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  • 本发明公开了一种高气液比举升方法及装置,举升方法包括:选择生产井,安装气锚;油管壁上安装远程控制单向凡尔,生产井井底安装井底气体流量计和井底压力计;关闭油管壁上的远程控制单向凡尔,监测井底气体流量、井底压力以及产油量数据;当生产井的气液比超...
  • 本发明涉及一种具有较佳柔硬度的闪蒸医用防护材料,其原料包含聚乙烯,聚乙烯在闪蒸医用防护材料中的质量分数为90%以上;闪蒸医用防护材料的克重大于35g/m2;闪蒸医用防护材料的柔硬度为0.07~0.28(N2<...
  • 本发明提供一种双金属氮掺杂碳材料及其制备方法与应用,所述制备方法包括如下步骤:将氮碳源、铁盐、钴盐混合,得到前驱体;将碱液与所得前驱体混合,得到改性前驱体;将所得改性前驱体进行热解。本发明提供的制备方法实现了双金属氮掺杂碳材料的简单有效合成...
  • 本发明提供了一种木霉,为木霉属(Trichoderma sp.)DK,保藏于中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心,保藏号为CGMCC No.40932。本发明还提供了一种菌种发酵液的制备方法及制备得到的菌种发酵液。本发明还提供了一种植...
  • 本发明公开了一种单阴离子多齿配体的IVB族金属烷基络合物及其应用,提供了如式(Ⅰ)、式(Ⅱ)、式(Ⅲ)、式(Ⅴ)所示通式结构的单阴离子多齿配体的IVB族金属烷基络合物,该络合物作为烯烃聚合催化剂时,对于烯烃的均聚和共聚均能够展现出优异的催化...
  • 本发明公开了一种含三嗪和咔唑并吲哚结构的化合物及有机电致发光器件,属于半导体技术领域,所述含三嗪和咔唑并吲哚结构的化合物的结构如通式1所示,本发明所述含三嗪和咔唑并吲哚结构的化合物应用于有机电致发光器件的发光层后,可大幅延长器件寿命,同时降...
  • 本发明提供了一种在高强水泥基材料中掺加碳纳米管的最优配合比设计方法,所述最优配合比设计方法先确定高强水泥基材料的初始配合比M0,然后基于掺加碳纳米管的同时减少矿物掺合料中比表面积最大的组分X的质量的核心构思,同时可选择...
  • 本公开提供了一种爬梯组件,包括:安装支架,安装在电梯井道的侧壁上;爬梯,可拆卸地安装在所述安装支架上;安全开关,安装在所述侧壁上,被构造成与电梯安全回路电连接;以及触发装置,安装在所述侧壁和所述爬梯中的一个上,并位于所述安全开关的上方,被构...
  • 本发明公开一种热管理系统和车辆,其中,热管理系统包括换热系统,所述换热系统包括高压模块、低压模块和压缩机,所述高压模块、所述低压模块和所述压缩机共同形成回路供冷媒流通;所述高压模块包括依次连通的冷凝器、高压冷媒罐和第一节流阀;所述低压模块包...
  • 本申请实施例提供一种进行睡眠监测的方法和装置以及电子血压计。进行睡眠监测的方法包括:将初始气压加入到电子血压计的与外部隔绝的袖带的气囊中;在气囊被用户躺压后,实时采集气囊中的压力值;根据多次采集的压力值来提取体动信号;以及根据体动信号来获取...
  • 本申请公开了一种清洁机器人、清洁机器人的控制方法及存储介质,清洁机器人包括:主机,包括清扫组件和拖地组件,用于执行清洁工作;行走装置,连接在主机上,带动主机在工作区域中移动;识别装置,连接在主机上,获取位于清洁机器人沿其运行方向前方的待清洁...
  • 本发明属于饲料技术领域,具体涉及一种利用藤茶废弃茎叶制备藤茶饲料原料的加工工艺。具体流程如下:1)将藤茶采茶后的废弃茎叶,采用湿料粉碎机粉碎至小于30cm;2)将粉碎后的藤茶茎叶使用齿式三辊辊压机辊压2‑3次,得到辊压处理后的藤茶茎叶;3)...
  • 本发明涉及一种水硬性粘合剂,其包含65至95重量%的包含至少10重量%的碱土金属氧化物的铝硅酸盐化合物和5至35重量%的用于活化所述铝硅酸盐化合物的体系,活化体系包含衍生自磷酸的盐、碱金属硅酸盐、铝源和氢氧化钙。该活化体系使得铝源的量(A)...
  • 本申请公开了LED显示设备,LED显示设备包括显示组件和驱动组件。显示组件包括第一介质层和第一键合电极,第一键合电极的第一像素转接电极设置于第一介质层;驱动组件包括第二介质层和第二键合电极,第二键合电极包括第二像素转接电极,第二像素转接电极...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底,衬底包括NMOS区和PMOS区,相邻NMOS区和PMOS区之间具有隔离区;在衬底上形成复合纳米片材料层,复合纳米片材料层包括沿衬底表面法线方向依次堆叠的牺牲材料层和纳米片材料层;刻蚀复...
  • 一种半导体结构及其形成方法,其中形成方法包括:提供衬底,衬底包括NMOS区和PMOS区;在衬底上形成若干相互分立的初始复合结构,初始复合结构包括沿所述衬底表面的法线方向交替堆叠的若干初始牺牲层和若干初始纳米片层;在相邻NMOS区和PMOS区...
  • 本申请提供半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区域、第二区域和第三区域,所述半导体衬底还包括相互垂直的x方向和y方向,所述第一区域和第三区域的半导体衬底表面形成有若干沿x方向延伸的鳍片结构;若干第一...
  • 本发明提供一种形成半导体结构的方法。方法包括以下操作。形成第一光阻层在位于基板的正面上的元件层上。对基板的背面执行干蚀刻工艺。移除第一光阻层。对位于基板的正面上的元件层执行退火工艺。形成第二光阻层在位于基板的正面上的元件层上。对基板的背面执...
  • 本申请涉及沟槽式半导体结构及其制造方法。沟槽式半导体结构包括:半导体材料层,具有第一表面及第二表面,為第一导电型;第一沟槽结构,从第一表面往第二表面延伸,包括相邻的第一电极及第一闸极,及第一电极及第一闸极下的第二电极;第一掺杂区,邻近第一表...
  • 本申请实施例公开了一种通信方法、通信装置、通信系统及存储介质,应用于通信技术领域,用于实现基于全服务化架构对UE进行认证。该方法包括:基于第一网元的服务化接口接收第一消息,第一消息用于发起对用户设备的认证;基于目标服务化接口发送第一目标消息...
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