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  • 本申请涉及基于AI的网络安全系统建设运维方法、装置、系统及介质。所述方法包括:首先获取多维数据流,对其进行特征提取并运用算法降维得到低维特征向量集;随后依据此向量集融合自适应聚类算法,得到聚类模型参数;接着对聚类模型参数提取新型攻击特征,借...
  • 本申请公开了一种业务应用的访问方法及装置、系统、可读存储介质、产品,目标用户通过云平台上部署的目标业务应用的前端向所述目标业务应用的后端发送操作请求,所述操作请求携带第一令牌、第二令牌和操作指令,所述第一令牌是所述云平台反馈给所述目标用户的...
  • 本发明公开了一种基于分布式Swin Transformer和LSTM融合模型的通信信号识别方法,属于无线电通信技术及深度学习领域,方法包括获取通信信号iq数据集;对数据集进行连续小波变换,得到小波时频图;构建LSTM指导的分布式Swin T...
  • 本发明公开了基于深度学习的智慧网络设备调度优化方法,包括如下步骤:S1、采集多源运行状态数据并进行预处理,生成调度输入特征张量;S2、构建基于多头自注意力机制的Transformer预测模型,输出任务密度与资源压力预测值;S3、将预测值构成...
  • 针对现有技术缺乏对医疗终端设备的有效认证与数据安全管理的问题,本发明提出一种基于边缘区块链的智慧医疗监测数据管理方法,包括搭建融合边缘计算的多层区块链网络;注册医疗监测终端设备,获取医疗监测终端设备身份标识符;已注册的用户完成身份认证后,用...
  • 本发明公开了基于XR虚拟制作的多场景直播互动系统及方法,涉及数据交互领域,包括:监测模块,用于实时监测直播平台的直播间中由观众自主选择的XR特效动画,对监测到的直播平台的直播间中观众对于XR特效动画的选择结果进行储存;清洗模块,用于接收监测...
  • 本发明涉及电力巡检相关技术领域,本发明公开了电力配网巡视装置,包括云台摄像机主体,所述云台摄像机主体中的安装基座通过连接框和螺栓与待安装位置的对接基座相连接,且对接基座上开设有与螺栓对应的螺纹孔;所述安装基座上安装有与螺栓对应的防护器,且防...
  • 本申请提供了耳机音量的显示方法、装置、电子设备及存储介质,该方法应用于蓝牙通信领域,该方法包括:在电子设备与蓝牙耳机通信连接的情况下,响应于对蓝牙耳机的音量进行调节的控制指令,向蓝牙耳机发送控制指令,控制指令包含第一音量值,并将电子设备的用...
  • 本发明公开了一种基于ORAN的多模基站的实现方法,包括多模BBU和多模RRU,支持GSM、LTE和NR信号的协同处理与传输,所述方法采用Split 8架构处理GSM信号及采用Split 7~2A架构处理LTE/NR信号,所述多模BBU包含G...
  • 本申请实施例提供一种三维互连结构及其制作方法,旨在提高电信号传输的频率及稳定性。在本申请提供的三维互连结构中,第一互连结构连接连接子层和第一导电子层,第二互连结构连接连接子层和另一个第一导电子层;在空间上,第一屏蔽子层、第二屏蔽子层以及屏蔽...
  • 本发明公开一种解决台阶印制电路板台阶内有金属化孔的加工方法,涉及印制板制造领域。该解决台阶印制电路板台阶内有金属化孔的加工方法,包括选取控深铣刀、设计控深深度、钻孔前预处理、控深钻孔、钻孔后质量检查、完成控深铣台阶和最终质量检查步骤。该解决...
  • 本申请是关于一种电子设备的散热结构及电子结构,电子设备的散热结构包括:具有容纳腔的壳体,壳体上设有第一散热片和第二散热片,壳体向容纳腔内延伸设有第一散热部和第二散热部;第一散热组件包括第一散热板、第二散热板和散热件,第一散热板和第二散热板分...
  • 本发明提供了一种散热装置及控制方法。本发明的散热装置,用于齿轨卡轨机车的电驱组件散热,包括:冷却回路,包括管路,以及串联在管路上的泵送部、冷却部、散热部以及储液部,储液部内的冷却液在泵送部的驱动下,能够依次流经冷却部和散热部,并流回储液部内...
  • 本申请公开了一种磁吸导电泡棉制备工艺,包括如下步骤:第一步,模切第一宽度的第一泡棉体使其上表面形成有若干个分别带有限位部的定位槽;第二步,模切偶数个第二宽度的第二泡棉体使其下表面形成有若干个凸字形插块并在其一侧模切形成有1/2燕尾槽;第三步...
  • 本申请公开了三维网络结构纳米复合材料的制备方法及纳米复合材料,涉及材料技术领域。将rGO、CNTs与有机溶剂混合进行球磨处理,形成rGO‑CNTs导电网络,得到第一混合物;向第一混合物中加入BN,通过球磨处理使BN以圆片状嵌入rGO‑CNT...
  • 本发明提供一种β‑Ga2O3异质结二极管结构,从下至上依次为阴极金属、N+衬底区、N‑漂移区;P‑well区分为左右两部分,位于N‑漂移区上表面,P‑plus区分为左右两部分,位于P‑well区和...
  • 本发明提供一种功率半导体器件及其制备方法,制备方法包括步骤:提供一具有第一导电类型外延层的第一导电类型衬底,在外延层中形成多个栅沟槽结构、多个源沟槽结构及多个连接槽结构,在栅沟槽结构、源沟槽结构及连接槽结构以外的外延层的上表层形成第二导电类...
  • 本发明涉及一种半导体结构,尤其涉及一种氮化镓HEMT器件结构,氮化镓HEMT器件结构包括:第一栅极金属层,第一栅极金属层包括栅极金属板和栅极金属总线,栅极金属板与栅极金属总线相互连接,栅极金属板和栅极金属总线一体式构造;栅极金属总线沿第一方...
  • 本发明涉及一种用于Cds电容优化的氮化镓HEMT功率器件,包括:氮化镓材料层与功能层,功能层位于氮化镓材料层的上方;从下至上依次层叠设置的第一功能区、第二功能区和第三功能区,第一功能区包括源极、漏极和栅极;第二功能区包括位于源极上方的第一源...
  • 本发明涉及一种氮化镓功率器件导通电阻优化器件,其中包括底部结构层的源极和漏极,底部结构层上的第一结构层,包括多个源极金属条和多个漏极金属块,多个源极金属条交错组成的网形,且网形上具有多个空槽,每一漏极金属块设置在预设位置的其中一个空槽中;至...
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