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最新专利技术
  • 存储器装置及其操作方法
    存储器装置及其操作方法_爱思开海力士有限公司_202510139169.3
    本申请提供一种存储器装置及其操作方法。该存储器装置包括连接在位线与源极线之间的串， 其中所述串包括一个或多个存储器单元、连接在一个或多个存储器单元与位线之间的漏极选择晶体管、以及连接在一个或多个存储器单元与源极线之间的第一和第二源极选择晶体...
    2025-12-02
  • 接收器电路、接收方法及使用其的半导体装置和半导体系统
    接收器电路、接收方法及使用其的半导体装置和半导体系统_爱思开海力士有限公司_202411799239.X
    本公开涉及接收器电路、接收方法及使用其的半导体装置和半导体系统。一种接收器电路被配置为：基于时钟信号， 通过差分放大输入信号和参考电压来生成第一输出信号；以及基于互补时钟信号， 通过差分放大输入信号和参考电压来生成第二输出信号。接收器电路被...
    2025-12-02
  • 扫描寄存器电路和包括该扫描寄存器电路的存储器装置
    扫描寄存器电路和包括该扫描寄存器电路的存储器装置_三星电子株式会社_202510194082.6
    提供了通过失败位扫描操作生成位置索引信号的扫描寄存器电路和包括该扫描寄存器电路的存储器装置。所述存储器装置包括：存储器单元阵列， 被配置为存储数据；页缓冲器电路， 被配置为将数据存储在存储器单元阵列中或读取存储在存储器单元阵列中的数据；以及...
    2025-12-02
  • 接收电路及其控制方法
    接收电路及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202510371649.2
    本发明提供了一种接收电路及其控制方法， 以适当地检测输入信号。本发明的接收电路包括放大器及控制部。放大器是放大输入信号以产生输出信号。控制部被配置为接收输出信号， 且根据输入信号提供回授电阻， 其中控制部在输入信号的振幅在特定值以上时所提供...
    2025-12-02
  • 竖直存储器系统中的感测电路
    竖直存储器系统中的感测电路_美光科技公司_202510400228.8
    本申请案涉及竖直存储器系统中的感测电路。一种设备可包含各自与一组支柱中的相应支柱耦合的一组存储器单元。一组晶体管可与所述一组支柱中的相应支柱耦合， 所述一组晶体管中的每一者与所述一组存储器单元共用的数字线耦合。所述一组晶体管中的第一晶体管可...
    2025-12-02
  • 时钟传输电路和包括时钟传输电路的半导体装置
    时钟传输电路和包括时钟传输电路的半导体装置_爱思开海力士有限公司_202510402821.6
    一种时钟传输电路包括：第一反相器， 被配置成将通过时钟输入端子接收的输入时钟信号反相以生成反相时钟信号， 以及将反相时钟信号输出到时钟输出端子；反馈阻抗电路， 与第一反相器并联连接在时钟输出端子和时钟输入端子之间；以及反相器链单元， 包括以...
    2025-12-02
  • 使用晶体管感测的电压控制
    使用晶体管感测的电压控制_美光科技公司_202510400368.5
    本申请涉及使用晶体管感测的电压控制。存储器装置可支持包含一或多个感测晶体管的解码架构， 所述一或多个感测晶体管可感测供应到所述存储器装置的字线的电压。例如， 所述解码架构可包含经配置以将电压驱动到所述字线的一组晶体管， 且所述一或多个感测晶...
    2025-12-02
  • 存储电路及存储器
    存储电路及存储器_长鑫存储技术有限公司_202510875457.5
    本申请实施例涉及半导体领域， 提供一种存储电路及存储器， 存储电路至少可以包括：多个存储块， 每一所述存储块包括依次排列的第一存储子块、第二存储子块和第三存储子块， 所述第二存储子块包括第一存储部和第二存储部， 所述第一存储子块和所述第二存...
    2025-12-02
  • 存储电路、存储器、电子设备
    存储电路、存储器、电子设备_华为技术有限公司_202410410690.1
    本申请提供一种存储电路、存储器、电子设备。涉及数据存储技术领域。该存储电路包括：第一电极线(比如字线WL)、第二电极线(比如位线BL)、多个第三电极线(比如板线PL)， 以及还包括多个存储单元；每一个存储单元包括晶体管和多个支路， 晶体管的...
    2025-12-02
  • 一种存储器、存储器的控制方法、存储系统和电子设备
    一种存储器、存储器的控制方法、存储系统和电子设备_华为技术有限公司_202410411749.9
    本申请实施例涉及一种存储器、存储器的控制方法、存储系统和电子设备， 涉及存储技术领域。该存储器包括第一位线、第二位线、第一字线选择管、第二字线选择管、多个第一电容、多个第二电容和灵敏放大器。与多个第一电容耦合的第一字线选择管还与第一位线耦合...
    2025-12-02
  • 场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统
    场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统_中国科学院微电子研究所_202410419305.X
    本申请实施例公开了一种场效应晶体管的存储方法、可读存储介质和存储系统， 存储方法， 先为铁电极化辅助电荷俘获的场效应晶体管的栅极施加正或负脉冲， 以使场效应晶体管处于电子俘获状态或空穴俘获状态；在电子俘获状态或空穴俘获状态进行信息写入。基于...
    2025-12-02
  • 半导体存储装置及其控制方法
    半导体存储装置及其控制方法_华邦电子股份有限公司_202411070479.6
    本发明提供一种半导体存储装置及其控制方法， 半导体存储装置包括：多个存储库20， 其各自包括至少一传感放大器10；第一电压供给部30， 在进行多个存储库20中各传感放大器10连接的位线BLT、BLC电压的增幅动作的情况下， 将较传感放大器1...
    2025-12-02
  • 存储器件、感测放大器和存储器电路
    存储器件、感测放大器和存储器电路_三星电子株式会社_202510380384.2
    一种存储器件， 包括：多个存储单元；以及多个感测放大器， 电连接到多个存储单元中的一个或多个存储单元， 并且多个感测放大器中的每个感测放大器被配置为感测并放大位线的位线信号以产生经放大的位线信号。多个感测放大器中的至少一个感测放大器可以被配...
    2025-12-02
  • 存储系统及其操作方法
    存储系统及其操作方法_三星电子株式会社_202510091976.2
    提供了被配置为与主机通信的装置以及操作包括主机和装置的存储系统的方法， 该方法包括：由装置基于从主机提供的第一电压产生调节电压， 并且使用调节电压作为用于驱动装置的装置控制器的驱动电压；由主机从装置获得装置的驱动电压信息；由主机基于驱动电压...
    2025-12-02
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510305107.5
    一种半导体器件包括：在第一方向上彼此相邻的第一单位单元区域和第二单位单元区域；在第二方向上与第一单位单元区域相邻的第三单位单元区域；沿着第一方向与第一单位单元区域布置在一起的抽头单元区域；位线和互补位线， 每个位线和互补位线在衬底的第一表面...
    2025-12-02
  • 用于存储器系统的独立快闪转译层存储
    用于存储器系统的独立快闪转译层存储_美光科技公司_202510407905.9
    本申请涉及用于存储器系统的独立快闪转译层FTL存储。存储器系统可配置有多个独立FTL， 每一FTL由作为元数据存储在存储器装置的相应存储区中的一组相应指令定义。所述存储器系统可基于所述元数据对存储在所述相应存储区中的数据执行独立FTL的一或...
    2025-12-02
  • 存储器及其操作方法、存储器系统
    存储器及其操作方法、存储器系统_长江存储科技有限责任公司_202410410703.5
    本公开实施例提供一种存储器及其操作方法、存储器系统。所述存储器包括存储单元阵列和耦接至所述存储单元阵列的多条字线；所述操作方法包括：对选中字线施加验证电压， 并对源极线施加第一源极电压；其中， 所述选中字线对应耦接的存储单元至少包括将要被编...
    2025-12-02
  • 一种存储器系统、操作方法及可读存储介质
    一种存储器系统、操作方法及可读存储介质_长江存储科技有限责任公司_202410396497.7
    本申请实施例公开一种存储器系统、操作方法及可读存储介质。其中， 该存储器系统， 包括：存储器装置以及与所述存储器装置耦接的存储器控制器；其中， 所述存储器控制器， 被配置为：按照时间顺序， 获取所述存储器装置的工作温度， 且确定所述工作温度...
    2025-12-02
  • 编程电压供应器以及编程电压的产生方法
    编程电压供应器以及编程电压的产生方法_华邦电子股份有限公司_202410898713.8
    本发明提供一种编程电压供应器以及编程电压的产生方法。编程电压供应器包括多个控制器以及多电压产生器。控制器分别接收多个截止信号， 并共同接收时钟信号。控制器分别根据截止信号以产生多个启动信号。电压产生器用以提供编程电压。其中， 在第一阶段中，...
    2025-12-02
  • 存储器、存储器的读电压优化方法及计算机可读存储介质
    存储器、存储器的读电压优化方法及计算机可读存储介质_华为技术有限公司_202410391926.1
    本申请提供一种存储器、存储器的读电压优化方法及其计算机可读存储介质、电子设备， 涉及半导体技术领域， 用以解决优化存储器的读电压的问题。该存储器的读电压优化方法， 包括：在存储晶体管处于擦除态下， 向存储晶体管施加多个第一电压， 分别获取多...
    2025-12-02
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