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  • 本发明公开了一种多靶材切换式磁控溅射镀膜设备,属于镀膜设备技术领域,通过转辊两侧V字型斜槽同步运转,顶升组件活动筒内壁的滑柱沿斜槽轨迹滑动,滑柱至斜槽最高点时,驱动活动筒向上顶升,顶头推动对应限位筒沿切换转盘上移,使其顶端贯穿隔离筒及镀膜箱...
  • 本申请涉及多功能装饰材料制造的领域,尤其是涉及一种色彩渐变材料的磁控溅射镀膜工艺,具体包括以下步骤,基材预处理;将钛作为靶材且将氮气和氧气作为反应气体在基材表面进行氮氧化钛的沉积,以获得基布;基布后处理;其中,S3的靶材为钛,氩气流量为20...
  • 本发明涉及硼中子俘获治疗领域,公开了一种提高加速器中子源靶冷却系统防腐蚀性的方法,包括:1)利用激光打标处理在加速器中子源靶冷却系统的铜基底的非靶材层所在表面形成呈周期性微米级波纹状的氧化膜;2)利用磁控溅射在氧化膜表面生长呈体心立方结构的...
  • 本发明公开了一种多靶位沉积的控制方法、系统、介质及设备,包括:获取基片与多个靶位之间的角度参数;调节腔体内的环境参数符合预设标准;基于角度参数和预设的控制策略,分别对多个靶位施加电场,叠加形成均匀的复合电场,使基片位于复合电场内;通过电场使...
  • 本发明公开了一种等离子体与激光循环协同的靶材表面处理方法及装置,包括提供靶材,且靶材表面无大面积松散附着物;对靶材表面以第一预设参数进行等离子体清洁,且持续预设时间;对经等离子体清洁的靶材表面以第二预设参数进行激光扫描处理;至少进行一次等离...
  • 本发明公开了一种快速退火增强PZT薄膜压电性能的方法,包括以下步骤:1)在磁控溅射设备的溅射腔室的真空环境下,让PZT靶材在已加热到设定温度的衬底上沉积晶体结构的PZT薄膜;2)将PZT薄膜从磁控溅射设备的溅射腔室取出后放入快速退火炉的炉膛...
  • 本发明涉及非晶合金力学和磁学耦合技术领域,且公开了高通量监测制备具有高韧塑性和优异磁性能的铁基非晶合金的方法,包括以下步骤:高通量制备、并行化高通量检测、性能关联与成分锁定和根据目标成分区域的成分数据。本发明不仅极大提升了铁基非晶合金的研发...
  • 本发明公开了一种数控机床用主轴的表面涂层工艺,涉及数控机床主轴涂层技术领域,包括以下步骤:主轴软质喷砂,将主轴固定在喷砂台上,采用0.2MPa低压喷砂3分钟,喷砂介质为改性淀粉微球,使用60℃去离子水清洗主轴表面,使用弹性聚氨酯夹具悬浮式固...
  • 本发明涉及真空处理技术领域,公开了一种靶材缓存装置及真空处理设备。该靶材缓存装置包括缓存腔室、隔离组件和运输机构;缓存腔室设置有大气隔离门;至少部分运输机构设于缓存腔室内;运输机构的驱动端可拆卸连接于靶材单元的一端,用于驱动靶材单元的另一端...
  • 本申请涉及材料制备及加工技术领域,提出一种导光板侧边反射膜制备方法及制备装置,该方法包括由沉积控制装置控制靶材组件在导光板的侧边依次沉积形成黏着层、过渡层、金属反射层及保护层;由超声波能量精整装置对导光板的侧边上的黏着层、过渡层、金属反射层...
  • 本公开是关于一种铝合金结构件及其制备方法、电子设备。该铝合金结构件,包括:铝合金基材;外观层,外观层设置于铝合金基材的待处理表面,外观层具有预设外观效果;待处理表面包括铝合金基材的至少一个表面。该铝合金结构件,在铝合金基材的待处理表面设有具...
  • 本发明提出了一种柔直电容器用金属化薄膜的蒸镀方法,涉及蒸镀技术领域,包括以下步骤:S1.前处理:将聚丙烯薄膜基材通过镀膜机的前处理装置进行表面处理,使其表面达到待蒸镀状态;S2.蒸镀区域限定:使经过前处理的聚丙烯薄膜通过特制的油屏系统下方,...
  • 本公开涉及沉积设备和制造电子装置的方法。沉积设备包括腔室,腔室具有内部空间和布置在内部空间中的沉积模块,沉积模块在第一方向上是可移动的,并且沉积模块包括第一沉积源、第二沉积源、第三沉积源、角限制板以及挡板,当在平面中观察时与第一沉积源重叠的...
  • 本发明属于薄膜技术领域,公开了一种锡基薄膜及其制备方法和应用。该锡基薄膜由锡基材料采用物理气相沉积法沉积而成,沉积的方式为梯度分步沉积,梯度分步沉积的次数n≥2,且梯度分步沉积的工艺参数满足以下关系式:当n=2时,首次载板移动速度>最后一次...
  • 本发明适用于石英晶片表面处理技术领域,提供了一种石英晶片高压氮气离子束技术表面处理方法,包括以下步骤:S1:获取高压氮气离子束处理石英晶片过程中的工艺腔室状态参数、离子束质量参数、石英晶片状态参数;S2:基于步骤S1中获取的各项参数分别构建...
  • 本发明属于核燃料包壳材料表面工程领域,具体涉及一种梯度结构防护涂层及其制备方法与应用。本发明通过依次沉积Cr层、Cr‑Al‑Si层与Cr‑Al‑Si‑N层,构建成分与致密度呈梯度过渡的三层结构,有效避免层间应力集中,提升结合力与韧性。其中,...
  • 本发明涉及一种多孔材料的制备方法及制备装置,属于功能性金属材料加工与微结构调控技术领域。所述方法包括:构建Fe3O4@SiO2核壳纳米棒模板,并接枝甲基丙烯酸酯化β‑环糊精‑冠醚嵌段物以负载金属离子;将该纳米棒在旋转磁场中分散于光聚合预聚液...
  • 本发明涉及一种基于ZnO固体薄膜的红光材料的制备方法,涉及微纳电子发光器件制造技术领域,包括以下步骤:S1衬底预处理;S2真空环境构建;S3工作气体引入;S4薄膜沉积;S5样品取出;S6一次退火;S7二次退火;S8成品获取。该基于ZnO固体...
  • 本发明公开了一种通过掺杂提高光学薄膜特性的方法,属于薄膜制备技术领域。该方法基于磁控溅射工艺,以氧化锌为靶材,氮气为掺杂源,在镀膜过程中采用“镀膜‑氩离子轰击”循环技术,周期性去除结合力弱的膜层,实现薄膜的逐层致密化生长。沉积完成后,在氮气...
  • 本发明公开了一种以Mo为缓冲层的ZnO窗口层薄膜的制备方法,属于薄膜制备技术领域。该方法依次包括基底预处理、Mo缓冲层磁控溅射沉积、ZnO窗口层射频磁控溅射沉积及退火后处理步骤;通过精准调控工艺参数,借助Mo与ZnO的特性实现晶格过渡匹配。...
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