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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本公开涉及一种时钟信号变频电路、芯片和电子设备,该时钟信号变频电路包括:延时链模块,用于获取基准时钟信号,对基准时钟信号进行延时以产生相位不同的多个同频时钟信号;信号提取输出模块,耦接于延时链模块,用于接收多个同频时钟信号,并根据所接收的配...
  • 本发明涉及一种提高模数转换输入信号动态范围的方法及装置。本发明所述的提高模数转换输入信号动态范围的方法,包括:通过对模拟音频信号进行分路,分别得到增幅和减幅的模拟音频信号,并将其分别进行模数转换,分别得到增幅和减幅的数字信号;判断增幅的数字...
  • 本公开实施例提供一种双向可变增益放大器和双向移相器,双向可变增益放大器包括:正向节点和反向节点;第一可变增益单元,用于在所述正向节点输入射频信号时,提供可变增益;所述第一可变增益单元的输入端与所述正向节点连接;第一开关单元,用于导通或断开所...
  • 本发明属于无线通信技术领域,公开了一种基于码字可靠度的低复杂度Turbo乘积码译码算法,包括如下步骤:步骤A、接收具体Turbo乘积码编码的信号,并按Turbo乘积码编码结构排列,得到待译码序列;步骤B、设置算法参数初始值,对步骤A中的待译...
  • 本发明实施例公开一种开关器件过流保护电路及负载驱动电路,涉及开关电源技术领域,可以低成本实现开关器件的过流保护。包括:驱动信号输入端,用于接收驱动信号;第一电阻,所述第一电阻的输入端连接于所述驱动信号输入端,所述第一电阻的输出端连接至开关器...
  • 本申请涉及一种高速接口发射机电路、芯片和电子设备,所述高速接口发射机电路至少一组数据串化电路、至少一组均衡驱动电路、一个时钟生成与匹配电路和两个负载电阻;所述时钟生成与匹配电路与数据串化电路相连,时钟生成与匹配电路产生的时钟信号用于与数据串...
  • 本实用新型公开了一种偏差自校正电路包括时序调节阵列、比较模块、锁存模块和译码模块,改进的要点在于,通过时序调节阵列将二进制加权型电流源阵列进行不同程度的延迟,然后利用比较模块将调节后的信号与第一控制信号进行比较,选出两控制信号偏差最小时所对...
  • 本申请涉及微波毫米波技术领域,具体而言,涉及一种基于VM体制的温度补偿电路。基于VM体制的温度补偿电路包括:依次电连接的温度采集转换电路、驱动电路、VM体制平衡式幅度调整电路;温度采集转换电路用于获取温度信息并将温度信息精准地转换成模拟电压...
  • 本发明公开了一种用于运放共享高速流水线模数转换器的运算放大器,包括:第一主运算放大器、第二主运算放大器和自适应偏置电路;其中,所述第一主运算放大器的输入端接收输入信号,输出端连接所述第二主运算放大器的输入端;所述第二主运算放大器的输出端输出...
  • 本实用新型涉及驱动电路技术领域,尤其是涉及一种带电荷泄放功能的MOSFET驱动电路,包括控制逻辑电路、MOSFET驱动单元以及电荷泄放电路。本实用新型电路内部除了集成控制逻辑电路和MOSFET驱动单元外,还集成了一个电荷泄放电路,可实现由T...
  • 本发明公开了一种高速模数转换器数据的解析和采集方法,涉及集成电路量产测试领域,包括:将待测试高速模数转换器的时钟与自动测试设备的时钟同步;待测试高速模数转换器发出同步特征码,自动测试设备将同步特征码编写为向量文件;对向量文件进行步进扫描实现...
  • 本发明公开了布尔逻辑运算的可重构逻辑单元及其控制方法和集成芯片,布尔逻辑运算的可重构逻辑单元包括第一PMOS管和第一N型FeFET管,第一PMOS管的栅极与第一N型FeFET管的栅极连接,为IN端,第一PMOS管的源极与第一N型FeFET管...
  • 本发明公开了一种高压碳化硅MOSFET的保护电路、装置及方法,属于保护电路技术领域。本发明提供的保护电路,能够及时识别并处理短路故障,为高压碳化硅MOSFET提供全面的电路保护,通过完全开通检测电路和栅极电压检测电路的协同工作,实现了硬开关...
  • 本公开涉及一种用于转换器(1)的开关装置,包括:开关装置的两个端子之间的至少两个开关的第一串联连接(SC1),其中,两个开关是半导体开关;第一电容器(C1)和第一二极管电路(D1)的第二串联连接,第二串联连接与两个端子(T1, T2)的第一...
  • 一种比较器和逐次逼近模数转换器,所述比较器通过在输入级电路和噪声整形输入级电路之间设置隔离传输电路,可以将所述输入级电路输出的第一输出信号和第二输出信号,以及噪声整形输入级电路输出的第三输出信号和第四输出信号分别进行噪声隔离后输入至锁存级电...
  • 本发明公开一种多模式理想二极管控制器,属于模拟电路领域。本发明包括内部控制电路与外部电路;内部控制电路通过实时监测阳极与阴极两端的电压,调节驱动信号控制外部电路中NMOS管的GATE端到阳极电压,来控制二极管的相应工作模式,从而实现全导通模...
  • 本发明公开了一种基于忆阻器的三值逻辑门电路、控制方法及系统,属于微电子逻辑运算技术领域;本发明包括两个忆阻器、一个定值电阻和一个多值比较器,利用忆阻器的高阻态、中阻态和低阻态分别对应不同的三值逻辑,通过对忆阻器输入端口的电压进行调整,并通过...
  • 本发明公开了一种电平转换电路,所述的电平转换电路由NMOS管及PMOS管及一个反相器所组成,包含一个输入端及两个差分输出端;所述的NMOS管包含NM0~NM5共6个NMOS,所述的PMOS管包含PM0~PM7共8个PMOS;本发明所述的电平...
  • 本发明属于电路技术领域,具体涉及一种基于TFET的阻塞毛刺低功耗双边沿触发器、模块、时序电路,以及采用相应时序电路的大规模数字集成电路。该触发器由十二个PTFET晶体管P1~P12,十二个NTFET晶体管N1~N12以及五个反相器INV1~...
  • 本发明属于信道编码领域,具体涉及一种极化码的快速译码算法,即MN(Major Node)‑FSC算法;该方法包括在编码端识别可以进行快速译码MN类型的特殊结点,包括但不限于MNⅠ、MNⅡ、MNⅢ、MNⅣ型结点,识别完成后采用对应的快速译码算...
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