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  • 本申请实施例提供一种图像显示方法及相关设备,涉及终端技术领域,在获取图像时对图像标记标签,并通过标签对多张图像进行成组;具体的,显示第一界面,第一界面中显示有第一标签的控件;在电子设备得到第一图像的情况下,将第一图像存储在第一标签对应的第一...
  • 本申请公开了一种显示设备和壁挂柱结构,所述显示设备至少包括背板和壁挂柱结构;所述背板具有正面和背面,所述正面形成加强筋凹槽,所述背面形成加强筋凸起;所述壁挂柱结构包括连接部,所述连接部与所述背板可拆卸连接,所述连接部位于所述加强筋凹槽内,所...
  • 本发明公开了一种低损耗空芯光纤及其制作方法,包括:外包层1、至少一个中空包层2、内包层3和空气纤芯4,外包层1依次包覆中空包层2、内包层3和空气纤芯4;每个中空包层2包括包层壁20和围绕包层壁20的多个支撑件21;其中,最外层的中空包层2的...
  • 本发明公开一种海工磁悬浮超重力风洞试验装置,涉及海工风洞试验设备领域,包括:试验腔体,第一环形永磁导轨,第二环形永磁导轨,车体模型试验舱,直线电机,试验模型,试验模型固定设置于车体模型试验舱外表面,试验模型试验所需的模拟重力方向朝向第一环形...
  • 本申请的实施例揭示了一种控制冷却风扇的方法、系统、装置、电子设备及存储介质,该方法包括:对车辆冷却系统中的冷却液温度进行检测,获得水温信号;根据水温信号确定PWM信号;根据PWM信号控制冷却风扇转动,并每间隔第二预设时间段发送一次心跳信号;...
  • 本申请涉及车辆控制领域,揭示了一种车辆的能量管理控制方法、装置、计算机可读介质及电子设备。该方法包括:获取用户为车辆设置的目标能量管理运行模式,车辆为用户提供有包括所述目标能量管理运行模式在内的多个可选的能量管理运行模式,多个可选的能量管理...
  • 本申请公开了废气收集恒压恒流机,涉及恒压恒流机技术领域,而本发明包括箱体,所述箱体的上端固定设有四个吊孔,所述箱体的上端固定设有警报设备,所述箱体的一侧开始有通风口,所述箱体的内部设有集气机构,所述箱体的内部设有恒压机构,所述箱体的一侧设有...
  • 本发明涉及母胎运动检测技术领域,公开了一种母胎运动检测方法、装置、母胎监测设备及存储介质。本发明提供了一种母胎运动检测方法,应用于母胎监测设备,包括:在检测时段内,采集母体的腹壁表面电信号,并检测母体的腹部状态;识别腹壁表面电信号中的胎动信...
  • 一种咖啡机及其萃取装置,该萃取装置包括基座,包括设有注水口的盖体;安装架,与所述基座相铰接;漏斗,配置为可拆卸插装于所述安装架;以及粉碗,设置在所述漏斗内,且碗口朝向所述盖体;其中,所述安装架配置为能转动至所述盖体密封所述粉碗的碗口的第一位...
  • 本申请公开一种酿造萃取单元和饮品机,涉及饮品制作技术领域。该酿造萃取单元包括:萃取支架,包括支架主体和设置于所述支架主体一端的支撑部;萃取容器,设有支撑配合部,所述支撑配合部设置成能自所述支撑部的第一端沿着所述支撑部滑动以与所述支撑部支撑配...
  • 提供了一种图像编码/解码方法和装置、存储比特流的记录介质以及传输方法。图像解码方法包括以下步骤:确定当前块是否处于帧内模板匹配模式;在多个模板形状候选中确定当前块的模板形状;根据模板形状,基于当前模板来搜索参考模板;以及基于参考模板来生成当...
  • 本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法,该半导体结构包括:载板;多个发光单元,位于载板的一侧,每个发光单元包括沿载板的表面间隔设置、发光波长不同的第一发光结构、第二发光结构以及第三发光结构,第二发光结构环绕第一发光结构,第三发光结构环绕...
  • 本申请公开了一种光伏组件的贴膜方法及贴膜系统,在所公开的贴膜方法中,将第一膜带裁切成多个第一膜条,多个第一膜条沿第一方向阵列设置形成第一膜条组,驱动防护板移动至第一工位,并归正;将第一膜条组沿第一方向分距铺设后、加热粘贴于位于第一工位的防护...
  • 本申请提供了一种固态成像器件及其加工方法和电子设备,该固态成像器件包括晶体管,该晶体管包括:基体材料层;栅极,该栅极位于该基体材料层上;侧壁隔离层,该侧壁隔离层位于该基体材料层上,该侧壁隔离层与该栅极相邻并位于该栅极两侧;源极和漏极,该源极...
  • 一种标准单元版图结构、标准单元库及版图布线方法。所述标准单元版图结构包括:第一MOS管版图结构;以及第二MOS管版图结构;其中,所述第一MOS管版图结构与所述第二MOS管版图结构具有第一公共栅极区;所述第一公共栅极区对应于所述第一MOS管版...
  • 本发明提出了阵列基板及其制作方法、显示面板。阵列基板包括依次层叠设置在衬底基板上的第一透明电极、绝缘层和第二透明电极,其中,所述绝缘层的材料包括在形成所述绝缘层的过程中产生氢离子的绝缘材料;以及缓冲层,所述缓冲层设置在所述第一透明电极和所述...
  • 本申请实施例公开了一种半导体器件、半导体晶圆及制备方法、存储系统,半导体晶圆包括第一半导体基材、第二半导体基材及高K介电层,第二半导体基材与第一半导体基材相对设置;高K介电层设于第一半导体基材与第二半导体基材之间。本申请实施例提供的半导体晶...
  • 本申请实施例提供一种半导体器件及制备方法、封装结构、电子设备,涉及半导体技术领域,用于降低半导体器件的亚阈值摆幅以及器件功耗。该半导体器件包括:衬底;半导体层,半导体层设置在衬底上,半导体层包括源极区、离化区、以及设置在源极区和离化区之间的...
  • 本发明提供一种沟槽栅MOS器件及其制备方法,该沟槽栅MOS器件包括半导体结构、体区、源区、第一沟槽结构、第二沟槽结构、源极、栅极及漏极,其中,半导体结构包括层叠的缓冲层及漂移区;体区位于漂移区上表层;源区位于体区上表层;第一沟槽结构包括第一...
  • 本申请提供一种半导体器件、制备方法、集成电路及电子设备,半导体器件包括沟道层、沟道层上方的介质层、位于沟道层和介质层的相对两侧的源极区和漏极区、以及金属栅结构,介质层包括环形的第一介质区和位于第一介质区的相对两侧的第二介质区,金属栅结构包裹...
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