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最新专利技术
  • 一种硫化物薄膜灰度掩模
    一种硫化物薄膜灰度掩模_益阳市徕腾雷博科技有限公司_202511504551.6
    本发明专利公开了一种硫化物薄膜灰度掩模，具体涉及半导体技术领域。包括基底，所述基底上设有硫化物薄膜，所述硫化物薄膜由低晶格对称性或高原子排列无序性的硫化物制成。制作方法如下：清洗：将所述基底依次采用酒精、丙酮、酒精进行超声波清洗10分钟，继...
    2026-03-28
  • 检查装置
    检查装置_株式会社斯库林集团_202511057292.7
    本发明提供一种可对被检查物照射更均匀的光的检查装置。检查装置(1)包括：光源(11)、第一光导(12)、均化器(14)、傅立叶变换透镜部(13)、照明光学系统(17)、测定台、成像光学系统(21)、以及图像传感器(25)。光源(11)射出光...
    2026-03-28
  • 一种感光纳米晶体材料及其制备方法
    一种感光纳米晶体材料及其制备方法_合肥汉旸科技材料有限公司_202511926946.5
    本发明公开了一种感光纳米晶体材料及其制备方法，属于光刻胶生产工艺技术领域。为解决现有光刻胶材料光吸收效率低、分辨率不足和制备复杂的问题，本发明采用Hf/Zr混合金属醇盐前驱体，通过无水水解、两相反应、表面改性和光敏添加等步骤制备。具体包括：...
    2026-03-28
  • 一种高解析度高感光性高耐热性化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法
    一种高解析度高感光性高耐热性化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法_惠州城市职业学院(惠州商贸旅游高级职业技术学校)_202511974271.1
    本发明公开了一种高解析度、高感光性与高耐热性化学放大型正性紫外光刻胶及其制备与使用方法。该光刻胶组分包括：聚对羟基苯乙烯类聚合物树脂(15.0~25.0%)、酚醛树脂(10.0~20.0%)、光致产酸剂(PAG，0.5~1.5%)、有机碱(...
    2026-03-28
  • 制造固化膜的方法及其使用
    制造固化膜的方法及其使用_默克专利有限公司_202511541140.4
    本发明提供一种高膜密度、高膜硬度、高耐蚀刻性的固化膜的制造方法。一种制造固化膜的方法，包括(1)在基板的上方应用组合物(i)；(2)由组合物(i)形成含烃膜；以及(3)对含烃膜照射等离子体、电子束和/或离子，形成固化膜。该固化膜的使用。
    2026-03-28
  • 半导体基板用底涂剂及图案形成方法
    半导体基板用底涂剂及图案形成方法_日产化学株式会社_202512046304.2
    提供与抗蚀剂膜的密合性高，能够形成薄膜且形成良好的抗蚀剂图案的作为新的抗蚀剂图案用表面改性剂的半导体基板用底涂剂、在基板上依次叠层了表面改性剂和抗蚀剂图案的叠层基板、图案形成方法以及半导体装置的制造方法。一种抗蚀剂图案用表面改性剂，是在基板...
    2026-03-28
  • 光刻结构的制备方法及装置
    光刻结构的制备方法及装置_深圳光峰科技股份有限公司_202411288595.5
    本申请公开了一种光刻结构的制备方法及装置，包括：在光刻基底上涂覆光刻胶；针对光刻基底上划分的多个区域中的每个区域，以每个区域对应的烘烤参数对每个区域上的光刻胶进行前烘，得到具有设定对比度分布的光刻胶层；以每个区域对应的曝光剂量分布对每个区域...
    2026-03-28
  • 一种同步罩可调与分区排气剪切流变协同的旋涂成膜装置
    一种同步罩可调与分区排气剪切流变协同的旋涂成膜装置_大连理工大学_202511820383.1
    本发明公开了一种同步罩可调与分区排气剪切流变协同的旋涂成膜装置，包括旋涂主体、同步罩组件和边缘处理模块。本发明提出同步罩高度随主轴工况联动的高度调节机制，显著降低由外部扰动与边界层不稳引起的径向膜厚梯度，实现展液阶段快速铺展与稳态甩膜时的均...
    2026-03-28
  • 光刻胶涂覆工艺及晶圆
    光刻胶涂覆工艺及晶圆_颀中科技(苏州)有限公司_202610163196.9
    本发明揭示一种光刻胶涂覆工艺，包括步骤：向晶圆的第一表面喷涂光刻胶，第一表面具有边缘区域；停止喷涂光刻胶，控制晶圆保持第一高速，所述光刻胶铺展并覆盖第一表面；将晶圆的转速自第一高速提高至第一速度；对所述晶圆进行减速洗边处理，开启洗边液喷头，...
    2026-03-28
  • 一种等离子体光刻成像方法、装置及计算机可读介质
    一种等离子体光刻成像方法、装置及计算机可读介质_中国科学院微电子研究所_202411315589.4
    本申请提供一种等离子体光刻成像方法、装置及计算机可读介质，包括：获取等离子体光刻成像的成像结构的轴向方向，成像结构包括呈一维周期性变化的多个掩模图形，光线以和轴向方向呈预设的离轴角度的目标方向照射呈一维周期性变化的多个掩模图形，获得呈一维周...
    2026-03-28
  • 空间滤波器及其制备方法、激光直写系统、制造系统
    空间滤波器及其制备方法、激光直写系统、制造系统_张江国家实验室_202411319951.5
    本申请涉及集成电路技术领域，公开了一种空间滤波器及其制备方法、激光直写系统、制造系统，用于提高激光直写系统中空间滤波器与微反射镜阵列之间的精密对准。制备方法包括提供一基底，在基底的第一面沉积薄膜层，在薄膜层涂覆第一光刻胶层，利用微反射镜阵列...
    2026-03-28
  • 谱线宽度的调整方法和电子器件的制造方法
    谱线宽度的调整方法和电子器件的制造方法_极光先进雷射株式会社_202511074343.7
    提供谱线宽度的调整方法和电子器件的制造方法。谱线宽度的调整方法包含以下步骤：第1步骤，对放大第1脉冲激光的一部分而将其转换成第2脉冲激光的第1触发信号的定时和放大第2连续光的一部分而将其转换成第3脉冲激光的第2触发信号的定时中的至少一方进行...
    2026-03-28
  • 一种多波段大视场反射式投影光刻系统
    一种多波段大视场反射式投影光刻系统_河南百合特种光学研究院有限公司_202511763507.7
    本发明涉及光学系统技术领域，公开了一种多波段大视场反射式投影光刻系统，包括照明组件和位于照明组件侧方的物镜组件，光束依次经过照明组件、物镜组件后入射到基板的光胶上；照明组件包括沿光束传播方向依次设置的第一照明透镜、第二照明透镜、光棒、第三照...
    2026-03-28
  • 双重光刻模型的构建方法及相关产品
    双重光刻模型的构建方法及相关产品_东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司_202511912773.1
    本发明提供了一种双重光刻模型的构建方法及相关产品。双重光刻模型的构建方法包括构建一重光刻刻蚀模型；构建二重光刻模型；对一重刻蚀仿真图和二重显影仿真图进行融合，得到融合仿真图；构建二重刻蚀模型，二重刻蚀模型用于根据融合仿真图、一重刻蚀仿真图和...
    2026-03-28
  • 一种双面卷对卷光刻设备
    一种双面卷对卷光刻设备_深圳市鑫浩自动化技术有限公司_202511994848.5
    本发明涉及一种双面卷对卷光刻设备，包括曝光机构和位于其两侧的放卷机构和收卷机构，曝光机构包括第一曝光平台和第二曝光平台，且两个曝光平台的入膜方向相反，曝光平台下方设置有平台导膜装置，平台导膜装置包括平行走向的第一平台导膜棍组和第二平台导膜棍...
    2026-03-28
  • 一种基于超构表面的高通量超分辨激光直写装置及方法
    一种基于超构表面的高通量超分辨激光直写装置及方法_浙江大学_202512028271.9
    本发明公开了一种基于超构表面的高通量超分辨激光直写装置和方法，该高通量超分辨激光直写装置采用单个超构表面通过波长偏振复用实现对激发光和抑制光阵列的同时整形，替代了传统方案中复杂的独立整形与合束光路，极大地简化了系统结构，产生的激发光与抑制光...
    2026-03-28
  • 一种几何相位超表面高通量激光直写系统和方法
    一种几何相位超表面高通量激光直写系统和方法_浙江大学_202512028899.9
    本发明公开了一种几何相位超表面高通量激光直写系统和方法，该系统按照光前进方向，包括飞秒激光器、扩束器、角色散补偿模块、数字微镜阵列、第二4F系统、空间光调制器、第五透镜和物镜；其中，该空间光调制器用于基于加载的全息相位图对来自数字微镜阵列的...
    2026-03-28
  • 基于准直平顶光的劳埃镜干涉光刻系统及光刻方法
    基于准直平顶光的劳埃镜干涉光刻系统及光刻方法_紫荆光刻技术(深圳)有限公司_202610075576.7
    本发明实施例涉及微纳结构光刻技术领域，公开了一种基于准直平顶光的劳埃镜干涉光刻系统及光刻方法，该光刻系统沿光路传输方向包括依次间隔设置的激光器、空间滤波器、偏振型连续可调光衰减系统、光束整形系统及劳埃镜干涉系统，激光器产生的激光经空间滤波器...
    2026-03-28
  • 一种基于拼接曝光的大尺寸光学窗口电磁屏蔽金属网栅的制备方法
    一种基于拼接曝光的大尺寸光学窗口电磁屏蔽金属网栅的制备方法_湖北久之洋红外系统股份有限公司_202512051184.5
    本发明提供了一种基于拼接曝光的大尺寸光学窗口电磁屏蔽金属网栅的制备方法，包括：S1.在光学窗口表面形成光刻胶牺牲层；S2.对目标区域进行第一次曝光形成主曝光区域和次曝光区域，其分别对应主视场和渐变视场；S3.移采用步进式移动曝光方式，进行第...
    2026-03-28
  • 一种微区工艺背面对准的方法
    一种微区工艺背面对准的方法_湖北九峰山实验室_202610048646.X
    本发明提供一种微区工艺背面对准的方法，属于双面光刻技术领域。本发明中采用FIB‑SEM技术在衬底背面空腔内标记出四个位点，在四个位点分别刻蚀出通孔标记，记录四个通孔的坐标；然后将衬底正面朝上放置于光学对准系统中，通过图像算法得到四个通孔的中...
    2026-03-28
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