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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 一种声表面波器件结构及装置
    一种声表面波器件结构及装置_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202510911529.7
    本申请提供了一种声表面波器件结构及装置，包括衬底，以及形成于衬底之上的压电层，压电层包括极化方向不同且周期性交替的第一区域和第二区域，IDT电极形成于压电层上，包括依次交错间隔且延伸并垂直贯穿第一区域和第二区域的第一电极指和第二电极指。本申...
    2025-10-02
  • 一种声表面波器件结构及装置
    一种声表面波器件结构及装置_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202510741805.X
    本申请提供了一种具有横模抑制效果的声表面波器件结构及装置，包括衬底，以及形成于衬底之上的IDT电极和第一功能层。IDT电极包括多个相互交错且间隔排列电极指。第一功能层包括多个相互间隔的功能指条，每个功能指条与每个电极指之间一一对应，并内嵌设...
    2025-10-02
  • 一种声表面波器件结构及装置
    一种声表面波器件结构及装置_左蓝微(江苏)电子技术有限公司_202510530540.9
    本申请提供了一种声表面波器件结构及装置，包括衬底，以及在衬底上依次层叠的多个谐振单元，每个谐振单元均包括一压电层，以及形成于压电层之上的IDT电极。多个谐振单元相当于在同一个衬底上实现了多个谐振器在垂直方向的集成，通过对每个谐振单元的结构参...
    2025-10-02
  • 多模式型滤波器、滤波器以及复用器
    多模式型滤波器、滤波器以及复用器_太阳诱电株式会社_202411838367.0
    本发明提供多模式型滤波器、滤波器以及复用器。多模式型滤波器能够扩大通带的带宽并且降低通带的损耗。多模式型滤波器具有：支承基板；压电层，其设置在支承基板上，厚度为3μm以下；一个或多个输入IDT，其设置在压电层上，具有层叠有第1层和密度比第1...
    2025-10-02
  • MEMS谐振器及其制备方法
    MEMS谐振器及其制备方法_麦斯塔微电子(深圳)有限公司_202511001643.2
    本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其制备方法，MEMS谐振器制备方法包括：形成一高掺杂的单晶硅掺杂层，以作为支撑基底；在所述单晶硅掺杂层上形成压电材料层；通过磁控溅射工艺，在具有第一目标压力的设备腔室中，以设定沉积速率在所...
    2025-10-02
  • MEMS谐振器及其复合制备方法
    MEMS谐振器及其复合制备方法_麦斯塔微电子(深圳)有限公司_202511001645.1
    本申请涉及谐振器技术领域，公开了一种MEMS谐振器及其复合制备方法，MEMS谐振器复合制备方法包括：形成一高掺杂的第一单晶硅层，以作为支撑基底；在第一单晶硅层上形成压电材料层；在压电材料层上以第一设定速率形成种子层，以及在种子层上以第二设定...
    2025-10-02
  • 一种体声波谐振器及其制备方法
    一种体声波谐振器及其制备方法_华景传感科技(无锡)有限公司_202510978221.4
    本发明公开了一种体声波谐振器及其制备方法。体声波谐振器包括：硅晶圆；二氧化硅层，位于硅晶圆的一侧；二氧化硅层设置有镂空结构；第一电极层；第一电极层、二氧化硅层的镂空结构和硅晶圆形成空腔结构；在第一电极层靠近硅晶圆的一侧设置有第一框架结构，第...
    2025-10-02
  • 一种谐振器的制造方法及谐振器
    一种谐振器的制造方法及谐振器_深圳新声半导体有限公司_202510323814.7
    本发明公开一种谐振器的制造方法及谐振器，包括：依次层叠制作第一电极层、压电层以及第二电极层；制作贯通第二电极层的第一孔并得到多个第二电极，压电层的部分表面于第一孔露出；压电层露出的表面上制作通槽并得到多个压电体，通槽位于两个第二电极之间；制...
    2025-10-02
  • 一种张弛振荡器、欠压保护电路和高压集成电路
    一种张弛振荡器、欠压保护电路和高压集成电路_黑龙江汇芯半导体有限公司_202411695728.0
    本发明涉及欠压保护技术领域，特别是一种张弛振荡器、欠压保护电路和高压集成电路；张弛振荡器当RS触发器RS3被触发时，第一充放电电路依次进入第一预充电区域、第一过渡充电区域、第一有效充电区域和第一放电区域时，第二充放电电路对应进入第二有效充电...
    2025-10-02
  • 弹性波滤波器及高频电路
    弹性波滤波器及高频电路_株式会社村田制作所_202411828454.8
    本发明提供一种弹性波滤波器及高频电路，能够在削减滤波器数量的同时抑制同时通信时的特性的劣化。滤波器（30）是具有包括第一频段的接收频带和第二频段的接收频带的通带的滤波器（30），具备输入端子（301及302）、输出端子（303）、包括共同端...
    2025-10-02
  • 薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器
    薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器_中芯集成电路(宁波)有限公司上海分公司_202010995766.3
    本发明涉及一种薄膜体声波谐振器、其制造方法及滤波器，其中，薄膜体声波谐振器包括：压电叠层结构，压电叠层结构包括依次从下至上叠置的第一电极、压电层和第二电极，第一电极、第二电极至少其中之一具有贯穿相应电极的环形沟槽；在设有环形沟槽的相应电极上...
    2025-10-02
  • 一种基于ITO透明电极的声表面波滤波器及其制备方法
    一种基于ITO透明电极的声表面波滤波器及其制备方法_北京航天微电科技有限公司_202510560980.9
    本发明涉及一种基于ITO透明电极的声表面波滤波器及其制备方法，基于ITO透明电极的声表面波滤波器包括压电基底，压电基底上设有叉指换能器和反射器，叉指换能器和反射器均采用ITO透明电极制成。本发明基于ITO透明电极的声表面波滤波器，采用ITO...
    2025-10-02
  • 包括检测器的设备
    包括检测器的设备_恩智浦有限公司_202510336099.0
    一种用于校准数字滤波器以复制信号处理装置的传递函数的设备包括检测器，所述检测器具有：用以接收第一信号的第一输入；用以接收所述信号处理装置对所述第一信号的响应信号的第二输入；信号修改块；比较块和抽取块，其中所述比较块在所述信号修改块已施加校正...
    2025-10-02
  • 一种基于树搜索的迭代检测译码方法
    一种基于树搜索的迭代检测译码方法_东南大学_202410943555.3
    本发明公开了一种基于树搜索的迭代检测译码方法，包括：初始化K‑Best检测器；通过FastSOL译码器获取到先验消息LA1(si)；通过K‑Best检测器执行含先验消息LA1...
    2025-10-02
  • 一种有源-电阻滤波器用截止频率可调放大器及应用方法
    一种有源-电阻滤波器用截止频率可调放大器及应用方法_北京理工大学_202510486685.3
    本发明涉及一种有源‑电阻滤波器用截止频率可调放大器，涉及模拟集成电路技术领域。有源‑电阻滤波器用截止频率可调放大器包括输入级电路与输出级电路，对信号进行放大；输入级共模反馈电路与输出级共模反馈电路，为输入级电路与输出级电路提供共模反馈；控制...
    2025-10-02
  • 一种正负压可调的绝缘栅双极型晶体管驱动电路
    一种正负压可调的绝缘栅双极型晶体管驱动电路_上海道之科技有限公司_202422834854.1
    本实用新型提供一种正负压可调的绝缘栅双极型晶体管驱动电路，包括：磁隔离模块，其输入端连接驱动信号，输出隔离驱动信号；第一调压模块，其输入端连接第一正电压，输出第一预设范围的第二正电压；第二调压模块，其输入端连接第一负电压，输出第二预设范围的...
    2025-10-02
  • 一种预放大级电路及微处理芯片
    一种预放大级电路及微处理芯片_成都极海科技有限公司_202510629001.0
    本申请实施例提供的一种预放大级电路及微处理芯片，包括：第一输入模块的第一端及第二输入模块的第一端均与第一电源电连接，第一输入模块的第二端与第一负载模块的第一端电连接，第二输入模块的第二端与第二负载模块的第一端电连接，第一负载模块的第二端及第...
    2025-10-02
  • 一种用于抑制磁悬浮转子振动的相移陷波器控制算法
    一种用于抑制磁悬浮转子振动的相移陷波器控制算法_麦克维尔空调制冷(武汉)有限公司_202410321216.1
    本发明提供了一种用于抑制磁悬浮转子振动的相移陷波器控制算法，通过在相移陷波器目标频率周围的特定频带中进行正弦波激振及频率扫描，计算不同相位角条件下的灵敏度函数增益，并最终判断不同相位角情况下的灵敏度函数增益值，求得目标频率条件下的相移陷波器...
    2025-10-02
  • 一种带有释放孔的声表面波器件
    一种带有释放孔的声表面波器件_中国电子科技集团公司第二十六研究所_202510727618.6
    本发明涉及信息电子材料技术、信息通讯、无线射频通讯领域，具体涉及一种带有释放孔的声表面波器件，包括将释放孔设置在叉指电极两侧的汇流条区域。本发明通过采用平滑边缘的释放孔几何形状设计，可减小谐振器释放孔边缘处的应力集中，避免谐振器释放孔边缘处...
    2025-10-02
  • 基板、一体化的器件封装结构及声学器件、相关设备
    基板、一体化的器件封装结构及声学器件、相关设备_深圳新声半导体有限公司_202510623355.4
    本申请涉及器件封装技术领域，公开一种基板、一体化的器件封装结构及声学器件、相关设备，其中，基板应用于器件封装，基板包括：基体和与基体一体成型的连接结构；其中，连接结构包括位于基体表面的金属环和位于金属环内的焊盘，金属环和焊盘在基体内部实现导...
    2025-10-02
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