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  • 本申请涉及一种电机转子拆装夹具,包括定位座,定位座用于安装在变速箱壳体上;升降移动机构,升降移动机构设置于定位座;以及第一夹爪机构和第二夹爪机构,第一夹爪机构以及第二夹爪机构分别与升降移动机构传动连接,第一夹爪机构用于抓取或释放第一转子,第...
  • 本申请公开了一种LLCL滤波器设计方法,涉及电力电子技术领域。该方法包括:获取初始滤波电容、初始逆变侧滤波电感、电网侧滤波电感及目标频率;基于滤波电容和目标频率,计算滤波支路电感;基于滤波电容、逆变侧滤波电感、电网侧滤波电感及滤波支路电感,...
  • 本发明公开了一种基于蒙特卡洛树搜索的小体积换流器,包括至少一个相单元,每个相单元均包括上桥臂和下桥臂,其特征在于,每个桥臂包括至少两个相互并联的子模块,每个子模块包括有电容C1;换流器还包括控制模块和蒙特卡洛树搜索单元,蒙特卡洛树搜索单元用...
  • 本发明公开了一种基于ESMDO和无模型自适应滑模的控制方法,先建立SPMSM数学模型,得到转速环状态方程;设计无模型自适应滑模控制器,首先建立非线性系统的超局部模型,并引入转速环状态方程,得到SPMSM转速环扩展型超局部模型;基于无模型控制...
  • 本发明提供一种基于状态寻优的多壳层低轨星座端到端通信最短路径规划方法和装置。该方法包括:整合多壳层低轨星座中各卫星及地面站信息,实时更新虚拟星座网络拓扑;依据图论原理,将卫星和地面站均作为节点,以将虚拟星座网络拓扑抽象为加权图;根据起始用户...
  • 本发明涉及混沌吸引子构造技术领域,尤其涉及一种基于矩阵运算的定制多结构混沌吸引子构造方法,包括获取待加密图像;构造第一矩阵变换和第二矩阵变换,并应用于种子混沌系统;利用第一矩阵变换对种子混沌系统进行坐标变换;利用第二矩阵变换对坐标变换后的种...
  • 本发明提供一种基于预路由修正与限制泛洪的低轨卫星网络链路失效路由方法和装置。该方法包括:对低轨卫星网络中的任意两个节点之间的路径进行预计算,生成首选路径和备用路径;当链路失效发生后,触发失效节点通过链路失效检测机制生成链路状态信息报文,并采...
  • 本发明涉及资源分配技术领域,具体涉及一种基于人工智能决策树的网络资源动态分配方法,包括通过分布式特征探针实时采集网络节点的多维状态数据;对多维状态数据进行特征融合处理,生成带约束标识的特征向量集,其中每个特征向量附加动态优先级标签;基于特征...
  • 本公开涉及一种分布式系统、分布式令牌处理方法和装置,涉及分布式技术领域。其中的方法包括:对于分布式系统的单个提议者节点中的智能网卡,响应于接收到该提议者的CPU发送的申请命令,生成ID请求;将ID请求存储在该提议者节点的缓存队列中;响应于该...
  • 一种双耳机音效调节方法、系统、存储介质及程序产品,涉及扬声器领域,该方法包括:通过双耳麦克风采集环境音频信号,执行频谱分析得到环境音频信号的频率分布特征;基于预设的人声频率范围,从频率分布特征中提取符合人声特征的音频信号作为目标音频;计算左...
  • 本发明提供一种列车无线网络装置,装置包括无线接入集成模块和终端采集模块;无线接入集成模块包括面板指示模块和至少一个无线接入子模块,面板指示模块和无线接入子模块通信连接,终端采集模块包括至少一个终端采集设备,各终端采集设备支持不同的通信协议;...
  • 本申请涉及一种节点优化方法、装置、计算机设备、计算机可读存储介质和计算机程序产品。所述方法包括:通过微能量采集前端采集能量,将能量存储至微能量储存模块;在微能量储存模块中能量满足预设能量需求的情况下,通过微能量储存模块进行供能;读取传感器数...
  • 本发明公开一种印刷电路板以及印刷电路板制作方法。印刷电路板包括基板、第一电路金属路径、第二电路金属路径、第一屏障结构以及第二屏障结构。第一屏障结构设置在第一电路金属路径的第一组件设置端上,以形成一第一焊垫区域。第二屏障结构设置在第二电路金属...
  • 本申请公开一种空间电控箱散热装置及其散热方法,包括电控箱边框、电控箱上盖板、电控箱下底板以及散热平台;所述电控箱上盖设置在电控箱边框的顶部,所述电控箱下底板设置在电控箱边框的底部;所述散热平台设于所述电控箱上盖板和电控箱下底板之间,且所述散...
  • 本发明公开了一种保持初始态面外电畴结构的自支撑薄膜及其制备方法,属于柔性电子技术领域。自支撑薄膜包括屏蔽缓冲层和含有面外电畴结构的纳米薄膜层,所述自支撑薄膜由脉冲激光沉积技术制备。本发明设计的自支撑薄膜具备保持初始态面外电畴结构的能力,呈现...
  • 本发明公开了芯片贴装机构,涉及芯片贴装技术领域,包括:贴装主体底端固定连接有挡板,所述挡板沿长度方向开设有若干出气孔,挡板侧端固定连接有鼓风组件,所述鼓风组件与出气孔相互连通,限位组件设有两组且分别位于贴装主体内部两侧,限位组件底端与贴装主...
  • 本发明属于CMOS集成电路制造技术领域,公开了一种ONO型EEPROM PIP电容及制备方法,预设存储管区和PIP电容区,依次沉积并刻蚀HTO底层和SiNx中层,再生长逻辑栅介质层,最后采用ISSG工艺将预设存储管栅极...
  • 本发明公开了一种改善多层金属间应力和粘附性的金属结构及制备方法,包括依次相邻设置的第一金属层、第二金属层和第三金属层;第一金属层和第二金属层之间设置有第一过渡层,第二金属层和第三金属层之间设置有第二过渡层;所述第一过渡层包括在第一金属层和第...
  • 本申请涉及一种背接触太阳能电池片及其制备方法,其包括相对设置在半导体基底上的正面和背面,所述背面包括第一导电区、第二导电区和隔离结构单元,所述第一导电区和第二导电区的导电类型相反且沿半导体基底的第一方向交替排列,且所述隔离结构单元位于第一导...
  • 本公开实施例涉及光伏领域,提供一种太阳能电池及其制备方法,太阳能电池包括:基底;第一氧化铝层,第一氧化铝层位于基底的至少一侧,第一氧化铝层中掺杂有氮原子;第二氧化铝层,第二氧化铝层位于第一氧化铝层远离基底的一侧,第二氧化铝层中掺杂有用于补偿...
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