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  • 本发明涉及开关柜框架技术领域,尤其涉及一种可拆解装配的开关柜框架。技术方案:一种可拆解装配的开关柜框架包括有转角竖柱、第一横梁、第二横梁、顶盖板、台板与底座;为四组呈矩形阵列设置的转角竖柱,可以用于快速定位安装,与底座配合安装,形成快初步装...
  • 实现制造的稳定性优异的高输出的发光装置。发光装置具备:多个发光元件,其包含第一发光元件、多个第二发光元件以及多个第三发光元件;基体,其具有第一至第四配线部、在俯视观察下设于第一至第四配线部中的两个配线部之间的安装面;多条配线,其将多个发光元...
  • 本发明公开了半导体激光器领域的基于钙钛矿微米片的低阈值可调微白光激光器及制备方法。该基于钙钛矿微米片的低阈值可调微白光激光器包括增益介质,所述增益介质为Erx : CsPbyClaBrbIc微米片,其中,x+y=1,a+b+c=3且x, y...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种面向量子陀螺的半导体激光器及其制备方法,面向量子陀螺的半导体激光器包括:堆叠结构,所述堆叠结构包括沿第一方向依次堆叠的N型衬底、N型包层、N型波导层、有源区、第一P型波导层以及波导结构,所述波导结构包括...
  • 本发明涉及激光器技术领域,尤其涉及一种半导体激光器及其设计方法,半导体激光器包括:衬底;位于衬底上的第一电极和堆叠结构,第一电极环绕堆叠结构,堆叠结构包括第一DBR层、第二DBR层、有源区以及第三DBR层,第三DBR层包括依次层叠的第一部分...
  • 本公开一种提供垂直腔面发射激光器及其制备方法,涉及半导体光电子器件技术领域。一种垂直腔面发射激光器包括:表面闪耀光栅,用于将衍射主极大零级与干涉主极大零级分开,以实现单光束出射;表面浮雕结构,设置于表面闪耀光栅上远离单光束出射的表面,用于抑...
  • 本申请实施例提供了一种高速调制分布反馈激光器芯片及其制备方法,制备方法包括:在初始晶圆的接触面的预设区域,进行第一减材处理形成第一脊波导,得到第一晶圆;在第一脊波导的接触面设置第一金属件,得到第二晶圆;对第一脊波导进行第二减材处理形成第二脊...
  • 本申请提供了一种半导体激光器及其制备方法,包括衬底,以及形成于衬底上的外延堆叠层。通过在外延堆叠层上刻蚀形成一对显露外延堆叠层中氧化层的沟槽,并通过沟槽实现对氧化层不同区域的选择性氧化,以在氧化层内形成位于沟槽之间的第一氧化区及之外的第二氧...
  • 本发明涉及光束控制领域,尤其涉及一种VCSEL光源的光束准直控制方法及系统。该方法包括以下步骤:检测VCSEL光源的初始出射光束,进行周期性追踪采样,确定光束结构响应特征;根据光束结构响应特征进行逐个区域偏移计算,得到不同分区的偏移补偿参数...
  • 本发明提出了一种基于光触发开关的单片集成微波辐射系统及其制备方法,属于高功率微波技术领域。系统包括键合连接的驱动晶圆与器件晶圆。器件晶圆以立方氮化硼或六方氮化硼为衬底,在其上集成由二维材料功能层与衬底形成的异质结光触发开关、单片微波集成电路...
  • 本发明公开一种线宽可调激光器及使用方法,包括近蝶形封装、驱动电路、模拟电路以及供电接口;所述近蝶形封装内部包括激光芯片、电光调制晶体和第一空间光耦合镜组,所述近蝶形封装外部包括通信接口、驱动针脚和输出光纤;所述驱动电路用于给激光芯片提供正常...
  • 本发明提供了一种泡沫铜表面改性的石墨烯/AlN高导热基板制备方法。一、选择石墨烯/AlN高导热基板与泡沫铜材料支撑体,其中石墨烯/AlN高导热基板直径为25 mm、厚度为0.5 mm的圆片,海绵铜材料、钎料与基板尺寸相匹配。将AlN/石墨烯...
  • 本发明涉及半导体激光器制备技术领域,公开了一种新型手持高功率光锥一体半导体激光器及其制备方法,该激光器包括上下堆叠的热沉一和热沉二,两者分别贴装芯片及电极,通过绝缘垫片及折弯电极片构成背靠背的串联结构,并利用螺钉配合绝缘端子实现机械锁紧。前...
  • 本发明公开了一种用于阵列量子级联激光器散热的复合冷却装置,包括:冷却液进出口部件、射流孔板和微通道换热基板;其中,阵列量子级联激光芯片安装在所述微通道换热基板的一个表面;所述微通道换热基板的另一表面安装在射流孔板上;所述射流孔板安装在冷却液...
  • 本申请提供一种一种光学芯片封装模组、光学模块和激光雷达,该光学芯片封装方案包括:设置有光学区域和非光学区域的基板;固定在所述基板的光学区域内的光学芯片;固定在所述基板上、用于将所述光学区域和所述非光学区域隔离开的隔挡件,以将所述光学区域内的...
  • 本发明涉及一种具有自由聚焦功能的激光雷达装置及其制造方法。所述具有自由聚焦功能的激光雷达装置包括:基板;发光芯片,贴装于基板的正面上,用于发射激光信号;变焦透镜组件,安装于基板的正面上,发光芯片位于变焦透镜组件与基板围合形成的封装腔室内,变...
  • 本发明提供了一种60KW大功率单模半导体激光器,包括N铝电极壳,所述N铝电极壳的内侧壁底部设有GaN衬底,所述GaN衬底的上表面设有n—ALGaN层,所述n—ALGaN层的上表面设有第一GaN层,所述第一GaN层的上表面设有INGANact...
  • 本发明属于激光技术领域,公开了一种二维结构的相干、光谱复合合成装置,其包括沿光路方向依次布置的激光子束组(1)、相干合成元件(2)、光学转换装置(3)和介质膜光栅(4);激光子束组(1)发出m行×n列激光子束至相干合成元件(2),合成为1行...
  • 本发明公开了一种光频自稳定的高重复频率光学频率梳产生装置,包括被动锁模光纤激光器和法布里珀罗超稳腔,两者之间通过共用部分空间光路嵌套耦合。本发明突破了与传统锁模激光器限制于谐振腔物理尺寸重复频率难以提升的困局,实现对不同类型的锁模激光器输出...
  • 本发明涉及激光技术领域,公开了一种高功率黄绿激光生成方法,通过第一种子源生成泵浦光,第二种子源生信号光;所述泵浦光与信号光经第一波分复用器混合后,在合束器中与第一泵浦源的光合束,再经第一掺镱光纤功率放大得到高功率激光;经准直器准直、第一分色...
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