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  • 本发明涉及光电子器件领域,公开了光电子器件防尘防水密封罩,包括密封罩本体,所述密封罩本体的下表面设置有底座,所述密封罩本体的内部设置有复位弹簧一,所述复位弹簧一的外壁设置有缓冲组件,所述缓冲组件与底座连接,所述密封罩本体的下表面设置有限位组...
  • 本申请公开一种太阳能电池及其制造方法、光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:半导体基底,半导体基底的第一表面包括第一区域和与第一切割侧面相邻的第二区域;第二区域包括台阶结构,台阶结构的侧壁与半导体基底的厚度方向之间具有夹角,第一区域设...
  • 本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件,涉及光伏技术领域。太阳能电池包括:电池本体,包括:沿其厚度方向相对的第一面和第二面,以及连接所述第一面和第二面的多个侧面;多个侧面中的至少一个侧面上设置有朝向电池本体内部凹陷的一个或多个凹坑...
  • 本发明公开一种太阳能电池、光伏组件和半导体基片,涉及光伏技术领域,以使钝化层对半导体基片具有良好的钝化效果,并改善掺杂半导体层与电极的接触性能、以及电极的塑形。太阳能电池包括半导体基片和钝化层。半导体基片的第一面和第二面中的至少一者为目标面...
  • 本申请提供一种太阳能电池及光伏组件,太阳能电池包括:半导体基底,具有相对的第一面和第二面;掺杂半导体层,设置在所述半导体基底的所述第一面;介质层,设置在所述掺杂半导体层背离所述半导体基底的一侧;所述介质层包括多个开口,所述开口露出所述掺杂半...
  • 本发明涉及LED灯珠检测技术领域,公开了一种LED灯珠光效提升工艺控制方法及装置。该方法:监测LED芯片的电流变化率和温度变化率,并触发瞬态控制切换信号,启动光谱分析仪监测荧光粉发射光谱的红移量和强度变化,得到瞬态性能衰减数据;将瞬态性能衰...
  • 本发明公开了一种发光二极管及其形成方法,在本发明的发光二极管的形成方法中,通过对P型接触层进行图案化处理,以形成多个平行排列的第一凸起,在第一凸起的侧表面形成随机排列的多个第一锥形凹槽,然后通过喷墨打印工艺将含有C8‑BTBT有机小分子的溶...
  • 本发明提供一种微型发光元件显示装置,包括多个微型发光元件。每一微型发光元件包括第一发光层及第二发光层。第一发光层包括第一外延结构,用以发出第一波长的光。第二发光层以金属层键合堆叠设置于第一发光层上。第二发光层包括第二外延结构及第三外延结构,...
  • 本发明公开了一种多波段LED外延结构及其制备方法,涉及半导体技术领域。本发明多波段LED外延结构的多量子阱发光层包括依次层叠的第一长波蓝光多量子阱发光层、第二中波蓝光多量子阱发光层、第三短波蓝光多量子阱发光层和第四短波蓝光末量子阱发光层,通...
  • 本发明提供一种发光二极管芯片的制备方法,制备方法包括:提供一蓝宝石衬底,在蓝宝石衬底上依次沉积N型半导体层、有源发光层以及P型半导体层作为外延层;在P型半导体层上制备N型半导体层导电台阶;在P型半导体层上制备电流扩展层;在电流扩展层上制备电...
  • 本发明公开了一种梯度斜切角衬底、半导体层及其制备方法,涉及半导体器件技术领域,该梯度斜切角衬底用于半导体层的制备,所述梯度斜切角衬底的表面包括中心区域、边缘区域,以及连接于所述中心区域与所述边缘区域之间的过渡区域;其中,所述中心区域的斜切角...
  • 本公开提供了一种定向出光的发光二极管及其制备方法,属于光电子制造技术领域。该发光二极管包括:发光块、反射层和金属电极层;所述发光块位于所述金属电极层的表面上,所述反射层位于所述金属电极层的表面上,且覆盖所述发光块,所述反射层的远离所述金属电...
  • 本发明公开了一种发光器件、其制作方法和显示装置,发光器件包括:支架,位于支架内的发光芯片,覆盖于发光芯片表面的防护层,以及填充于防护层上的封装层。在封装层和防护层中混合有荧光材料,那么在形成防护层之后,可以点亮发光芯片,从而激发防护层中的荧...
  • 本发明涉及半导体封装技术领域,具体的,涉及一种单面出光的白光CSP及其封装方法。包括依次复合的发光芯片、OCA胶膜、荧光胶膜和保护膜,所述发光芯片的发光面与OCA胶膜复合;所述发光芯片的侧壁面、OCA胶膜的侧壁面以及荧光胶膜的侧壁面均填充有...
  • 本申请公开了一种芯片结构及显示基板,属于显示技术领域。芯片结构包括:第一衬底、发光单元、色转换单元和调光单元。调光单元中的调光部的折射率可以大于功能层的折射率。这样,发光单元中的子发光功能层发出的光线在经过对应的光学功能部后,从光学功能层出...
  • 本发明属于显示技术领域,公开了一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置,显示面板的制备方法包括在第一基板上制备TFT层;在第二基板上制备LED;对所述LED进行通电检测并修复;扣合所述第一基板与所述第二基板,并使所述LED与所述TFT层电...
  • 本发明公开了一种集成同质微透镜阵列的Micro‑LED芯片阵列及其制备方法,所述方法包括Micro‑LED发光像素阵列与CMOS驱动电路基板的晶圆级精准键合及衬底去除,然后通过光刻、热熔回流及干法刻蚀技术,在GaN基像素阵列上集成同质像素级...
  • 本申请涉及一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置,该显示面板的制备方法包括:提供基板,所述基板的一侧形成有连接焊盘;于所述连接焊盘远离所述基板的一侧连接发光单元;其中,所述发光单元上的电极与所述连接焊盘接触,呈固态的相变材料围绕所述电极...
  • 本公开关于显示技术领域,涉及一种转移设备及转移方法。该转移设备包括:第一载台,在转移模式下承载具有芯片的第一基板;第二载台,在转移模式下承载第二基板,以与第一基板相对;振镜扫描模块,在转移模式下光斑打点,以使第一基板承载的芯片脱离、转移到第...
  • 本发明涉及半导体光电子器件制备技术领域,尤其涉及一种多维度混合Micro/Nano LED阵列及其制备方法。自下而上包括衬底;缺陷的石墨烯薄膜;二维过渡金属化合物图形阵列,位于缺陷的石墨烯薄膜的缺陷位点处;共金属电极,位于缺陷的石墨烯薄膜上...
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