑桥氮化镓器件有限公司_202511192508.0
    公开了一种异质结芯片，包括：基于III族氮化物半导体的异质结功率器件，包括：第一异质结晶体管、第二异质结晶体管，以及与所述第二异质结晶体管操作性地连接的接口电路；其中，第一异质结晶体管和第二异质结晶体管中的一个是增强型场效应晶体管，而第一异...
    2025-12-26
  • 芯片电池及其制备方法
    芯片电池及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511563496.8
    本申请提供了一种芯片电池及其制备方法，属于半导体技术领域，包括衬底及至少一条控制线路，每条控制线路包括串联的浮栅晶体管及储能单元，储能单元包括一个或至少两个并联的电容结构，浮栅晶体管的至少部分位于衬底上，电容结构位于衬底内；芯片电池在使用之...
    2025-12-26
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202510504304.X
    本发明提供一种半导体装置，具有：第一导电型的漂移区，其设置于半导体基板；多个沟槽部，其具有栅极沟槽部以及虚设沟槽部，并在预先确定的沟槽排列方向上以预先确定的间距进行排列；第二导电型的基区，其设置于漂移区的上方；第一导电型的发射区，其掺杂浓度...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制备方法
    半导体结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511625543.7
    本申请涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底的一侧依次形成伪栅材料层和掩膜层，掩膜层包括第一掩膜部以及第二掩膜部；基于掩膜层图形化伪栅材料层，形成伪栅极结构，伪栅极结构包括第一...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司_202411856276.X
    本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述制作方法包括：形成包覆鳍部的栅结构；所述鳍部沿第一方向延伸、且贯穿所述栅结构；所述栅结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；在相邻的所述栅结构之间的鳍部中形成第一有源区；在所述第...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410720450.1
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底和位于衬底上的鳍部，衬底包括基底以及位于基底上的隔离层，鳍部位于基底上，衬底包括第一器件区；在第一器件区的衬底上和第一器件区的鳍部上形成牺牲层，牺牲层顶部高于鳍部的顶部；在牺牲层内形成栅极开口，...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410713233.X
    一种半导体结构及其形成方法，包括：形成位于基底上沿第一方向延伸的介质鳍槽、形成沿第二方向延伸且横穿所述介质鳍槽的隔断槽；形成位于介质鳍槽中第一牺牲层和位于隔断槽中第二牺牲层；进行图形化处理，获得多个鳍，包括：图形化第一牺牲层获得牺牲鳍，图形...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649809.1
    本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，包括：检测所述第一器件和所述第二器件的栅极结构之间的高度差；在所述半导体结构的表面依次沉积多晶硅层和牺牲层；减薄所述牺牲层至暴露所述第二器件的栅极结构上的多晶硅层的上表面；对所述第二器件中的栅极结构上...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511649237.7
    本发明提供一种半导体结构及其形成方法，栅极在栅极延伸方向上被切割成多段，相邻段栅极之间形成有栅极隔离结构，通过在侧壁氮化硅及在被暴露出来的衬底上引入水汽，利用疏水性原理，采用自对准工艺在栅极的顶部和栅极隔离结构的顶部形成保护层。在回刻工艺中...
    2025-12-26
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511621739.9
    本发明提供一种半导体器件的形成方法，刻蚀栅极材料层并停止在高阻膜层上，刻蚀高阻膜层以同时形成栅极结构和高阻结构，然后依次形成第一介质层和第二介质层，接着刻蚀第二介质层形成第一接触孔，继续刻蚀第一介质层形成第二接触孔和第三接触孔，第一接触孔位...
    2025-12-26
  • 改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法
    改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法_上海华力集成电路制造有限公司_202511140724.0
    本申请提供一种改善具有位错结构的半导体器件漏电的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成栅极结构；在栅极结构侧面形成第一侧墙后，在第一侧墙两侧的衬底中形成LDD区；在衬底的PMOS区形成锗硅层；在衬底的NMOS区形成非晶化区域；在NMOS区沉积...
    2025-12-26
  • 集成电路装置的制备方法
    集成电路装置的制备方法_北京大学_202511120299.9
    本申请公开了一种集成电路装置的制备方法，包括：提供基板，基板包括依次层叠设置的衬底、缓冲层、空穴俘获层、沟道层、势垒层以及空穴提供层；制备间隔窗口，各间隔窗口由空穴提供层延伸到势垒层且相邻两个间隔窗口之间形成半导体器件的栅控结构；制备隔离窗...
    2025-12-26
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_华为技术有限公司_202510751612.2
    在一些示例中，一种方法包括：在衬底上形成第一纳米片层叠层，在所述第一纳米片层叠层上形成第二纳米片层叠层，其中，所述第一叠层和所述第二叠层的所述纳米片层分别包括交替的硅层和硅锗层，其中，所述第一叠层的所述硅层具有第一厚度，所述第二叠层的所述硅...
    2025-12-26
  • 具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法
    具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202410708704.8
    本发明提供一种具有金属硅化物的半导体器件及其制造方法，在不影响器件特征尺寸和其他性能的前提下，通过对栅极结构侧壁上的侧墙的部分底部进行侧掏，扩大栅极结构外侧的衬底上的金属硅化物的形成面积和线宽，从而能够获得更小的金属硅化物电阻，减弱金属硅化...
    2025-12-26
  • 半导体器件的制作方法、半导体器件及电子设备
    半导体器件的制作方法、半导体器件及电子设备_华为技术有限公司_202410685521.9
    本申请提供了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及电子设备。制作方法包括：去除侧壁结构背离替代栅的部分以形成第二隔离层，层间介电结构背对替代栅的部分伸出第二隔离层。以层间介电结构为掩模版形成第二半导体层，第二半导体层位于层间介电结构的内侧。...
    2025-12-26
  • 二极管功率器件及其制备方法
    二极管功率器件及其制备方法_珠海格力电子元器件有限公司_202511585962.2
    本申请公开了一种二极管功率器件及其制备方法。该二极管功率器件包括：基底，包括层叠的衬底和外延层，外延层具有第一表面以及由第一表面延伸至内部的多个沟槽；注入区，包括位于外延层中的表层注入区和多个反型区，表层注入区为外延层中通过对部分第一表面进...
    2025-12-26
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