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最新专利技术
  • 一种结型场效应管及其制作方法
    一种结型场效应管及其制作方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610209966.9
    本发明提供一种结型场效应管及其制作方法，结型场效应管包括设置在衬底中的漂移区，漂移区中设置有高压阱区，衬底上设置有氧化层，氧化层具有第一开口、第二开口和第三开口，第二开口和第三开口之间的氧化层上设有栅极，在第一开口和第三开口处均设有第一重掺...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411776977.2
    本发明的实施方式一般来说涉及半导体装置，包括第一电极、第一导电型的第一半导体区域、第二导电型的多个第二半导体区域、第二导电型的第三半导体区域、第一导电型的第四半导体区域、栅极电极、第二导电型的多个第五半导体区域、第二导电型的多个第六半导体区...
    2026-04-12
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202411886724.0
    本实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；第二电极，沿着第一方向与所述第一电极对置；以及半导体层，设置在第一电极与第二电极之间。半导体层包含与第二电极电连接的第一导电型的第一半导体区域和设置在第一半导体区域之上的第二导...
    2026-04-12
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社东芝_202510014302.2
    实施方式涉及半导体装置及其制造方法。半导体装置具备：第一电极；半导体部分，配置在所述第一电极上；第二电极，配置在所述半导体部分的单元区域上；第三电极，配置在所述半导体部分的末端区域上；第四电极，在所述半导体部分内配置在所述第一电极与所述第三...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510068889.5
    提供能够抑制阈值电压增大并且减小导通电阻的半导体装置。实施方式的半导体装置具有向半导体基板的厚度方向的一侧凹陷且收存第1电极的多个第1沟槽。具有向厚度方向的一侧凹陷且收存第2电极的第2沟槽。具有包围第1电极的基底层。具有与基底层接触且包围第...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510068892.7
    提供能够抑制漏电流的半导体装置。实施方式的半导体装置具有半导体部件、栅极电极和源极电极。半导体部件具有多个槽部、以及凹部。源极电极的至少一部分配置在凹部的内部。半导体部件具有漂移区域和台面区域。漂移区域具有第1导电型杂质。漂移区域位于比槽部...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202510128709.8
    能够抑制漏电流的产生的半导体装置，具备第一电极、第一导电型的第一半导体区域、栅极电极、第二绝缘层、第二导电型的第二半导体区域、第一导电型的第三半导体区域以及第二电极。第三半导体区域设置在第二半导体区域之上。第三半导体区域包含与第二半导体区域...
    2026-04-12
  • SGT器件及其制造方法
    SGT器件及其制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511894636.X
    本发明公开了一种SGT器件，包括：形成于第一外延层中的栅极沟槽，在栅极沟槽中形成有多层阶梯多晶硅场板；各层阶梯多晶硅场板和对应的栅极沟槽之间间隔有场板介质层，各场板介质层由多层介质子层叠加而成，相邻两层介质子层之间的材料不同并能实现选择性刻...
    2026-04-12
  • SGT器件及其制造方法
    SGT器件及其制造方法_南通尚阳通集成电路有限公司_202511894638.9
    本发明公开了一种SGT器件，器件单元结构的栅极沟槽的底部区域形成有源极场板，源极场板和栅极沟槽的内侧表面之间隔离有场板介质层。源极场板的顶部表面之上的栅极沟槽组成的顶部沟槽的底部表面形成有第一介质层，侧面形成有栅介质层以及呈侧墙结构的栅极导...
    2026-04-12
  • 一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法
    一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法_滁州华瑞微电子科技有限公司_202512022074.6
    本发明涉及半导体领域，公开了一种基于四层光罩的小型化VDMOS器件结构及其制备方法，包括：源极和漏极；源极靠近漏极的一侧设置有栅极，栅极的侧边设置有N型源区，N型源区靠近漏极的一侧设置有P型源区，P型源区靠近漏极的一侧设置有P型阱区，P型阱...
    2026-04-12
  • 沟槽型半导体场效应管及其制备方法
    沟槽型半导体场效应管及其制备方法_深圳天狼芯半导体有限公司_202610204418.7
    本申请涉及一种沟槽型半导体场效应管及其制备方法，包括：衬底，具有第一导电类型；漂移区，位于所述衬底上，具有第一导电类型；第一阱区，位于所述漂移区内远离所述衬底的一侧，具有第二导电类型；第二阱区，位于所述漂移区内远离所述衬底的一侧，与所述第一...
    2026-04-12
  • 一种SiC超级结结构的制作方法、SiC超级结结构以及SiC器件
    一种SiC超级结结构的制作方法、SiC超级结结构以及SiC器件_上海瞻芯电子科技股份有限公司_202610174494.8
    本申请公开了一种SiC超级结结构的制作方法、SiC超级结结构以及SiC器件。所述制作方法包括如下步骤：选择晶圆，当选择N型晶圆时，对所述晶圆进行预处理；生长掩模，在SiC晶圆表面生长掩模，所述掩模露出N柱的位置；刻蚀沟槽，按照所述掩模刻蚀沟...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411878682.6
    本发明的实施方式涉及半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具有：第1导电型的第1半导体区域，具有中央部和将所述中央部包围的末端区域；第1导电型的第2半导体区域，处于所述第1半导体区域的下部，设置于所述中央部，杂质浓度高于所述第1半导体区域；...
    2026-04-12
  • 包括沟槽栅极结构的半导体器件
    包括沟槽栅极结构的半导体器件_英飞凌科技奥地利有限公司_202511280747.1
    提出了包括沟槽栅极结构的半导体器件。半导体器件包括沿垂直方向从第一表面延伸到碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构。半导体器件还包括沿第一横向方向邻接沟槽栅极结构的侧壁的第一导电类型的本体区。本体区包括邻接侧壁的第一本体子区。本体区还包括邻接侧壁...
    2026-04-12
  • 半导体结构及其制备方法和半导体器件
    半导体结构及其制备方法和半导体器件_长江存储控股股份有限公司_202411266802.7
    本公开的实施例提供了一种半导体结构及其制备方法和半导体器件，涉及半导体的技术领域。半导体结构包括转接层和键合块，键合块与转接层层叠设置。键合块包括连接部和多个堆叠体，连接部连接任意相邻的两个堆叠体。任一个堆叠体与转接层键合。本公开的实施例中...
    2026-04-12
  • 半导体器件
    半导体器件_瑞萨电子株式会社_202511153597.8
    本公开的各实施例涉及半导体器件。通过精确地测量流经功率晶体管的电流的值，可以提高半导体器件的可靠性。半导体芯片包括功率晶体管和电连接到功率晶体管的源极区域的源极电极。源极电极和引线端子通过导线彼此电连接。源极电极包括用于检测流经功率晶体管的...
    2026-04-12
  • 体现在半导体材料中的横向取向的晶体管和对应的半导体封装
    体现在半导体材料中的横向取向的晶体管和对应的半导体封装_安世有限公司_202511310248.2
    体现在半导体材料中的横向取向的晶体管，包括第一组直接相邻放置的晶体管单元、第二组直接相邻放置的晶体管单元，其中所述第二组与所述第一组间隔开从而提供间隔，其中所述晶体管单元中的每个晶体管单元包括漏极、源极和栅极，其中所述横向取向的晶体管进一步...
    2026-04-12
  • 半导体装置
    半导体装置_罗姆股份有限公司_202511987189.2
    半导体装置具有至少一个端子，该端子包括具有导电性的筒状的支架以及插入到上述支架的金属销。另外，上述半导体装置具备支撑上述支架的端子支撑体、以及覆盖上述支架的一部分及上述端子支撑体的封固树脂。上述封固树脂具有朝向厚度方向的一方侧的树脂主面。上...
    2026-04-12
  • 半导体封装件
    半导体封装件_三星电子株式会社_202510471544.4
    一种半导体封装件包括：第一再分布结构；第一小芯片，所述第一小芯片位于所述第一再分布结构上；第二小芯片，所述第二小芯片位于所述第一再分布结构上并且在与所述第一再分布结构的表面平行的水平方向上邻近所述第一小芯片；第二再分布结构，所述第二再分布结...
    2026-04-12
  • 一种芯片以及电子设备
    一种芯片以及电子设备_西安紫光国芯半导体股份有限公司_202511958720.3
    本发明提供一种芯片以及电子设备，本发明提供的芯片包括封装基板、逻辑层和中介层，中介层设置于所述封装基板和所述逻辑层之间；其中，所述封装基板包括第一电源模块，所述逻辑层包括第二电源模块，所述中介层包括若干硅通孔，所述硅通孔连接所述第一电源模块...
    2026-04-12
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