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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本发明公开了一种氮化物声表面波器件与场效应晶体管的单片集成电路,主要解决氮化物声表面波器件与场效应晶体管难外延集成的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、插入层、势垒层、压电铁电层。势垒层为钪铟铝镓氮材料,压电铁电层为连续外延单晶钪铝氮...
  • 本发明实施例公开了一种声表面波滤波器结构及其制备方法,包括:声表面波滤波器的阶梯型的叉指和反射栅结构;利用双光子聚合工艺制备该结构的工艺方法:第一掩膜版和第二掩膜版均包括镂空型的多个插指电极和反射栅;将所述第一掩膜版置于压电晶体表面进行对版...
  • 本申请涉及谐振器技术领域,特别涉及一种高频声波谐振器及其制备方法。本申请的高频声波谐振器包括依次堆叠设置的第一支撑衬底、反射层、压电膜和电极。其中,反射层是通过对基础材料体进行离子注入改性形成的;至少包括沿第一支撑衬底的厚度方向层叠设置的一...
  • 本申请公开了一种声表面波谐振器、滤波器及电子设备,该声表面波谐振器包括衬底、位于衬底一侧的压电层以及位于压电层背离衬底一侧的叉指换能器,衬底为硅晶体,硅晶体的晶面为(100)或(111);当硅晶体的晶面为(100)时,硅晶体对应的欧拉角为(...
  • 本申请提供了一种弹性波器件及模组,该弹性波器件包括支撑层、压电层、功能层以及IDT电极结构,IDT电极结构设置于压电层的上表面;压电层层叠于功能层的上部;功能层层叠于支撑层的上部;其中,IDT电极结构和所述压电层用于激发声速高于6000m/...
  • 本发明公开了一种基于耦合线的多频段射频功率放大器,包括:多通带滤波器型输入匹配网络、多频段栅极偏置电路、场效应晶体管、多频段漏极偏置电路和超宽带输出匹配网络;采用的多通带滤波器型输入匹配网络能够同时支持多个不同工作频率,极大的减小了电路面积...
  • 本发明提供一种体声波谐振器及其制备方法,制备方法包括:于临时衬底设置单晶氮化铝或掺杂氮化铝为压电薄膜;依次设置第一电极层、布拉格反射结构、键合层,键合至键合衬底上;去除临时衬底,设置第二电极层和电引出结构。本发明通过单晶氮化铝的压电薄膜材料...
  • 本申请涉及石英晶体元器件领域的一种AT石英晶振振动件结构、制备方法及石英晶振,包括:石英晶片,所述石英晶片沿其厚度方向的上下表面分别设有第一凹槽和第二凹槽;与所述第一凹槽底部一体成型的第一凸台和与所述第二凹槽底部一体成型的第二凸台,所述第一...
  • 本申请实施例提供一种声表面波谐振器、滤波器、射频前端模组、电子设备,涉及射频技术领域,用于提高对SAW滤波器中杂模的抑制效果。声表面波谐振器包括:衬底以及设置在衬底同一侧的低声速层、第一高声速层、压电层以及叉指电极。压电层的材料包括LiNb...
  • 本申请提供了一种电极、压电器件及其设计方法、压电滤波器、电子设备。压电器件包括:依次叠加的第一电极、压电层、第二电极、声学镜、基底;所述第一电极、所述压电层、所述第二电极、所述声学镜在叠加方向上的重叠区域构成所述压电器件的有效区域;所述有效...
  • 本申请公开了一种薄膜声表面波谐振器及滤波器,涉及半导体器件领域,通过在薄膜声表面波谐振器的至少一层介质层中插入至少一层中间层可提高插有中间层的介质层的物理强度,对于较薄的介质层而言,有较好的避免破裂的效果;而对于相对厚度较厚的介质层而言,该...
  • 本发明公开了一种加载电感集总元件的宽带频率可重构无反射滤波器,其中滤波主电路由串联电感的高阻抗结构与一端接地另一端加载变容管的耦合微带线连接而成,吸辅通道吸收电路主要由不等线宽耦合微带线构成。通过互补枝节同步调谐,使滤波主电路和辅通道吸收电...
  • 本发明涉及微机电系统MEMS领域,公布了一种具有低热弹性阻尼结构的鼓膜仿生微谐振器件,包括:谐振体,基底。谐振体四周边缘固定在基底上,形成固定约束。谐振体为鼓膜仿生结构,形状上近似于人体鼓膜。利用一阶贝塞尔函数获得谐振体的轮廓曲线,并给定一...
  • 本发明公开一种内嵌高精度时钟晶体层叠结构的芯片及其封装工艺,涉及芯片封装技术领域,包括:步骤一、芯片框架制备与第一封装芯片与第二封装芯片的集成;步骤二、低温等离子体TSV填充;步骤三、自对准激光键合;步骤四、纳米屏蔽与封装,在所述步骤一中,...
  • 本发明提出一种抑制横波的体声波谐振器及其制备方法,其中,体声波谐振器包括第二衬底、第一电极层、第一负载层、第二电极层、第二负载层、第一介质层以及夹在第一电极层和第二电极层之间的压电层,其中压电层包括至少一层压电薄膜或者由多层压电薄膜和/或铁...
  • 本发明提供了一种TF‑SAW谐振器及其制备方法、滤波器,涉及半导体技术领域。叉指电极包括活塞结构、子汇流条、金属凸块以及凹陷,活塞结构位于声学部分的两端,可以理解的是电极指条上声学部分的末端区域设置有活塞结构,通过改变该末端区域的声速来实现...
  • 本发明提供了一种TF‑SAW谐振器及其制备方法、滤波器,涉及半导体技术领域。叉指电极包括活塞结构、子汇流条以及金属凸块,活塞结构位于声学部分的两端,可以理解的是电极指条上声学部分的末端区域设置有活塞结构,通过改变该末端区域的声速来实现更大的...
  • 本发明公开了一种射频功率放大器的高效电源管理系统,涉及电源管理技术领域,包括:主控显示模块,用于实现液晶显示状态及参数的显示、设备增益的精确调节、数据通信和状态监控;电源模块,用于接收交流电源,处理形成稳定直流母线,通过多路DC‑DC转换器...
  • 本发明公开了一种具有谐波抑制功能的宽带负载调制平衡放大器,该功率放大器的特征在于使用了基于双传输线带通匹配电路。在目标设计频带上,该结构可实现对功率放大器最优复阻抗的宽带匹配,并且在二次和三次谐波频段内插入多个传输零点,达到抑制谐波的效果。...
  • 本申请公开一种带自检功能的低功耗晶振驱动电路,涉及电路领域,晶振电路包括可变增益驱动模块、整形模块、和频率自检模块;可变增益驱动模块的OSCI及OSCO端与晶振模块并联,用于控制晶振模块起振,以及根据频率自检模块的增益反馈信号调节驱动增益;...
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