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  • 本公开涉及一种用于光学计量的照明源。该源包括矩阵,该矩阵包括25个发光二极管(LED),该LED被布置在与12个峰值波长范围相关联的12组中。组的峰值波长范围在400至1000纳米范围内。每组LED是独立控制的,并且每个LED具有可控的强度...
  • 一种等离子体处理方法,用于对基片进行等离子体处理,包括:按偏置信号的每个控制周期,获取关于对设置于基片支承部的电极供给所述偏置信号时的阻抗匹配状态的参数;和通过下述式(1)来决定第n个控制周期中的所述偏置信号的频率f(n),f(n)=f(n...
  • 多层基板(101)对包含在树脂层的主面分别形成有导体层的多个导体层形成树脂层的层进行层叠而构成。所述导体层形成树脂层包含在一个主面形成有第1导体层的第1导体层形成树脂层(31)、和在一个主面形成有第2导体层的第2导体层形成树脂层(32),所...
  • 本说明书提供了绝缘膜和包括其的印刷电路板,所述绝缘膜包括:第一层,所述第一层包含基于环氧的树脂、基于氰酸酯的树脂和经苯基氨基硅烷表面处理的无机填料;和第二层,所述第二层包含基于环氧的树脂、基于酚的树脂和经环氧硅烷表面处理的无机填料。
  • 本发明涉及一种用于高弹性导热间隙垫的组合物,涉及一种由所述组合物制成的间隙垫,以及一种用所述组合物制备间隙垫的方法。
  • 提供一种能使焊料粒子高效地配置于电极上而得到高的导通可靠性的连接结构体的制造方法和连接结构体。具有:配置工序,将具备多个端子列的表面安装部件借助具有与每个端子列对应的矩形部的膜状焊料连接材料配置于布线基板;以及接合工序,使表面安装部件接合于...
  • 本发明的电路形成方法包括:第一部件载置工序,该第一部件载置工序将第一部件载置于布线之上,该第一部件具有在所述第一部件的上表面和下表面导通的导通部,以使第一部件的下表面的导通部与布线电连接;树脂层形成工序,该树脂层形成工序在第一部件和布线之上...
  • 多层电路基板(1A)具备:绝缘基材(10),将多个绝缘层(11)层叠而成,具有在层叠方向上相对的第1主面(10a)和第2主面(10b);多个导体层(20),设置在绝缘层(11)彼此之间、第1主面(10a)或第2主面(10b);以及多个层间连...
  • 多层电路基板(1A)具备:绝缘基材(10),将多个绝缘层(11)层叠而成,具有在层叠方向上相对的第1主面(10a)和第2主面(10b);多个导体层(20),设置在绝缘层(11)彼此之间、第1主面(10a)或第2主面(10b);多个层间连接导...
  • 在再布线基板中,在支承层的第三面上层叠形成第二绝缘层和第一绝缘层,在这些层内形成多个导体层。在支承层的第四面上层叠形成第三绝缘层和第四绝缘层,在这些层内形成多个导体层。在支承层中形成有从第四面朝向第三面逐渐变小的贯通孔。在其内部形成有过孔导...
  • 提供了一种防爆装置。防爆装置包括限定控制隔室和显示隔室的外壳。显示隔室与控制隔室隔离。防爆装置还包括接纳在显示隔室中的图形接口组件。图形接口组件被配置为呈现视觉信息并接收来自用户的输入。该图形接口组件包括显示传感器组件,该显示传感器组件包括...
  • 本申请涉及一种箱体框架、显示屏箱体及显示屏,箱体框架包括框架主体和防护装置。防护装置包括移动机构以及与移动机构相连的防护件,防护件位于框架主体的外侧,移动机构以能够移动的方式安装于框架主体,并带动防护件,使防护装置能够在防护状态与让位状态之...
  • 公开了一种用于将板固定在框架内的设备和使用该设备的系统。该设备包括至少一个安装支架和至少一个具有槽的保持件,两者均被配置为安装至框架。该设备具有可在闩锁状态和未闩锁状态之间枢转的手柄。手柄包括:限定出开口的远端部分;具有接合表面的近端部分;...
  • 一种维护计划制定装置(10),具备:计算部(32),基于对多个作业单元的动作产生影响的多个状态,计算与各状态对应的异常度,多个作业单元分别与生产生产物的生产装置的动作相关;决定部(33),基于异常度,从多个状态中决定需要进行用于恢复状态的维...
  • 带式供料器具备:带引导件,向预定的进给方向引导载带,载带包含基带及盖带而构成,上述基带具有收容元件的腔室,上述盖带由沿着带长度方向延伸的两条粘接部粘接于基带而覆盖腔室;带进给机构,能够沿着带引导件向进给方向输送载带并且使载带向反方向返回;带...
  • 本技术包括具有改进位线和存储节点触点电阻率和自对准的垂直单元动态随机存取存储器(DRAM)阵列,以及制造这种阵列的方法。该阵列包括在第一水平方向上布置的多条位线和在第二水平方向上布置的多条字线。该阵列包括多个沟道,在与第一方向和第二水平方向...
  • 本公开涉及用于管理半导体器件中的接触结构的方法、器件、系统和技术。示例半导体器件包括沿着第一方向彼此交替的导电层和隔离层的第一堆叠体以及沿着第一方向彼此交替的电介质层和隔离层的第二堆叠体。半导体器件的连接区域在正交于第一方向的第二方向上与半...
  • 本公开涉及用于管理半导体装置中的隔离结构的方法、装置、系统和技术。一种示例性半导体装置包括阵列区、连接区以及由沿第一方向相互交替的导电层和绝缘层构成的堆叠体。该半导体装置进一步包括至少具有第一区段和第二区段的栅极线结构。该栅极线结构沿垂直于...
  • 公开了使用掺杂膜层来制造存储器装置通道孔的方法。一种方法可包括提供基板及在基板上方形成垂直堆叠,其中垂直堆叠包括多个交替材料层。方法可进一步包括形成通过垂直堆叠的通道孔,沿着通道孔的侧壁形成氧化物‑氮化物‑氧化物层,在氧化物‑氮化物‑氧化物...
  • 半导体装置包含:芯片,其具有第一主面;IGBT区域,其形成于所述芯片的所述第一主面;二极管区域,其形成于所述芯片的所述第一主面,在第一方向上与所述IGBT区域相邻;栅极延伸电极,其在所述第一主面上的区域,沿所述第一方向连续地横穿所述IGBT...
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