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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本实用新型公开了一种集成电路,属于半导体技术领域,包括逻辑门电路Gata、死区控制单元、过流保护单元和驱动输出单元,解决了在驱动H桥的过程中,提供稳定的死区控制,快速的响应过流保护,防止HO和LO同时导通技术问题,本实用新型无需MCU控制,...
  • 本发明属于电路系统中的信号读出部分,涉及一种多通道输入、单通道输出的数字信号驱动电路及驱动方法;所述驱动电路包括使能脉冲生成电路、时序生成电路和m个信号传输电路;使能脉冲生成电路具有1个时钟信号输入端、1个使能脉冲信号输入端和n个列级电路输...
  • 本发明提供一种压控振荡器电路、芯片及电子设备。所述压控振荡器电路包括:第一延时电路,包括至少一个第一反相器;第二延时电路,与所述第一延时电路相连,且包括至少一个第二反相器;控制电路,与所述第二延时电路相连,用于调整所述振荡器环路中所包含的所...
  • 本发明实施例提供了一种编码方法、硬件加速器及片上系统,通过硬件加速器中的频率提取模块,确定对各输入符号映射得到的各待编码基数对应的基数频次;通过硬件加速器中的编码生成模块,基于各待编码基数对应的基数频次的目标排序结果,生成目标霍夫曼树;通过...
  • 本发明公开了一种数据选择电路、方法、装置、设备及存储介质,涉及数据处理技术领域,数据选择电路包括多条数据通道,各个数据通道的输入端分别接入不同的输入数据,输出端相互连接,形成多输入一输出的结构。当某一数据通道的输入数据被选择输出时,其中的第...
  • 本公开的实施例涉及一种振荡器。生成第一斜坡和第二斜坡的系列。电路递送表示每个第一斜坡与设置点的比较的第一信号,并且递送表示每个第二斜坡与设置点的比较的第二信号。基于第一和第二信号:当第一斜坡到达设置点时,停止第一斜坡并开始第二斜坡;以及当第...
  • 本发明提供的模拟锁频电路、方法及应用其的功率转换器,第一控制信号产生电路基于系统的实际工作频率信号和参考频率信号生成第一控制信号,电流源产生电路基于第一控制信号产生第二电流源或第三电流源,系统处于导通阶段内时,第三电流源用于对第一电容充电,...
  • 本发明公开了一种采用哈希函数的咬尾卷积码编码方法和译码方法,所述编码方法包括:根据预先设定的分段策略对待编码的信息序列进行分段,获得多个子序列;利用编码器对于每个子序列进行编码生成校验序列,并将所述校验序列与当前子序列组合形成子码字序列;将...
  • 本发明提供了一种具有宽带高性能旁路的低噪声放大器和射频前端模组,所述低噪声放大器包括输入匹配模块、输入放大模块、输出匹配及旁路模块、以及输入旁路模块,该低噪声放大器的旁路可以合理的选择输出电感和电容的组合来抵消射频系统上输出端带来的寄生电容...
  • 本实用新型涉及BMS按键激活电路技术领域,公开了一种可快速泄放的按键激活电路、电池管理系统及电池。该按键激活电路包括设于按键开关和所述分压电路单元之间的泄放电路单元;所述泄放电路单元包括电容C2、开关管Q1、电阻R1和二极管D2;电阻R1的...
  • 一种用于在增量模数转换器iADC中使用的DAC,其被配置为将多位字(x[n])转换成模拟反馈信号(y[n])。DAC包括MMS逻辑块。其还包括配置为基于选择矢量(s[n])生成相应的模拟部分(yi[n])的多个输出元件,和用于将模拟部分(y...
  • 本发明公开一种具备过压传输能力的抗辐照模拟开关结构,属于集成电路领域,包括:NMOS管mn1~mn3、PMOS管mp1~mp2、开关K1~K3、二极管D1和D2、反相器INV1~INV3;通过mn2和mn3源体短接的方式处理,可以保证在任何...
  • 本发明提供一种应用于12位逐次逼近型模数转换器的电容阵列及方法,差分电容阵列均包括第一电容阵列和多个级联的第二电容阵列,用于更多位次的逐次逼近转换,所述第一电容阵列和多个第二电容阵列之间均采用桥接电容连接,且相邻下级电容阵列最大电容的等效权...
  • 本申请实施例公开了一种通过数字输入控制的音频放大器芯片及音频放大器,音频放大器芯片包括输入端口、DAC、正电压电源、栅极驱动单元、半桥电路、负电压控制机制算法、负压产生电路,半桥电路由两个开关管串联组成;其中:输入端口用于接收数字输入音频信...
  • 本发明属于半导体混合集成电路设计技术领域,公开了一种耗尽型固态功率控制器时序的控制电路及方法。控制电路中第一电路结构两端连电源端VDD与VEE并形成第一通路;第二电路结构一端连VDD、另一端连前级驱动芯片GND端并形成第二通路;第一比较器同...
  • 本发明公开了一种基于切换传输线网络的非平庸拓扑传输波导系统,属于无线通信技术领域。解决了现有技术中传统的传输波导系统在实现非互易性传输时对磁性材料存在依赖性的问题;本发明包括成阵列排布的切换传输线网络单元,信号沿所述阵列外围边缘传播,形成多...
  • 本申请技术方案提供一种SiC MOSFET驱动电路,包括:第一使能模块,输出第一使能信号;第二使能模块,输出第二使能信号;驱动信号接收模块,接收所述SiC MOSFET的控制逻辑信号并输出;驱动电压输出模块,基于所述第一使能信号、所述第二使...
  • 本实用新型揭示一种开关机电路,包括开关S1、第一分压单元、储能单元第一开关组件、第二开关组件、MOS管Q1、MOS管Q2、第二分压单元及控制芯片MCU;第一开关组件具有第一连接端至第三连接端,第二开关组件具有第四连接端至第六连接端;第一分压...
  • 本实用新型公开了一种基于电流检测的低端理想二极管,包括电压比较器、NMOS管和电阻,所述电压比较器、NMOS管和电阻组成电路,所述NMOS管为主管,所述NMOS主管源极或漏极串入一个电流检测电阻,所述电压比较器为施密特触发器。本电路具有防止...
  • 本发明公开了一种抗单粒子翻转触发器电路及触发器,其中所述触发器电路包括:存在电路连接关系的逻辑输入电路、第一主级门控电路、第二主级门控电路、第一从级门控电路、第二从级门控电路、主级锁存器、从级锁存器及至少一个反相器。采用本发明,能解决现有技...
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