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最新专利技术
  • 进气装置、进气系统、进气控制方法和碳化硅外延炉
    进气装置、进气系统、进气控制方法和碳化硅外延炉_北京天科合达半导体股份有限公司_202610110613.3
    本申请公开了一种进气装置、进气系统、进气控制方法和碳化硅外延炉，进气装置包括：进气腔，进气腔至少为两个且沿第一方向层叠分布；相邻两个进气腔隔离设置，进气腔包括至少三个进气部，至少三个进气部沿第二方向依次分布，相邻两个进气部隔离设置，每个进气...
    2026-04-23
  • 一种衬底承载组件
    一种衬底承载组件_南昌大学_202511835596.1
    本发明提供一种衬底承载组件，包括石墨盘，石墨盘上设有均匀分布的圆形凹槽，圆形凹槽用于放置衬底；石墨盘的上表面为中间下凹的对称曲面，自边缘向中心高度逐渐降低，石墨盘中心为上表面的最低处；石英环, 用于支撑石墨盘；石墨盘与石英环通过匹配的装配锥...
    2026-04-23
  • 外延腔体内预加热环清洗方法以及外延装置
    外延腔体内预加热环清洗方法以及外延装置_上海超硅半导体股份有限公司_202511894684.9
    本发明提供一种外延腔体内预加热环清洗方法以及外延装置，能够避免预加热环上相应的紊流位置出现覆盖层。所述方法包括第一循环与第二循环；所述第一循环和第二循环各自均包括生长过程与清洗过程；在第一循环内，基座在生长过程和清洗过程中在 XY 平面内分...
    2026-04-23
  • 一种1~2 μm波段的InAs/InP量子点材料及其制备方法与应用
    一种1~2 μm波段的InAs/InP量子点材料及其制备方法与应用_长春理工大学_202610022416.6
    本申请涉及低维半导体量子点材料与器件技术领域，特别涉及一种1~2μm波段的InAs/InP量子点材料及其制备方法与应用，该制备方法包括以下步骤：首先，在外延生长装置中，对InP衬底进行原位退火处理；然后，在InP衬底上沉积InP缓冲层；在I...
    2026-04-23
  • 一种半导体生产用外延片的自动化处理方法及系统
    一种半导体生产用外延片的自动化处理方法及系统_浙江丽水中欣晶圆半导体科技有限公司_202610076281.1
    本申请涉及外延片生产技术领域，公开了一种半导体生产用外延片的自动化处理方法及系统。方法包括：对代表晶圆执行离子注入与再结晶热处理，并在其正、背面分别制作用于定位与应力引导的第一、第二标记。将标记晶圆依次放置于外延生长装置基座上的多个不同位置...
    2026-04-23
  • 氧化物复合涂层刀具及其制备方法
    氧化物复合涂层刀具及其制备方法_株洲钻石切削刀具股份有限公司_202610001926.5
    本发明公开了一种氧化物复合涂层刀具及其制备方法，该氧化物复合涂层刀具包括刀具基体和沉积于刀具基体上的氧化物复合涂层，氧化物复合涂层是以“(Cr1‑ySiy)(N1‑zOz)层到(Cr1‑bSib)(N1‑aOa)层到(Cr1‑xAlx)2O...
    2026-04-23
  • 一种晶体生长坩埚
    一种晶体生长坩埚_北京天科合达半导体股份有限公司_202610234262.7
    本申请公开了一种晶体生长坩埚，涉及晶体生长技术领域，该晶体生长坩埚包括底部和环绕底部的环形侧壁，环形侧壁包括相连接的第一环形侧壁区和第二环形侧壁区，第一环形侧壁区与底部连接，构成原料区；第二环形侧壁区位于第一环形侧壁区背离底部的一侧，第二环...
    2026-04-23
  • 一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置
    一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202610199811.1
    本发明提供了一种碳化硅籽晶及碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅晶体生长技术领域。该碳化硅籽晶包括：碳面；碳面包括第一生长面以及第二生长面；第二生长面覆盖碳化硅籽晶的小面；碳化硅籽晶包括第一部分和第二部分，第一部分的碳面为第一生长面，第二部分的碳...
    2026-04-23
  • 带温梯金属浴晶体生长装置及方法
    带温梯金属浴晶体生长装置及方法_成都中微晶体材料有限公司_202610120258.8
    本发明提供了一种带温梯金属浴晶体生长装置及方法，涉及半导体技术领域。本带温梯金属浴晶体生长装置及方法通过金属浴方式加热坩埚进行长晶，可以制备内应力小，质量高的晶体。同时，通过设置第一限流块和第二限流块，在晶体生长区域形成边缘温度略高于中心温...
    2026-04-23
  • 一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法
    一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法_湖州东尼半导体科技有限公司_202610051384.2
    本发明涉及一种基于梯度粒径分相输送的碳化硅长晶原料处理方法，属于半导体材料制备技术领域。该原料处理方法，采用两种或两种以上不同规格的碳化硅原料，在碳化硅长晶设备的原料承载容器内铺设形成具有粒径梯度分布的多层结构。本发明通过梯度化原料设计，实...
    2026-04-23
  • P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件
    P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件_甬江实验室_202511875271.6
    本申请公开了P型碳化硅衬底及其制备方法和半导体器件，属于碳化硅衬底制备技术领域。以P型碳化硅晶体为原料，采用物理气相传输法在4H‑SiC籽晶的硅面上生长P型碳化硅衬底，其中，P型碳化硅晶体的粒径≥5mm。P型碳化硅晶体的粒径较大，大颗粒能够...
    2026-04-23
  • 一种降低石榴石膜磁各向异性的方法
    一种降低石榴石膜磁各向异性的方法_电子科技大学_202610073941.0
    一种降低石榴石膜磁各向异性的方法，属于液相外延单晶制备技术领域。本发明通过掺入Pr离子作为轻稀土离子，其4f电子云空间分布与主族离子Bi³+显著不同。当Pr³+部分取代十二面体上的Tb3+时，它引入的磁晶各向异性常数本身较小，且符号可能不同...
    2026-04-23
  • 提升液相外延碲镉汞薄膜表面质量和均匀性的装置及方法
    提升液相外延碲镉汞薄膜表面质量和均匀性的装置及方法_昆明物理研究所_202610067557.X
    本发明提供了一种提升液相外延碲镉汞薄膜表面质量和均匀性的装置及方法，该装置包括长杆、螺旋搅拌结构、衬底支撑结构等部分，螺旋搅拌结构和衬底支撑结构通过长杆实现相互连接及固定。外延生长过程中，可通过控制螺旋搅拌结构的旋转，使螺旋桨叶旋转搅动熔融...
    2026-04-23
  • 一种对羟基苯甲酸乙酯单晶的溶液法制备与X射线探测应用
    一种对羟基苯甲酸乙酯单晶的溶液法制备与X射线探测应用_西北工业大学_202512000407.5
    本发明公开了一种对羟基苯甲酸乙酯单晶的溶液法制备与X射线探测应用，涉及有机晶体技术领域。所述方法包括将对羟基苯甲酸乙酯粉末溶解于丙酮中，再加入石油醚形成混合溶液，随后经溶液挥发，得到籽晶；将籽晶置于丙酮溶液中，并置于密封容器中，于0~5℃条...
    2026-04-23
  • 一种基于改进后的氧化镓籽晶的晶体生长方法
    一种基于改进后的氧化镓籽晶的晶体生长方法_北京铭镓半导体有限公司_202610304600.X
    本发明公开了一种基于改进后的氧化镓籽晶的晶体生长方法，属于晶体生长技术领域。该方法包括：在坩埚内形成氧化镓熔体并输送至模具生长面；使内部设有第一仓体的氧化镓籽晶与熔体接触熔接；熔接完成后不进行引晶，直接进入放肩前期，通过使进入第一仓体的挥发...
    2026-04-23
  • 一种用于导模法生长厚片高导电氧化镓单晶的模具及其单晶生长方法
    一种用于导模法生长厚片高导电氧化镓单晶的模具及其单晶生长方法_同济大学_202610126409.0
    本发明涉及一种用于导模法生长厚片高导电氧化镓单晶的模具及其单晶生长方法，从而得到大尺寸、高质量的高导电β‑Ga2O3单晶衬底。本发明通过将每块隔板的顶端形状设计为向下弯曲的圆弧，减小模具长度方向上中心和两端的传导热通量和辐射热通量差距，从而...
    2026-04-23
  • 单晶放肩工序基于直径速率预测的最优拉速控制方法、设备和存储介质
    单晶放肩工序基于直径速率预测的最优拉速控制方法、设备和存储介质_无锡唯因特数据技术有限公司_202610003830.2
    本发明提供一种单晶放肩工序基于直径速率预测的最优拉速控制方法、设备和存储介质；最优拉速控制方法应用于单晶炉中单晶放肩工序中对拉速的控制，所述方法包括：获取多根单晶在放肩工序的关键工艺参数历史数据和单晶生长标签；基于关键工艺参数历史数据和单晶...
    2026-04-23
  • 直拉单晶过程的控制方法、装置、设备和介质
    直拉单晶过程的控制方法、装置、设备和介质_隆基绿能科技股份有限公司_202511870246.9
    本申请公开了一种直拉单晶过程的控制方法、装置、设备及介质，属于直拉单晶领域。通过获取直拉单晶过程中的观测变量，包括亮环外圈半径、熔体质量和液口距。随后基于状态空间模型，根据观测变量，对直拉单晶过程的内部状态进行估计，得到估计变量，包括估计晶...
    2026-04-23
  • 功率控制方法、装置、电子设备和可读存储介质
    功率控制方法、装置、电子设备和可读存储介质_隆基绿能科技股份有限公司_202511596098.6
    本申请公开了一种功率控制方法、功率控制装置、电子设备及存储介质，属于直拉单晶领域。通过在直拉单晶过程中，获取晶体的实际生长速率，坩埚内熔液的物料质量和热场组件的组件质量。然后根据实际生长速率，物料质量和组件质量，确定实际生长速率对应的实际热...
    2026-04-23
  • 一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置
    一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置_杭州中欣晶圆半导体股份有限公司_202512020705.0
    本发明涉及晶圆制造设备技术领域，尤其是一种提高重掺红磷单晶成晶率的热屏辐射装置，包括支撑环、安装在支撑环顶部的上部断热材，以及安装在支撑环底部的外热屏组件；所述外热屏组件包括热屏外罩、热屏内罩，内外罩均为环状结构且相互连接，中间形成一个腔体...
    2026-04-23
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