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最新专利技术
  • 一种3kV以上高可靠超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3kV以上高可靠超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470384.8
    本发明提供了一种3kV以上高可靠超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲区；在缓冲区上外延生长，得到第一漂移区；离子注入形成P型区；去除阻挡层，第一漂...
    2025-11-24
  • 一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470386.7
    本发明提供了一种3kV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲区；外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入形成P型区；外延生长...
    2025-11-24
  • 一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470409.4
    本发明提供了一种3kV非对称超结沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区；去除阻挡层，在漂移层上外...
    2025-11-24
  • 一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470410.7
    本发明提供了一种用于2kV以上沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成均流层；离子注入，形...
    2025-11-24
  • 一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法
    一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511470418.3
    本发明提供了一种4.5kV超结沟槽栅碳化硅VDMOS及其制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底下侧面淀积金属，形成漏极金属层，在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成漂移层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入形成P型区；去除阻挡层，在漂移层上延生长，形成外延...
    2025-11-24
  • 一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法
    一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511484046.X
    本发明提供了一种5KV高可靠沟槽栅碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：淀积金属，形成漏极金属层；外延生长，形成缓冲层及漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P型区；外延生长，形成外延层；形成阻挡层，刻蚀，离子注入，形成P...
    2025-11-24
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202411902898.1
    提供了半导体器件及其制造方法。示例半导体器件包括：沟道层；阻挡层，所述阻挡层位于所述沟道层上；栅电极层，所述栅电极层位于所述阻挡层上并且在平行于所述阻挡层的上表面的第一方向上延伸；栅极半导体层，所述栅极半导体层位于所述阻挡层和所述栅电极层之...
    2025-11-24
  • 晶体管及其制备方法
    晶体管及其制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202510908109.3
    本公开提供了一种晶体管及其制备方法。晶体管包括：沟道层、第一势垒层、P‑GaN层、钝化层、第二势垒层、源极、漏极和栅极；第一势垒层位于沟道层上，P‑GaN层、源极和漏极均位于第一势垒层上，且P‑GaN层位于源极和漏极之间，钝化层覆盖P‑Ga...
    2025-11-24
  • 半导体器件和芯片
    半导体器件和芯片_深圳平湖实验室_202511138188.0
    本公开提供一种半导体器件和芯片，涉及半导体技术领域，用于提升半导体器件的栅极可靠性；该半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、帽层、栅极、源极、漏极和调制层；沟道层和势垒层沿远离衬底的方向层叠设于衬底上；帽层设于势垒层远离衬底的一侧；帽层中掺杂...
    2025-11-24
  • 一种PHEMT外延结构及其制备方法
    一种PHEMT外延结构及其制备方法_中科(深圳)无线半导体有限公司_202511338255.3
    本发明公开了一种PHEMT外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：依次叠层设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、第一InGaAs沟道层、第二InGaAs沟道层和AlGaAs势垒层；AlGaAs势垒层上方设置有源极、栅极和漏极；第一In...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构及集成电路
    一种半导体结构及集成电路_深圳平湖实验室_202511441731.4
    本公开提供一种半导体结构及集成电路，通过在势垒层上方设置电阻控制电极，一方面可以通过控制其上加载的正负电压来大小调节2DEG的浓度，从而获得一种阻值可调的GaN基集成平台的半导体结构；另一方面，可以控制电阻控制电极上加载0电位或将其设置为浮...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410566961.2
    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，基底上形成有叠层结构，叠层结构包括沿纵向自下而上交替堆叠的牺牲层和沟道层，基底上还形成有横跨叠层结构的伪栅结构；在伪栅结构两侧的基底上形成源漏掺杂层，源漏掺杂层与叠层结构的端部相接触；去除伪栅...
    2025-11-24
  • 与氧化物间隔件兼容的应力衬垫
    与氧化物间隔件兼容的应力衬垫_美光科技公司_202510406042.3
    本公开涉及一种与氧化物间隔件兼容的应力衬垫。多种应用可包含存储器装置在所述存储器装置的存储器阵列的外围中以及用于所述存储器阵列的感测放大器中实施CMOS装置。所述CMOS装置可包含具有介电侧壁的栅极结构，其中氧化物侧壁在所述介电侧壁上且接触...
    2025-11-24
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410587856.7
    本发明提供一种半导体结构及形成方法，其中半导体结构包括：衬底；位于所述衬底上多个分立排布的栅极结构，所述栅极结构沿着第一方向延伸；位于所述衬底上的介质层，所述介质层的顶部表面与所述栅极结构的顶部表面齐平；沿着所述第一方向位于所述栅极结构和所...
    2025-11-24
  • 半导体器件
    半导体器件_无锡华润上华科技有限公司_202410580363.0
    本发明涉及一种半导体器件，包括：漂移区，具有第二导电类型；漏极区，与所述漂移区直接接触；第一阱区；源极区，位于所述第一阱区中；第二阱区，具有第一导电类型，所述第二阱区与所述漂移区直接接触，至少部分所述第二阱区位于所述漂移区与所述第一阱区之间...
    2025-11-24
  • 一种基于深N阱的适用于宽温度范围应用的LDMOS结构
    一种基于深N阱的适用于宽温度范围应用的LDMOS结构_西安电子科技大学_202511051809.1
    本发明公开了一种基于深N阱的适用于宽温度范围应用的LDMOS结构，包括：SiC衬底层；外延层，设置于SiC衬底层的上表面；漂移区，由外延层的上表面延伸至外延层中；沟道区，由漂移区的上表面延伸至漂移区中；两个顶层掺杂区，两个顶层掺杂区对称间隔...
    2025-11-24
  • 一种LDMOS器件及其制备方法
    一种LDMOS器件及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511468091.6
    本申请公开了一种LDMOS器件及其制备方法，LDMOS器件包括：第一掺杂类型的半导体层；位于所述半导体层内部的体区和漂移区，所述体区具有第一掺杂类型，所述漂移区具有与第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述漂移区包括多个在水平方向排列的分区，多...
    2025-11-24
  • 一种半导体结构、形成方法及相关器件
    一种半导体结构、形成方法及相关器件_中芯国际集成电路制造(天津)有限公司_202410600077.6
    本申请实施例提供了一种半导体结构、形成方法及相关器件，其中，所述半导体结构，包括：衬底；位于所述衬底上的外延层，所述外延层包括依次堆叠的多个子外延层，其中，在背离所述衬底的方向上，所述子外延层的厚度和电阻率逐渐减小；位于所述外延层上的第一沟...
    2025-11-24
  • 垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法
    垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法_台亚半导体股份有限公司_202411068494.7
    本发明提供一种垂直扩散金氧半导体晶体管结构及其制造方法，其中垂直扩散金氧半导体晶体管结构包含一基底、一第一导电型的外延复合层、一栅极结构及两第二导电型的主体区域。主体区域配置于外延复合层内，且各主体区域间相隔一预定距离。外延复合层包含一低掺...
    2025-11-24
  • 金属氧化物半导体晶片装置
    金属氧化物半导体晶片装置_益力威芯股份有限公司_202411306575.6
    本发明提供一种金属氧化物半导体晶片装置，其包括一半导体基板，其中第一源极结构以及第二源极结构成对设置于半导体基板第一侧。汲极结构设置于半导体基板相对第一源极结构以及第二源极结构的第二侧上。第一通道结构设置其间并隔开第一源极结构及半导体基板，...
    2025-11-24
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