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电子电路装置的制造及其应用技术
  • 本发明提供了一种体声波谐振器及其制作方法,其中,体声波谐振器包括:压电叠层结构,压电叠层结构包括从下至上依次设置的第一电极、压电层和第二电极;保护层,保护层设置在第二电极远离第一电极的一侧,以保护调频后的第二电极。本申请通过设置保护层保护调...
  • 一种声波器件包括:绝缘层,包括凹陷部;压电层,在绝缘层上并且位于凹陷部上方以限定腔体;第一激励电极,在压电层的与腔体相对的第一表面上;第二激励电极,在压电层的第二表面上并且位于腔体内;介电层,在第一激励电极上;以及第一框架,在第二激励电极上...
  • 本发明提供一种弹性波谐振器及其通信器件,包括叉指电极、压电薄膜、悬浮电极以及填充材料,采用填充材料取代部分悬浮电极,或在悬浮电极附近设置不同的填充材料,选择性设置悬浮电极线宽,用以改变在纵向电场以外区域存在振动分布的寄生模式的频率或位移分布...
  • 本发明抑制由振动(振幅)的追随性引起的振动变得不稳定的情形。压电振动片不是将在振动臂部(7)的前端部设置的配重膜(75)的既定区域整体(总厚度量)熔融除去,而是通过非热加工来除去。在通过非热加工除去配重膜(75)的情况下,以沿着长度方向逐渐...
  • 本发明提供了一种体声波谐振器及其制作方法,其中,体声波谐振器包括:压电叠层结构,压电叠层结构包括从上至下依次设置的第一电极、压电层和第二电极;支撑层,支撑层设置在第一电极的一侧,支撑层设置有第一空腔;第一衬底,第一衬底设置在支撑层远离第一电...
  • 本发明实施例公开了一种压电复合衬底及其制造方法、弹性波装置。该压电复合衬底包括:毛坯晶片;过渡层,位于毛坯晶片的一侧;压电层,位于过渡层远离毛坯晶片的一侧;毛坯晶片与过渡层接触的表面的粗糙程度大于未与过渡层接触的表面的粗糙程度。本发明实施例...
  • 本发明涉及微电子技术领域,特别涉及一种高阶声波滤波器及应用其的通信设备。本发明提供的高阶声波滤波器包括至少一个串联谐振器和至少一个并联谐振器;高阶声波滤波器中的谐振器包括由下至上依次设置的支撑衬底、底电极、压电薄膜和顶电极;顶电极为叉指电极...
  • 本申请属于电子测试仪器技术领域,尤其涉及一种多倍率插值器的构建方法,所述方法包括:获取系统参数,所述系统参数包括最大插值倍率、系统阻带频率、系统通带频率、插值前采样率、阻带衰减倍数及系统通带纹波;对最大插值倍率进行质数分解,确定插值模块的数...
  • 本发明属于信息电子材料技术领域,具体涉及一种声表面波器件小型化封装方法及封装结构;包括:在第一晶圆上制备第一滤波器,在第二晶圆上制备第二滤波器;在第一滤波器上构建支撑层结构并在支撑层结构中设置多个植球位置;在第二滤波器上构建与第一滤波器的支...
  • 一种频率合成器使用烘箱受控振荡器(“OCXO”)来生成参考信号。嵌套式PLL结构的特征在于具有分频器的外部PLL环路,该分频器实施OCXO输出的温度校正,从而形成温度补偿OCXO(“TCOCXO”);该分频器还取决于选择合成频率的信息。外部...
  • 本发明提供一种耦合滤波放大衰减多功能芯片,涉及集成电路技术领域,该装置包括单刀单掷开关、耦合器、高通滤波器、低噪声放大器、数控衰减器和正压型并行驱动网络;其中,单刀单掷开关与耦合器和正压型并行驱动网络连接,高通滤波器与耦合器和低噪声放大器连...
  • 本发明涉及下变频器技术领域,尤其涉及一种L波段下变频SIP模块及其制作方法。L波段下变频SIP模块包括管壳、下层微波多芯片组件电路及上层微波多芯片组件电路;上层微波多芯片组件电路位于所述下层微波多芯片组件电路上方,两者采用叠层式设置,以形成...
  • 公开了一种功率放大器布置(100)。功率放大器布置(100)是基于两条耦合传输线的Doherty功率放大器。功率放大器布置(100)包括作为主放大器的第一功率放大器(P1)和作为辅助放大器的第二功率放大器(P2)。功率放大器布置(100)还...
  • 本发明提供一种放大器和全差分缓冲器,放大器包括全差分放大模块和驱动模块,全差分放大模块的输入端接收输入差分信号,全差分放大模块的输出端连接所述驱动模块的输入端;全差分放大模块,用于输入差分信号生成差分输出信号;驱动模块,用于根据差分输出信号...
  • 本公开涉及一种用于输出电压的DAC电路,包括多个电流提供装置,连接为使得每个电流提供装置的输出电流是随后的电流提供装置的输出电流的一半;多个第一开关装置,分别连接到每个电流提供装置,其中每个第一开关装置用于基于控制信号将每个电流转移到第一路...
  • 本公开提供了一种多相位时钟电路和多相位时钟信号产生方法,应用于集成电路技术领域,其中多相位时钟电路包括:注入开关控制模块被配置为获取表征频率注入比例的注入模式控制信号;注入开关选择模块被配置为根据注入模式控制信号确定四相注入时钟信号的注入相...
  • 本申请公开了一种功率半导体的控制方法和功率半导体的控制电路,属于安全转矩关断技术领域。所述功率半导体的控制方法,包括:获取至少一路安全转矩关断信号;对各路所述安全转矩关断信号进行状态检测,确定控制信号;基于各路所述安全转矩关断信号的状态和所...
  • 本发明实施例提供了一种时钟占空比矫正电路及串行解串器。该时钟占空比矫正电路包括:延时模块、边沿捕获模块;所述延时模块,包括多个可控电容,用于通过控制所述多个可控电容接入电路中的数量而控制输入时钟信号的时延大小,并输出两路延时时钟信号;所述边...
  • 在电子器件1中,第一LC并联谐振器(R1)的第二端和第二LC并联谐振器(R2)的第二端在接点(P3、P4)连接,对于接点(P1),电容器(C3)及电感器(L3)串联连接,对于接点(P2),电容器(C5)及电感器(L4)串联连接,对于接点(P...
  • 本实用新型公开了一种机载高抑制高功率滤波器,涉及通信领域。本实用新型包括射频电路:顺次相连的7个电感器,每一相邻的电感器之间均通过电容器接地。其工作频带500MHz,通过电路设计带内损耗小于0.4dB,可以承受连续波2000W高功率,体积小...
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