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最新专利技术
  • 混液控制方法、装置、液流电池系统及存储介质
    混液控制方法、装置、液流电池系统及存储介质_国家能源投资集团有限责任公司_202410171091.9
    本公开涉及液流电池技术领域，提供一种混液控制方法、装置、液流电池系统及存储介质。该混液控制方法应用于与液流电池连接的控制器，液流电池包括正极电解液循环管路、负极电解液循环管路、电堆、电解液储灌、以及隔板，电解液储罐包括正极电解液存储区域和负...
    2025-08-29
  • 混液控制方法、装置、液流电池系统及存储介质
    混液控制方法、装置、液流电池系统及存储介质_国家能源投资集团有限责任公司_202410171090.4
    本公开涉及液流电池技术领域，提供一种混液控制方法、装置、液流电池系统及存储介质，该混液控制方法应用于与液流电池连接的控制器，液流电池包括正极电解液循环管路、负极电解液循环管路、电堆、电解液灌以及将电解液灌隔断为正极电解液灌和负极电解液灌的隔...
    2025-08-29
  • 燃料电池系统的再启动方法和再启动模块
    燃料电池系统的再启动方法和再启动模块_博世氢动力系统(重庆)有限公司_202410169505.4
    本申请涉及燃料电池系统的再启动方法，包括：记录停机时间并测量阴极和阳极腔室内的气体温度和压力并计算阴极和阳极腔室内的空气和氢气的剩余量；基于此空气和氢气的剩余量确定停机过程后剩余的气体是空气还是氢气以及剩余的气体量；记录再启动时间并计算停机...
    2025-08-29
  • 正极极片、正极极片的制备方法、电池和用电设备
    正极极片、正极极片的制备方法、电池和用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410171993.2
    本申请公开了一种正极极片、正极极片的制备方法、电池和用电设备。正极极片包括基层和活性层；活性层位于基层上，活性层包括正极活性材料和补锂剂，补锂剂补锂后产物能够溶解于电解液中。通过上述方式，本申请能够补充电池体系中不可逆的锂离子损耗，提高电池...
    2025-08-29
  • 正极极片、二次电池和用电装置
    正极极片、二次电池和用电装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202410172386.8
    本申请提供一种正极极片、二次电池和用电装置。该正极极片包括正极集流体和设置在所述正极集流体的至少一个表面上的正极膜层，所述正极膜层包括正极活性材料和添加剂，所述添加剂包括至少一种式(I)表示的化合物；在所述式(I)中，R1
    2025-08-29
  • 一种半干法电极及其制备方法
    一种半干法电极及其制备方法_杭州辛想科技有限公司_202410171368.8
    本发明公开了一种半干法电极及其制备方法。本发明半干法电极制备方法，有别于现有湿法、干法电极制备技术，本发明一方面通过粘结剂与导电剂的混合后雾化分散形成雾化分散后的导电胶液，另一方面将电极材料在气相介质内分散成悬浮颗粒，然后将所得的雾化分散后...
    2025-08-29
  • 半导体器件及其切割方法、半导体芯片
    半导体器件及其切割方法、半导体芯片_长江存储科技有限责任公司_202410175586.9
    本公开提供了一种半导体器件及其切割方法、半导体芯片，涉及半导体芯片的技术领域，旨在解决半导体芯片的封装良率低的技术问题。所述半导体器件包括：衬底，以及位于衬底一侧的多个半导体单元和多个测试结构。多个半导体单元阵列分布，多个测试结构中的至少部...
    2025-08-29
  • TSV结构的制备方法
    TSV结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410172925.8
    本发明提供一种TSV结构的制备方法，通过第一光刻胶层先对硅衬底进行刻蚀，以在硅衬底中形成开口宽度较大的第一凹槽，在进行去胶和清洗工艺后，在第一凹槽内沉积第二光刻胶层，并以第二光刻胶层作为硅衬底的侧壁的保护层，以刻蚀复合膜层制备贯穿第二光刻胶...
    2025-08-29
  • TSV结构的制备方法
    TSV结构的制备方法_盛合晶微半导体(江阴)有限公司_202410172244.1
    本发明提供一种TSV结构的制备方法，通过在硅衬底中先形成开口宽度较大的凹槽，而后在凹槽内沉积氧化硅层，之后通过一步刻蚀形成贯穿氧化硅层、复合膜层且显露金属布线的TSV孔，使得位于硅衬底中的凹槽的侧壁可具有覆盖良好的氧化硅层，无需进行关于TS...
    2025-08-29
  • 封装结构与其形成方法
    封装结构与其形成方法_常忆科技股份有限公司_202410167788.9
    一种封装结构与其形成方法，封装结构的形成方法包含以下步骤：形成多个开槽于一导线架的一表面，其中导线架包含多个引脚，且开槽设置于每一引脚的一侧；设置一金属膏体于开槽中；加热金属膏体以形成一可焊部于每一开槽中；以及切割导线架的多个切割道以形成一...
    2025-08-29
  • 接触器及实现切换电池组串并联的装置
    接触器及实现切换电池组串并联的装置_昆山国力源通新能源科技有限公司_202410168483.X
    本发明公开了一种接触器及实现切换电池组串并联的装置，该接触器包括转换机构和驱动机构，转换机构设有具有静触头的静触件和具有动触头的动触件，静触件和动触件的总数量为四个或五个，动触件的数量不少于两个且相互连接，动触件中的至少一个动触件配置为至少...
    2025-08-29
  • 稀土掺杂的铁氧体磁粉及制备方法、注射铁氧体及应用
    稀土掺杂的铁氧体磁粉及制备方法、注射铁氧体及应用_横店集团东磁股份有限公司_202410168307.6
    本发明提供了稀土掺杂的铁氧体磁粉及制备方法、注射铁氧体及应用，所述铁氧体磁粉的化学式为Sr1‑xLaxFe12‑yCoyO19，其...
    2025-08-29
  • 一种在铝线蚀刻机台蚀刻薄膜电阻的方法
    一种在铝线蚀刻机台蚀刻薄膜电阻的方法_和舰芯片制造(苏州)股份有限公司_202410171652.5
    本发明公开了一种在铝线蚀刻机台蚀刻薄膜电阻的方法，其包括以下步骤：在半导体衬底上依次形成SiON介质层、TiN掩膜和SiCr介电层；根据要形成的栅极图案对半导体衬底上的各层进行蚀刻；在对硅铬介电层进行蚀刻时，增加偏置射频功率源并调整通入气体...
    2025-08-29
  • 电缆芯拉挤设备及应用该设备制作的电缆芯
    电缆芯拉挤设备及应用该设备制作的电缆芯_中国石油化工股份有限公司_202410168499.0
    本发明公开了一种电缆芯拉挤设备及应用该设备制作的电缆芯，该拉挤设备至少包括：第一固化模具，其将经浸胶后沿轴向延伸的碳纤维纱线进行预固化，形成电缆芯内层；第二固化模具，其将经浸胶且导纱后沿轴向延伸的玻纤纱线覆盖在所述电缆芯内层外部，并对内、外...
    2025-08-29
  • 一种在役核电站模拟堆芯装置及方法
    一种在役核电站模拟堆芯装置及方法_中核核电运行管理有限公司_202410169769.X
    本发明具体提供了一种在役核电站模拟堆芯装置及方法，该模拟装置包括：底板和组件，所述底板上表面安装有下定位销，用于定位、安装组件；所述组件底部开设有导向孔，能够与所述下定位销相适配，所述组件顶部开设有定位孔和导向孔，分别与装卸料机抓具的定位销...
    2025-08-29
  • 疾病风险信息监控方法、装置、电子设备及存储介质
    疾病风险信息监控方法、装置、电子设备及存储介质_北京京东拓先科技有限公司_202410172229.7
    本申请提出一种疾病风险信息监控方法、装置、电子设备及存储介质，涉及医疗健康及大数据技术领域，其中，方法包括：获取用户的体检指标，体检指标中包括异常体检指标；基于体检指标，在预设题目集合中选取与异常体检指标对应的目标题目，其中，预设题目集合中...
    2025-08-29
  • 疾病风险定位模组及方法
    疾病风险定位模组及方法_浚鸿数据开发股份有限公司_202410166981.0
    本发明提供一种疾病风险定位模组与方法，且疾病风险定位模组主要是透过分群算法针对搜集到的复数个用户的生理资料所形成的样本资料集进行多次分群与迭代，并在分群结果符合收敛条件时，生成疾病风险分级表，其中此疾病风险分级表可以用于后续的用户的疾病风险...
    2025-08-29
  • 多相体系的化学形态和化学反应的预测方法及装置
    多相体系的化学形态和化学反应的预测方法及装置_清华大学_202410171205.X
    本申请提供了一种多相体系的化学形态和化学反应的预测方法及装置，其中，该方法包括：获取多相体系对应的关键条件，所述关键条件包括：温度、压强、多种元素类型及其各自的含量；通过吉布斯自由能最小化方法，预测得到所述关键条件下的化学形态信息，该化学形...
    2025-08-29
  • 一种基于甲基化组测序的年龄估算方法
    一种基于甲基化组测序的年龄估算方法_中国科学院北京基因组研究所(国家生物信息中心)_202410171784.8
    本发明涉及一种基于甲基化芯片测序的年龄估算方法，具体地，本发明涉及一种DNA甲基化水平数据集、建立数据集的方法、年龄估算模型的训练方法、年龄估算方法、年龄估算模型或装置、电子设备、非易失性计算机可读存储介质及其用途。通过筛选与时序年龄和/或...
    2025-08-29
  • 一种存储器的编程方法、存储器及存储系统
    一种存储器的编程方法、存储器及存储系统_长江存储科技有限责任公司_202410175587.3
    本公开提供了一种存储器的编程方法、存储器及存储系统，应用于芯片存储技术领域。该存储器的编程方法包括：接收写入指令，写入指令用于指示向多个存储单元中的目标存储单元写入待写入数据。待写入数据包括N个比特位。根据写入指令，在第一编程阶段：对待写入...
    2025-08-29
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