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最新专利技术
  • 一种激光退火方法
    一种激光退火方法_上海芯上微装科技股份有限公司_202410231636.0
    本发明提供了一种激光退火方法，应用于激光退火领域。在所述激光退火方法中，可根据晶圆上的缺口以及保护区域的位置信息，为处于激光扫描路径的不同位置处的缺口和保护区域，分别制定一套基于直线(或弧形)扫描方式的且均不会对晶圆上的所述缺口或保护区域所...
    2025-09-20
  • 钠电正极材料及其制备方法、前驱体和应用
    钠电正极材料及其制备方法、前驱体和应用_华为技术有限公司_202410234500.5
    本申请实施例提供了一种钠电正极材料及其制备方法、前驱体和应用。该钠电正极材料包括钠基金属氧化物，该材料的X射线衍射谱图中包含以下12种晶面的衍射峰：(003)、(006)、(101)、(012)、(104)、(107)、(018)、(110...
    2025-09-20
  • 电池包及包括其的电动车辆
    电池包及包括其的电动车辆_奥动新能源股份有限公司_202410230996.9
    本发明公开了一种电池包及包括其的电动车辆，包括解锁件、电池本体、电池端连接器和管线，解锁件设在电池本体垂直于电动车辆行驶方向的侧边，解锁件用于与设在电动车辆上的锁止机构相配合，以解锁电池包；电池本体垂直于行驶方向的侧边设有连接部，电池端连接...
    2025-09-20
  • 电池包及包含其的电动车辆
    电池包及包含其的电动车辆_奥动新能源股份有限公司_202410230840.0
    本发明提供一种电池包及包含其的电动车辆，电池包包括电池本体、电池端连接器和管线，电池本体垂直于电动车辆行驶方向的侧边设有连接部，电池端连接器设在电池本体沿行驶方向的侧边，管线的两端分别连接于连接部和电池端连接器；当连接部与电池端连接器之间的...
    2025-09-20
  • 电池包及包含其的电动车辆
    电池包及包含其的电动车辆_奥动新能源股份有限公司_202410230979.5
    本发明提供一种电池包及包含其的电动车辆，电池包包括电池包本体和凸出腔室，凸出腔室设置于电池包本体朝向电动车辆的车梁的侧边，电池包设有电池端连接器，电池端连接器至少部分设于凸出腔室内；其中，电池端连接器包括电池端电连接器及其线束和/或电池端液...
    2025-09-20
  • 一种电池组件、检测方法及无人飞行器
    一种电池组件、检测方法及无人飞行器_深圳市博坦智能有限公司_202410228875.0
    本发明实施例涉及飞行器技术领域,尤其公开了一种电池组件，应用于无人飞行器的供电模组，供电模组包括电池仓，电池仓设置有收容腔和第一卡接结构，电池组件中第二卡接结构设于电池本体，第一卡接结构或第二卡接结构能弹性形变，当电池本体沿第一方向插入收容...
    2025-09-20
  • 电池包及电动车辆
    电池包及电动车辆_奥动新能源股份有限公司_202410230955.X
    本发明公开了一种电池包及电动车辆，电池包包括第一电芯部、第二电芯部和锁止部，第一电芯部叠设于第二电芯部的上方；在电池包的长度方向和宽度方向的至少一个方向上，第一电芯部的尺寸小于第二电芯部的尺寸，第一电芯部小于第二电芯部的位置形成安装空间；锁...
    2025-09-20
  • 天线阵列
    天线阵列_群迈通讯股份有限公司_202410229383.3
    本申请提供一种天线阵列，包括：至少一辐射模组及馈入模组，辐射模组包括辐射层及介质层，辐射层包括若干辐射体，每一辐射体用于辐射信号；馈入模组包括馈入层及耦合层，馈入层设置有若干第一馈入线和若干第二馈入线，形成若干馈入单元，馈入单元用于为对应的...
    2025-09-20
  • 连接器支架及包含其的电动车辆
    连接器支架及包含其的电动车辆_奥动新能源股份有限公司_202410231013.3
    本发明公开了一种连接器支架及包含其的电动车辆，属于电动车辆技术领域。连接器支架设于电动车辆上，连接器支架包括至少一个安装板，安装板设有车端连接器，用于和电池包上的电池端连接器对接；安装板朝向电池包的一侧还设有遮挡部，遮挡部位于车端连接器沿电...
    2025-09-20
  • 连接器组件及电动车辆
    连接器组件及电动车辆_奥动新能源股份有限公司_202410230880.5
    本发明公开了一种连接器组件及电动车辆，连接器组件包括车端连接器与电池端连接器，电池端连接器设于电池包上，电动车辆宽度方向的两侧均设有车端连接器；沿着电动车辆的宽度方向，电池端连接器与车端连接器对接并形成电连接和/或液冷连接；位于电动车辆一侧...
    2025-09-20
  • 电机、压缩机和制冷设备
    电机、压缩机和制冷设备_广东美芝制冷设备有限公司_202410230379.9
    本发明公开一种电机、压缩机和制冷设备，所述电机包括机壳和定子铁芯；所述定子铁芯设于所述机壳，所述定子铁芯的中部设有中心孔，所述定子铁芯包括轭部和沿所述轭部的内周分布的多个齿部，所述轭部的外周设有与所述齿部径向相对的焊接位，所述焊接位设有第一...
    2025-09-20
  • 通信方法及通信装置
    通信方法及通信装置_展讯半导体(南京)有限公司_202410232200.3
    本申请公开一种通信方法及通信装置，其中，该方法可包括：接收M个CG PUSCH配置；M为大于1的整数；发送UTO‑UCI；其中，该UTO‑UCI用于指示N个CG PUSCH配置中有效CG PUSCH传输时机的使用情况和/或未使用情况；该UT...
    2025-09-20
  • 一种频偏估计方法、终端设备及存储介质
    一种频偏估计方法、终端设备及存储介质_荣耀终端股份有限公司_202410234658.2
    本申请公开了一种频偏估计方法、终端设备及存储介质，涉及无线通信技术领域。该方法包括：获取连续的M个子帧信号中的第一时隙数据，并对第一时隙数据进行调制信息消除，得到对应的频谱数据；根据接收时间顺序，将对应的频谱数据两两分组，在每组频谱数据中添...
    2025-09-20
  • 自动对焦方法、电子设备、存储介质及程序产品
    自动对焦方法、电子设备、存储介质及程序产品_荣耀终端股份有限公司_202410232220.0
    本申请提供了一种自动对焦方法、电子设备、存储介质及程序产品，属于电子设备技术领域。所述方法包括：启动RGB图像传感器和深度图像传感器；RGB图像传感器对第N帧的RGB数据进行曝光处理，深度图像传感器对第N帧对应的深度数据进行处理；RGB图像...
    2025-09-20
  • 一种扬声器保护方法、电子设备及计算机可读存储介质
    一种扬声器保护方法、电子设备及计算机可读存储介质_荣耀终端股份有限公司_202410236242.4
    本申请提供一种扬声器保护方法、电子设备及计算机可读存储介质，涉及终端技术领域，该方法应用于包括功率放大器和扬声器的电子设备，功率放大器与扬声器连接。该扬声器保护方法具体包括以下过程：显示第一界面，第一界面包括用于触发启动扬声器播放音频数据的...
    2025-09-20
  • 一种通信方法及装置
    一种通信方法及装置_展讯半导体(南京)有限公司_202410233418.0
    本申请公开了一种通信方法及装置，其中，该方法包括：接收网络设备发送的第一下行链路控制信息DCI，第一DCI指示半静态调度SPS配置的物理下行链路共享信道PDSCH传输时机的使用情况。基于该方法，终端设备可以确定SPS配置的PDSCH传输时机...
    2025-09-20
  • 电子装置及终端设备
    电子装置及终端设备_深圳引望智能技术有限公司_202410232259.2
    电子装置及终端设备。该电子装置包括第一壳体、中间部件和第二壳体；该第一壳体和该第二壳体固定连接；该中间部件固定于该第一壳体和该第二壳体形成的空腔内；该第一壳体包括外表面和内表面，该内表面为朝向该中间部件的一侧表面，该外表面为与该内表面的朝向...
    2025-09-20
  • 半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电源转换电路、电子设备
    半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电源转换电路、电子设备_华为技术有限公司_202410236083.8
    本申请实施例公开一种半导体器件及其制备方法、功率开关器件、电子设备，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、栅帽层、第一钝化层、第二钝化层、源极和漏极。衬底具有第一表面。沟道层、势垒层、栅帽层依次层叠设置在第一表面上。第一...
    2025-09-20
  • 一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备
    一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备_华为技术有限公司_202410234579.1
    本申请提供一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备，半导体器件包括沟道层、沟道层上方的介质层、位于沟道层和介质层的相对两侧的源极区和漏极区、以及金属栅结构，介质层包括环形的第一介质区和位于第一介质区的相对两侧的第二介质区，金属栅结构包裹...
    2025-09-20
  • 一种沟槽栅MOS器件及其制备方法
    一种沟槽栅MOS器件及其制备方法_华润微电子(重庆)有限公司_202410231919.5
    本发明提供一种沟槽栅MOS器件及其制备方法，该沟槽栅MOS器件包括半导体结构、体区、源区、第一沟槽结构、第二沟槽结构、源极、栅极及漏极，其中，半导体结构包括层叠的缓冲层及漂移区；体区位于漂移区上表层；源区位于体区上表层；第一沟槽结构包括第一...
    2025-09-20
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