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  • 本发明涉及芯片封装技术领域,具体地说是一种基于玻璃基板的CPU芯片散热结构及其封装方法。包括玻璃基板,所述的玻璃基板内设有与外界相连通的玻璃通道,玻璃基板一侧表面贴装芯片,玻璃基板外侧设有散热器,所述的散热器包括外壳、液冷管道、换热装置,玻...
  • 本发明提供一种半导体结构及其制造方法。上述半导体结构包括衬底、介电衬层、衬底穿孔、阻挡层、锗化铜层与铜层。衬底包括彼此相对的第一面与第二面。在衬底中具有孔洞。介电衬层位于孔洞的侧壁上。衬底穿孔位于孔洞中。介电衬层位于衬底穿孔与衬底之间。阻挡...
  • 本公开实施例提供了一种光子芯片、光模块、电子设备和光子芯片测试方法,属于芯片技术领域。其中,光子芯片包括芯片本体,所述芯片本体的电连接面设置有多个植球焊盘和多个测试焊盘,每个所述植球焊盘通过所述芯片本体中的金属走线与至少一个所述测试焊盘电连...
  • 本发明提供了一种高可靠性和高出流能力的功率模块。功率模块包括至少一个功率单元,所述功率单元沿第一方向依次层叠设置散热器、覆铜陶瓷基板、硅基芯片和连接层;基板与芯片电连接并与散热器热传导,芯片通过基板与散热器热传导;连接层与芯片电连接,具有导...
  • 实施方式提供能够抑制开关时的噪声的半导体装置。在实施方式的半导体装置中,第一引线框上的第一晶体管的第一端连接于第一引线框,第二引线框上的第二晶体管的第一端连接于第三引线框,第三引线框上的第三晶体管的第一端以及第二端分别连接于第三引线框以及第...
  • 本发明得到能抑制组装性的恶化、且能实现小型化的半导体装置。半导体装置包括基座构件(1a)、第一半导体元件(2)和第二半导体元件(3)。第二半导体元件的平面尺寸比第一半导体元件小。第一半导体元件和第二半导体元件在第一方向(DR1)上排列。在基...
  • 电子装置及制造电子装置的方法。一种电子装置包含衬底,所述衬底包括包含触点第一横向侧和触点第二横向侧的触点。触点第一外部端子从所述触点第一横向侧向外延伸。触点第二外部端子从所述触点第一横向侧向外延伸并通过间隙与所述触点第一外部端子分离。电子组...
  • 本发明提供了一种功率模块以及电子设备,该功率模块包括基板、若干个端子、封装体以及若干个窗结构。其中,至少一个端子为第一端子结构,第一端子结构与基板电性连接,第一端子结构包括第一区和第二区,第一区在基板所在平面的投影位于基板表面,第二区在基板...
  • 本发明提供一种高散热高机械强度的平板型模块结构及其制备方法,平板型模块结构包括:IMS框架,IMS框架为顶部敞开的框体结构,IMS框架内形成有安装腔;芯片,芯片设置于安装腔内;铜排,铜排设置于安装腔内并与芯片层叠设置;功率端子,功率端子设置...
  • 本申请公开了一种半导体模组、集成模块、控制器和车辆,所述半导体模组包括至少两个半导体器件、控制信号输入部和控制信号输出部,所述半导体器件包括第一电极和第二电极;每个所述半导体器件的第一电极与所述控制信号输入部电连接,每个所述半导体器件的第二...
  • 本发明属于射频前端技术领域,具体为应用于SiP封装的超宽带多层垂直互连结构。该结构利用新颖的TGV技术,在层间cpwg下方嵌入空腔,同时插入高低阻抗线结构,以降低插入损耗,提高回波损耗。所述结构利用HFSS软件进行仿真和优化。仿真得到极优结...
  • 本申请涉及半导体工艺技术领域,具体地,涉及一种半导体封装结构和半导体结构。该半导体封装结构,至少包括:依次堆叠的法兰层和陶瓷基板层;其中:所述法兰层和所述陶瓷基板层的接触界面形成第一金属化层;所述陶瓷基板层表面用于连接待封装芯片,所述待封装...
  • 本公开涉及一种中介连接板、半导体器件及电子设备,所述中介连接板包括基板层以及布线层,所述布线层形成于所述基板层,所述布线层包括多条信号线,至少部分所述信号线具有基础段和调整段,所述调整段的截面尺寸大于所述基础段的截面尺寸。通过上述技术方案,...
  • 提供一种测试元件组位于晶圆的划道,包括第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫、至少一第三探针焊垫、至少一上排接触区以及至少一下排接触区。当至少一上排接触区电性连接第一探针焊垫、至少一第二探针焊垫以及至少一第三探针焊垫,至少一下排接触区与第一探针焊...
  • 本申请公开了一种SPICE模型中局部失配偏移率的测试结构及方法,测试结构包括:第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管和第二晶体管分别包括第一源端、第一漏端、栅端和衬底端四个测试端,其中,所述第一晶体管和第二晶体管还分别包括:第二源端和第二漏...
  • 本发明涉及针对具有暴露的管芯背面的倒装芯片封装的EMI屏蔽。一种半导体器件具有衬底和设置在衬底之上的半导体管芯。密封剂沉积在半导体管芯和衬底之上,其中半导体管芯的表面从密封剂中被暴露。在半导体管芯之上形成第一屏蔽层。在一些实施例中,第一屏蔽...
  • 本公开涉及一种中介连接板、封装结构和电子设备。该中介连接板用于连接封装基板和芯片,中介连接板包括基体层、以及设于基体层上方的信号层和隔离层。中介连接板还包括屏蔽层,信号层和隔离层设于屏蔽层与基体层之间。该中介连接板在背离基体层的一侧设置了屏...
  • 实施方式提供能够在减少振铃峰值的同时抑制部件空间的半导体器件。实施方式的半导体器件具备第一开关元件、第二开关元件以及电容器。第二开关元件与第一开关元件电连接。电容器具有第一端子、第二端子以及电容器部,该电容器部的一端电连接于第一端子,另一端...
  • 实施方式提供能够降低噪声的半导体装置。实施方式的半导体装置包含:设置有第一电极及第二电极的第一开关元件、设置有第三电极及第四电极的第二开关元件、与第三电极连接的第一布线层、与第一电极连接的第二布线层及包含第一电介质层的第一电容器、基板、与第...
  • 本发明提供一种锌负极复合界面层及其制备方法和用途,所述复合界面层包括有机盐和无机盐;所述有机盐为选自海藻酸盐和透明质酸盐中的任意一种或两种;所述无机盐为选自碳酸氢盐和碳酸盐中的任意一种或两种。本发明这种复合界面层具备高机械性能,在隔绝水分子...
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