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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 具有多个MEMS谐振器和嵌套式PLL结构的频率稳定的低噪声定时信号发生器
    具有多个MEMS谐振器和嵌套式PLL结构的频率稳定的低噪声定时信号发生器_芯时光公司_202480009639.8
    一种频率合成器使用烘箱受控振荡器(“OCXO”)来生成参考信号。嵌套式PLL结构的特征在于具有分频器的外部PLL环路，该分频器实施OCXO输出的温度校正，从而形成温度补偿OCXO(“TCOCXO”)；该分频器还取决于选择合成频率的信息。外部...
    2025-09-19
  • 一种耦合滤波放大衰减多功能芯片
    一种耦合滤波放大衰减多功能芯片_成都嘉纳海威科技有限责任公司_202511127563.1
    本发明提供一种耦合滤波放大衰减多功能芯片，涉及集成电路技术领域，该装置包括单刀单掷开关、耦合器、高通滤波器、低噪声放大器、数控衰减器和正压型并行驱动网络；其中，单刀单掷开关与耦合器和正压型并行驱动网络连接，高通滤波器与耦合器和低噪声放大器连...
    2025-09-19
  • 一种L波段下变频SIP模块及其制作方法
    一种L波段下变频SIP模块及其制作方法_北京遥感设备研究所_202111574890.3
    本发明涉及下变频器技术领域，尤其涉及一种L波段下变频SIP模块及其制作方法。L波段下变频SIP模块包括管壳、下层微波多芯片组件电路及上层微波多芯片组件电路；上层微波多芯片组件电路位于所述下层微波多芯片组件电路上方，两者采用叠层式设置，以形成...
    2025-09-19
  • 具有增强带宽的功率放大器布置
    具有增强带宽的功率放大器布置_瑞典爱立信有限公司_202280102953.1
    公开了一种功率放大器布置(100)。功率放大器布置(100)是基于两条耦合传输线的Doherty功率放大器。功率放大器布置(100)包括作为主放大器的第一功率放大器(P1)和作为辅助放大器的第二功率放大器(P2)。功率放大器布置(100)还...
    2025-09-19
  • 通过输入代码修改的线性DAC
    通过输入代码修改的线性DAC_汇顶科技(香港)有限公司_202210455666.0
    本公开涉及一种用于输出电压的DAC电路，包括多个电流提供装置，连接为使得每个电流提供装置的输出电流是随后的电流提供装置的输出电流的一半；多个第一开关装置，分别连接到每个电流提供装置，其中每个第一开关装置用于基于控制信号将每个电流转移到第一路...
    2025-09-19
  • 放大器和全差分缓冲器
    放大器和全差分缓冲器_湖南国科微电子股份有限公司_202510882626.8
    本发明提供一种放大器和全差分缓冲器，放大器包括全差分放大模块和驱动模块，全差分放大模块的输入端接收输入差分信号，全差分放大模块的输出端连接所述驱动模块的输入端；全差分放大模块，用于输入差分信号生成差分输出信号；驱动模块，用于根据差分输出信号...
    2025-09-19
  • 一种多相位时钟电路和多相位时钟信号产生方法
    一种多相位时钟电路和多相位时钟信号产生方法_深圳市中兴微电子技术有限公司_202510745239.X
    本公开提供了一种多相位时钟电路和多相位时钟信号产生方法，应用于集成电路技术领域，其中多相位时钟电路包括：注入开关控制模块被配置为获取表征频率注入比例的注入模式控制信号；注入开关选择模块被配置为根据注入模式控制信号确定四相注入时钟信号的注入相...
    2025-09-19
  • 功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路
    功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路_宁德时代新能源科技股份有限公司_202510469629.9
    本申请公开了一种功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路，属于安全转矩关断技术领域。所述功率半导体的控制方法，包括：获取至少一路安全转矩关断信号；对各路所述安全转矩关断信号进行状态检测，确定控制信号；基于各路所述安全转矩关断信号的状态和所...
    2025-09-19
  • 时钟占空比矫正电路及串行解串器
    时钟占空比矫正电路及串行解串器_深圳市中兴微电子技术有限公司_202410862588.5
    本发明实施例提供了一种时钟占空比矫正电路及串行解串器。该时钟占空比矫正电路包括：延时模块、边沿捕获模块；所述延时模块，包括多个可控电容，用于通过控制所述多个可控电容接入电路中的数量而控制输入时钟信号的时延大小，并输出两路延时时钟信号；所述边...
    2025-09-19
  • 滤波器及电子器件
    滤波器及电子器件_TDK株式会社_202411871161.8
    在电子器件1中，第一LC并联谐振器（R1）的第二端和第二LC并联谐振器（R2）的第二端在接点（P3、P4）连接，对于接点（P1），电容器（C3）及电感器（L3）串联连接，对于接点（P2），电容器（C5）及电感器（L4）串联连接，对于接点（P...
    2025-09-19
  • 一种高性能耦合滤波器及制备方法
    一种高性能耦合滤波器及制备方法_深圳市比创达电子科技有限公司_202411342452.8
    本发明提供了一种高性能耦合滤波器及制备方法，涉及滤波器技术领域，制备方法包括提供一衬底；在衬底上沉积绝缘层，然后在衬底正面、背面分别加工凹槽组，凹槽组包括多个凹槽，并在衬底一端加工通孔，通孔两端分别贯穿衬底正面与衬底背面；通过电镀工艺分别在...
    2025-09-19
  • 一种机载高抑制高功率滤波器
    一种机载高抑制高功率滤波器_中国电子科技集团公司第五十四研究所_202422587961.9
    本实用新型公开了一种机载高抑制高功率滤波器，涉及通信领域。本实用新型包括射频电路：顺次相连的7个电感器，每一相邻的电感器之间均通过电容器接地。其工作频带500MHz，通过电路设计带内损耗小于0.4dB，可以承受连续波2000W高功率，体积小...
    2025-09-19
  • 一种音叉型压电振动片及振荡器
    一种音叉型压电振动片及振荡器_天津大学_202311845881.2
    本申请实施例涉及一种音叉型压电振动片及振荡器，用以提高Q值。该音叉型压电振动片包括：包括基部、从基部一端延伸出的两个振动臂部和多个中间岛部，其中：两个振动臂部上设置有驱动电极，且两个振动臂部对应位置的驱动电极极性相反；多个中间岛部位于两个振...
    2025-09-19
  • 一种具备单输入口的测试修调电路
    一种具备单输入口的测试修调电路_成都裕芯科技有限公司_202421700515.8
    本实用新型公开了一种具备单输入口的测试修调电路，所述测试修调电路包括识别电路、寄存器和锁存器。所述测试修调电路包括第一电路、第二电路、第三电路、第四电路和第五电路，所述第一电路输入端仅有一个输入接口，实现测试码及烧调码的输入，所述第一电路输...
    2025-09-19
  • 验证用于可重配置设备的图像
    验证用于可重配置设备的图像_英特尔公司_201810490335.4
    一种设备包括可重配置电路和重配置逻辑。所述重配置逻辑用于：经由策略接口接收用户策略和图像策略；经由多个配置接口中的第一配置接口接收第一重配置图像；基于所述用户策略验证所述第一配置接口；基于所述图像策略验证所述第一重配置图像；以及响应于确定所...
    2025-09-19
  • 用于极性编码系统、过程及信令的子块式交织
    用于极性编码系统、过程及信令的子块式交织_IDAC控股公司_202210960706.7
    公开了一种用于对编码比特进行交织的系统、方法及工具。无线发射/接收单元(WTRU)可使用极性编码生成多个极性编码比特。所述WTRU可将所述多个极性编码比特按照顺序方式分成具有相同大小的子块。所述WTRU可通过使用交织器模式而将子块式交织应用...
    2025-09-19
  • 可变增益放大器
    可变增益放大器_山东芯慧微电子科技有限公司_202510763325.3
    本发明涉及一种可变增益放大器，包括：第一差分共源管对、第二差分共源管对、第一共栅管对、第二共栅管对、第三共栅管对和控制电压产生电路；第一差分共源管对的栅级分别连接输入正和输入负；第一差分共源管的源极分别通过退化电阻连接第一电流源，第一差分共...
    2025-09-19
  • GaN宽带射频功率放大器
    GaN宽带射频功率放大器_深圳高性能医疗器械国家研究院有限公司_202510680693.1
    本申请涉及功率放大器技术领域，揭示了一种GaN宽带射频功率放大器，所述GaN宽带射频功率放大器应用于多核磁共振系统，所述GaN宽带射频功率放大器包括：均衡及非线性校正模块、前级射频放大模块、驱动级射频放大模块、功率分配器、射频功放、功率合成...
    2025-09-19
  • 模数转换器及其分辨率提高方法、共模电压补偿方法
    模数转换器及其分辨率提高方法、共模电压补偿方法_中国科学技术大学_202511093686.8
    本发明公开了一种模数转换器及其分辨率提高方法、共模电压补偿方法。对采样后的
    2025-09-19
  • 一种采用共基作前级V/I后级作I/V的转换电路
    一种采用共基作前级V/I后级作I/V的转换电路_王仲季_202111683517.1
    一种采用共基作前级V/I后级作I/V的转换电路。(1)因模拟放大器中差分输入级都是由共射电路组成的，它阻碍了输入信号向高频率、高速化发展，为此本发明设计出由共基电路组成的输入级电路，我们知道同一个管子共基接法下的fT比...
    2025-09-19
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