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最新专利技术
  • 具有紧凑型引线设计的半导体封装
    具有紧凑型引线设计的半导体封装_德州仪器公司_202510337768.6
    本申请的实施例涉及具有紧凑型引线设计的半导体封装。在示例中， 一种半导体封装包含铜引线， 所述铜引线具有顶表面和底表面、端表面及正交于所述顶表面、底表面和端表面的第一和第二侧面。所述端表面、所述顶表面和所述底表面用另一金属镀覆， 所述第一侧...
    2026-03-23
  • 多管芯分立电子部件和用于产生多管芯分立电子部件的方法
    多管芯分立电子部件和用于产生多管芯分立电子部件的方法_半导体元件工业有限责任公司_202410821330.0
    本发明涉及多管芯分立电子部件和用于产生多管芯分立电子部件的方法。多管芯分立电子部件可以包括经分割引线框， 该经分割引线框包括内部引线框部分和外部引线框部分。该内部引线框部分可以至少部分地被该外部引线框部分环绕， 并且可以与该外部引线框部分电...
    2026-03-23
  • 用于半导体封装的成形裸片
    用于半导体封装的成形裸片_德州仪器公司_202510331918.2
    本申请涉及一种用于半导体封装的成形裸片。第一实例涉及包含裸片附接焊盘(102)和裸片(108)的装置。所述裸片附接焊盘(102)具有表面区(114)。所述裸片(108)包含装配在所述裸片附接焊盘(102)的所述表面区(114)内的基底表面(...
    2026-03-23
  • 裸片附接结构、半导体封装体、金属层堆叠体及其形成方法
    裸片附接结构、半导体封装体、金属层堆叠体及其形成方法_英飞凌科技股份有限公司_202510338200.6
    提供了一种裸片附接结构。所述裸片附接结构可以包括：基底结构， 其包括或由铝或铝合金组成；至少一个粘合促进层， 其直接位于所述基底结构上并且包括或由Zn‑Cr或Zn‑V组成；以及铜层， 其位于所述至少一个粘合促进层上。
    2026-03-23
  • 一种半桥功率模块引线框架及封装
    一种半桥功率模块引线框架及封装_峰岧科技(上海)有限公司_202510767087.3
    本申请提出一种半桥功率模块引线框架及封装， 涉及半导体封装技术领域。该引线框架包括：第一基岛、第二基岛、第三基岛以及第四基岛；将设有快恢复功率开关器件的第一基岛与第二基岛并排设于塑封体的第一长边， 而将设有功率驱动器件的第三基岛以及设有自举...
    2026-03-23
  • 一种基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法
    一种基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法_江门市华凯科技有限公司_202510784239.0
    本发明公开了一种基岛下沉或上浮局部填封结构及其喷涂工艺方法， 包括金属引线框本体， 金属引线框本体上设置有金属基岛和金属内引脚， 所述金属基岛为上浮基岛或下沉基岛， 所述金属基岛与金属内引脚之间连接有内填塑封料；局部填封结构采用喷涂工艺制备...
    2026-03-23
  • 部件载体组件和用于制造部件载体组件的方法
    部件载体组件和用于制造部件载体组件的方法_AT&S奥地利科技及系统技术股份公司_202410374941.5
    本发明涉及部件载体组件(1)， 其包括部件载体(2)， 所述部件载体包括堆叠(4)， 所述堆叠(4)包括至少一个导电层结构(5， 6)和至少一个电绝缘层结构(7)。所述部件载体组件进一步包括部件(10)， 其中， 在所述堆叠(4)内形成腔(...
    2026-03-23
  • 布线基板
    布线基板_揖斐电株式会社_202510324653.3
    本发明提供布线基板， 布线基板的品质提高。实施方式的布线基板(1)包含：第一积层部(10)；阻焊层(81)， 其与第一积层部(10)的第一面(10a)接触；以及金属柱(7)， 其从阻焊层(81)向与第一面(10a)相反的方向突出。第一积层部...
    2026-03-23
  • 电子装置
    电子装置_日月光半导体制造股份有限公司_202510379228.4
    本发明提供一种电子装置。所述电子装置包含衬底、第一衬垫和第二衬垫。所述衬底界定沿着第一方向延伸的沟槽。所述第一衬垫安置成邻近于所述沟槽。所述第二衬垫安置成紧邻所述第一衬垫。所述第一衬垫和所述第二衬垫安置在所述沟槽的同一侧且沿着所述第一方向布...
    2026-03-23
  • 宽带转换结构
    宽带转换结构_宁波隔空智能科技有限公司_202510649287.9
    本发明提供一种宽带转换结构， 通过芯片裸片、封装基板、BGA球及电路板依次连接， 实现从芯片裸片到波导或其他射频器件的高效信号转换， 封装基板内含谐振腔、射频通道、底层地金属层及上层地金属层， 毫米波信号经沿射频通道的金属化过孔传输至金属线...
    2026-03-23
  • 半导体装置与其制造方法
    半导体装置与其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510935355.8
    一种半导体装置包含基板、介电层、金属线层、钝化结构、主动凸块与虚设凸块。介电层在基板上。金属线层在介电层上， 其中金属线层包含贯穿介电层的通孔部分。钝化结构在金属线层上， 其中钝化结构包含被金属线层的通孔部分围绕的突出部分与在突出部分上的水...
    2026-03-23
  • 功率半导体装置及其封装方法
    功率半导体装置及其封装方法_武汉羿变电气有限公司_202511203356.X
    本申请公开了功率半导体装置及其封装方法， 该功率半导体装置的第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板并列设置于壳体；第一相桥、第二相桥、第三相桥、第四相桥、第五相桥以及第六相桥依次并排设置于第一覆铜陶瓷基板上；第七相桥、第八相桥、第九相桥、第十相...
    2026-03-23
  • 一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法
    一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法_浙江大学_202511233388.4
    本发明公开一种正交堆叠的双面冷却功率模块及其制备方法， 包括解耦电容、覆铜陶瓷基板、功率芯片和金属垫块；所述金属垫块和功率芯片采用金属垫块‑功率芯片‑金属垫块的方式进行逐层堆叠连接形成串联芯片组， 所述覆铜陶瓷基板与串联芯片组中金属垫块的两...
    2026-03-23
  • 包括垂直熔丝结构的半导体元件结构
    包括垂直熔丝结构的半导体元件结构_南亚科技股份有限公司_202410943316.8
    本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一半导体基底、一熔丝结构以及一电路区。该半导体基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该熔丝结构至少部分设置在该半导体基底内。该电路区电性连接到该熔丝结构。该熔丝结构...
    2026-03-23
  • 包括垂直熔丝结构的半导体元件结构
    包括垂直熔丝结构的半导体元件结构_南亚科技股份有限公司_202510433571.2
    本公开提供一种半导体元件结构及其制备方法。该半导体元件结构包括一半导体基底、一熔丝结构以及一电路区。该半导体基底具有一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该熔丝结构至少部分设置在该半导体基底内。该电路区电性连接到该熔丝结构。该熔丝结构...
    2026-03-23
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510374835.1
    提供了一种半导体器件， 该半导体器件包括：基层；在基层上的第一金属线；在第一金属线上的第一覆盖结构；以及围绕第一金属线和第一覆盖结构的隔离结构， 其中隔离结构和第一覆盖结构包括不同的电介质材料。
    2026-03-23
  • 一种半导体器件、封装结构
    一种半导体器件、封装结构_长鑫科技集团股份有限公司_202510898125.9
    本公开是关于一种半导体器件和封装结构， 半导体器件包括：第一半导体结构和第二半导体结构， 第一半导体结构包括第一焊盘和第一互连通孔， 第一互连通孔与第一焊盘有第一接触面积；第二半导体结构包括第二焊盘和第二互连通孔， 第二互连通孔与第二焊盘有...
    2026-03-23
  • 键合模块、半导体结构及其制作方法、堆叠结构
    键合模块、半导体结构及其制作方法、堆叠结构_长鑫科技集团股份有限公司_202510899279.X
    本公开实施例涉及半导体领域， 提供一种键合模块、半导体结构及其制作方法、堆叠结构， 其中， 键合模块包括：沿第一方向间隔排布的支撑层；键合柱， 键合柱位于相邻支撑层之间， 键合柱沿垂直于第一方向排布的表面与晶圆键合。可以提高晶圆键合的可靠性...
    2026-03-23
  • 具有交错背侧互连的集成电路结构
    具有交错背侧互连的集成电路结构_英特尔公司_202510224427.8
    本发明涉及具有交错背侧互连的集成电路结构。描述了具有交错背侧互连的结构。在示例中， 集成电路结构包括前侧结构， 该前侧结构包括具有多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管的器件层， 以及在器件层的多个基于纳米线的晶体管或多个基于鳍的晶体管...
    2026-03-23
  • 具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构
    具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构_英特尔公司_202510224430.X
    描述了具有均匀网格金属栅极和沟槽接触占位切口的集成电路结构。例如， 集成电路结构包括在水平纳米线的竖向堆叠或者鳍部上方的栅极电极。导电沟槽接触邻近于栅极电极， 其间具有电介质侧壁间隔部。第一和第二电介质切口插塞结构延伸通过栅极电极、通过电介...
    2026-03-23
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