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最新专利技术
  • 一种氧化镓基鳍式日盲紫外光电晶体管及其制备方法
    一种氧化镓基鳍式日盲紫外光电晶体管及其制备方法_中国科学院长春光学精密机械与物理研究所_202511756530.3
    本发明涉及半导体光电子器件技术领域，尤其涉及一种氧化镓基鳍式日盲紫外光电晶体管及其制备方法。包括：衬底；设置于衬底上的Ga2O3薄膜；周期性鳍式沟道结构位于Ga2O3薄膜的区域内，由刻蚀工艺形成，单个鳍宽度与相邻鳍之间的间隔相同，鳍高度等于...
    2026-04-18
  • 固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法
    固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法_乾元国家实验室_202610243442.1
    本发明提供了一种固态微波功率器件的光电协同调控系统及方法，涉及微电子技术领域，氮化镓高电子迁移率晶体管芯片用于在栅极电场调制下产生微波信号；紫外光源用于为向氮化镓高电子迁移率晶体管芯片发射紫外光，发射的光子能量小于势垒层的禁带宽度，且大于或...
    2026-04-18
  • 一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器
    一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器_苏州镓敏光电科技有限公司_202511977543.3
    本发明提供了一种复合膜层结构的宽禁带半导体极紫外探测器，属于半导体紫外光电探测器件技术领域。包括自下而上设置的欧姆接触电极、宽禁带半导体衬底层、n型4H‑SiC重掺杂层和低掺杂4H‑SiC光子吸收层，所述低掺杂4H‑SiC光子吸收层上设置有...
    2026-04-18
  • 一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法
    一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法_希烽光电科技(南京)有限公司_202512017472.9
    本发明公开了一种波导型锗硅雪崩光电二极管及其制备方法，波导型锗硅雪崩光电二极管包括衬底、光传输区和谐振探测区，光传输区和谐振探测区均位于衬底的顶部硅Si层上；光传输区包括入射波导结构、入射层间转换结构、谐振硅Si波导结构、出射层间转换结构和...
    2026-04-18
  • 一种基于半导体纳米线阵列的电调制双色探测器、制作方法及应用
    一种基于半导体纳米线阵列的电调制双色探测器、制作方法及应用_中国科学院上海技术物理研究所_202512022021.4
    本发明公开了一种基于半导体纳米线阵列的电调制双色探测器、制作方法及应用，在GaAs衬底上外延生长一层重掺杂的n型GaAs缓冲层，在缓冲层表面沉积一层金薄膜并做退火处理，然后在样品上生长垂直的GaAs纳米线阵列。使用BCB聚合物填充在垂直排列...
    2026-04-18
  • 光伏组件
    光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202610221910.5
    本申请涉及太阳能电池技术领域，特别是涉及光伏组件。在本申请实施例中，细栅组包括与汇流件重叠的第一部分，以及除第一部分外的第二部分。通过将第一部分沿第二表面侧指向第一表面侧的方向的尺寸配置为，小于第二部分沿第二表面侧指向第一表面侧的方向的尺寸...
    2026-04-18
  • 一种光伏组件及其制作方法
    一种光伏组件及其制作方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511764946.X
    本申请涉及一种光伏组件及其制作方法，光伏组件包括依次层叠的前板、第一胶膜层、电池片层、第二胶膜层和背板，电池片层包括多个相互平行排列的电池串，相邻电池串之间存在间隙；相邻两组电池串之间设有阻隔件；阻隔件包括阻隔长条，阻隔长条上沿其长度方向间...
    2026-04-18
  • 一种光伏组件、制作设备及其制作方法
    一种光伏组件、制作设备及其制作方法_晶澳(扬州)新能源有限公司_202511764941.7
    本申请涉及一种光伏组件、制作设备及其制作方法，方法，包括：提供隔离条材料；对隔离条材料进行裁切或激光切割得到多个阻隔条；提供光伏电池组；制备多组带有隔离条的电池串，在相邻两组电池串对插设置时，一个电池串中电池片一端伸出的隔离条连接于相邻电池...
    2026-04-18
  • 一种阳台用带边框的柔性光伏组件及其层压结构
    一种阳台用带边框的柔性光伏组件及其层压结构_中节能太阳能科技(镇江)有限公司_202512002751.8
    本发明公开了一种阳台用带边框的柔性光伏组件及其层压结构，属于光伏组件技术领域，所述组件包括柔性层压件和带安装孔的铝边框，两者通过密封胶粘接，所述层压件从受光面至背面依次层叠有：含基材层和阻水层的透明前板、第一层POE胶膜、前板预浸料、第二层...
    2026-04-18
  • 一种太阳能光伏光电玻璃的制作方法
    一种太阳能光伏光电玻璃的制作方法_福建通慧光电有限公司_202512022669.1
    本发明公开了一种太阳能光伏光电玻璃的制作方法，包括如下步骤：夹胶合片和组装接线端，夹胶合片用于将光电玻璃LED电路与透光叠层牢固粘连在；组装接线端用于连接外部光电电控显示系统和光伏逆变储能设备。区别于单个光伏玻璃或光电显示玻璃，本发明将光电...
    2026-04-18
  • 一种用于低轨卫星的柔性砷化镓电池组件及其封装方法
    一种用于低轨卫星的柔性砷化镓电池组件及其封装方法_扬州大学_202511986299.7
    本发明涉及空间电源技术领域，尤其涉及用于低轨卫星的柔性砷化镓电池组件及其封装方法，自上而下依次为：柔性玻璃盖片；第一层改性聚酰亚胺薄膜；透明防静电涂层；柔性砷化镓电池芯片阵列；第二层改性聚酰亚胺薄膜；柔性金属衬底；其中，各层之间通过胶粘剂压...
    2026-04-18
  • 一种太阳能电池用封装胶膜及其制备方法和应用
    一种太阳能电池用封装胶膜及其制备方法和应用_苏州中来光伏新材股份有限公司_202511921289.5
    本发明涉及光伏封装材料技术领域，公开了一种太阳能电池用封装胶膜及其制备方法和应用。该封装胶膜为五层共挤结构，其包括从上至下依次设置的第一EVA层、第一粘合层、POE层、第二粘合层及第二EVA层；第一EVA层和第二EVA层均为MOF材料改性的...
    2026-04-18
  • 光伏玻璃及其制备方法和光伏组件
    光伏玻璃及其制备方法和光伏组件_隆基绿能科技股份有限公司西咸新区分公司_202511755768.4
    本申请公开了一种光伏玻璃及其制备方法和光伏组件，光伏玻璃包括玻璃基底，包括相对的第一侧和第二侧；玻璃增透层，位于玻璃基底的第一侧；沿背离玻璃基底的方向，玻璃增透层的孔隙率增大；闭孔层，包括若干纳米粒子，覆盖在玻璃增透层背离玻璃基底的一侧，纳...
    2026-04-18
  • 低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法
    低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法_上海积塔半导体有限公司_202511714969.X
    本发明提供了一种低触发高维持电压的可控硅静电防护器件及其制备方法。本发明通过在跨接第一N阱与第一P阱之间的第三N+注入区下方通过离子注入的形式增加一层P型注入区，将雪崩击穿面转移到第三N+注入区与P型注入区，从而降低器件的触发电压；通过引入...
    2026-04-18
  • 具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置
    具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置_德州仪器公司_202511319321.2
    本公开是针对具有用于ESD保护的多个环的PMOS装置。举例来说，半导体装置[600]包含p型场效应晶体管，所述p型场效应晶体管包括栅极[G]、连接到上部电源端子[606]的源极区[S]和连接到输出端子[607]的漏极区[D]。所述源极区为形...
    2026-04-18
  • 具有跨势垒ESD保护的半导体装置
    具有跨势垒ESD保护的半导体装置_德州仪器公司_202511317881.4
    本公开涉及一种具有跨势垒ESD保护的半导体装置。一种半导体装置(200A)包含被配置成处理IEC电流的跨势垒ATB ESD保护电路系统。在一个实例中，所述半导体装置(200A)包括电路(202A)，所述电路包含：第一端口(265‑1)和第二...
    2026-04-18
  • 静电放电防护结构以及静电放电防护电路
    静电放电防护结构以及静电放电防护电路_华邦电子股份有限公司_202411575703.7
    本发明提供一种静电放电防护结构以及静电放电防护电路。静电放电防护结构包括基底、硅穿孔、内衬氧化层、第一重掺杂区以及第二重掺杂区。基底耦接至一第一电压轨线。硅穿孔形成在基底中。内衬氧化层环绕硅穿孔的侧表面。第一重掺杂区形成在基底中，并接触内衬...
    2026-04-18
  • 半导体布局图案以及射频电路布局图案
    半导体布局图案以及射频电路布局图案_联华电子股份有限公司_202411420114.1
    本发明公开一种半导体布局图案以及射频电路布局图案，其中半导体布局图案包含一基底，基底上定义有一主动区，多个栅极结构位于主动区内，多个掺杂区，位于主动区内，其中主动区内所包含的些多个栅极结构以及多个掺杂区组成一第一放大器与一第二放大器，第一放...
    2026-04-18
  • 一种电荷泵单元电路的版图结构和半导体器件
    一种电荷泵单元电路的版图结构和半导体器件_杭州海康威视数字技术股份有限公司_202411358451.2
    本申请提供一种电荷泵单元电路的版图结构及半导体器件，包括：交叉耦合区，该交叉耦合区包括第一工作区，包括第一沟道类型的第一MOS管和第二MOS管；第二工作区，包括第二沟道类型的第三MOS管和第四MOS管，第一MOS管和第二MOS管与第三MOS...
    2026-04-18
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_武汉天马微电子有限公司_202511831825.2
    本申请涉及一种显示面板及显示装置，显示面板，包括：第一晶体管，包括第一有源层、第一绝缘层以及第一栅极，第一有源层、第一绝缘层以及第一栅极依次设置；第二晶体管，包括第二有源层、第二绝缘层以及第二栅极，第二有源层、第二绝缘层以及第二栅极依次设置...
    2026-04-18
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