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  • 本发明提供一种形成刻蚀孔的方法,包括:提供晶圆,晶圆包括衬底以及位于衬底表面的待刻蚀膜层;采用预设刻蚀工艺去除部分待刻蚀膜层,在衬底上形成刻蚀孔;在形成刻蚀孔的过程中,利用CCD相机实时采集刻蚀孔底部的光学信息;基于光学信息,计算刻蚀孔的实...
  • 申请涉及半导体技术领域,提供了一种减薄碳化硅晶圆的方法及碳化硅晶圆,减薄碳化硅晶圆的方法包括:在待减薄碳化硅晶圆的背面形成多个间隔设置的金属催化剂颗粒;将具有金属催化剂颗粒的待减薄碳化硅晶圆置入第一腐蚀液中,以腐蚀待减薄碳化硅晶圆,得到减薄...
  • 一种化学机械研磨系统包括:计量站,具有被配置为测量基板的厚度轮廓的传感器;机械臂,被配置为将基板从计量站传送到研磨站,研磨站具有:用于支撑具有研磨表面的研磨垫的平台;研磨表面上的承载头,承载头具有经配置以施加压力至承载头中基板的膜;以及控制...
  • 根据制造半导体器件的方法和半导体器件的实施例中的至少一个,可以防止形成有多个半导体元件的半导体晶圆在特定方向上翘曲。根据实施例的制造半导体器件的方法包括:在半导体晶圆的第一主表面的器件区域中形成多个半导体元件;以及在半导体晶圆上形成边沿,该...
  • 本发明提出了一种背锡硅晶圆的划切方法,包括:S1、在背锡硅晶圆的背面贴上胶膜进行烘烤后自然冷却;S2、选用轮毂型电镀划片进行磨刀处理和开刃处理;S3、将步骤S1处理完的晶圆固定于划片机载盘上,划片机上安装步骤S2处理完的轮毂型电镀划片,采用...
  • 本发明公开了一种半导体封装结构的分片方法及系统,采用纤维切割线对半导体封装结构进行切割分片。本发明采用包含硬质颗粒的纤维切割线作为切割介质,替代传统的刚性刀轮,通过控制纤维切割线的运动实现对整条切割道的同步切割,突破了切割刃长的物理限制,能...
  • 本申请涉及半导体材料技术领域,具体公开了一种大尺寸磷化铟晶片的清洗方法,清洗步骤如下:将大尺寸磷化铟晶片固定于载物台上,调节载物台倾斜角度使磷化铟晶片与水平面呈夹角;启动载物台使其旋转,同时向处理室注入清洗液进行喷洗;喷洗结束后,清洗液注入...
  • 本发明提供一种加工方法、加工设备及其上模装置,该加工方法包括使一积体电路元件以一基板载置在一下模装置上。使一上模装置与该下模装置结合,以相配合界定出对该积体电路元件进行加工的一加工区间。使一负压源对该加工区间抽气,以使一加工气体流入该加工区...
  • 一种激光对位清洗设备,包含基座单元、驱动单元、喷座单元及激光单元。所述基座单元用于承载晶材。所述驱动单元包括载板。所述喷座单元连接于所述载板底侧,且包括喷座本体,及至少一个固接于所述喷座本体的喷嘴件,所述至少一个喷嘴件面向所述晶材喷出药剂。...
  • 本发明提供能够抑制供给至基板的一个主面的处理液向基板的另一主面绕入的技术。基板处理装置(100)包括底板(11)、将基板(9)限位在其上方的限位销(13)、使底板绕旋转轴线(J1)旋转的旋转机构(14)、向基板的上表面供给处理液的处理液供给...
  • 本发明提供一种基板处理装置以及具备该基板处理装置的基板处理系统,构成为,外部气体经由位于外锥部(15b)与保持于旋转卡盘(8)的基板之间的环状的间隙即第一流路(M1)被取入杯(19)内的液体回收室(N1),取入到液体回收室(N1)的外部气体...
  • 本发明涉及基板处理装置及控制方法。基板处理装置具有:在泵(15)的下游由合流配管(20b)分支而成的、向腔室内的多种处理部输送处理液的多根支管;控制泵(15)的控制部(139)。多根支管包含:处理液的流量最多的预湿配管(PW);处理液的流量...
  • 本发明的课题在于提供一种可在旋转载台的旋转时适当地对基板收纳容器进行定位的清洗装置。清洗装置包含:清洗处理槽,对基板收纳容器进行清洗;以及容器保持部,对所述基板收纳容器进行保持并且使其旋转,所述容器保持部包含:旋转载台,供载置所述基板收纳容...
  • 本技术的各种实施例可以提供分别经由第一气体管线和第二气体管线联接到第一反应室和第二反应室的容器。每个气体管线可以包括可变特征,其中每个柔性特征配置为改变流过气体管线的气体的流动动力学。
  • 本申请涉及一种芯片标记装置,其包括支架、驱动组件、弹性组件以及标记组件,所述驱动组件设于所述支架,所述弹性组件与所述驱动组件连接,所述标记组件与所述驱动组件连接,所述标记组件与所述弹性组件能够在所述驱动组件的带动下相对所述支架作升降运动以与...
  • 本发明公开了降低EPI过程应力突变造成长膜畸变量的系统及工艺,涉及到晶圆生产技术领域,边缘缺陷检测模块,用于对晶圆边缘环形区域进行扫描,并将该区域划分为N个周向扇区,识别每个扇区j内的微裂纹几何参数,并输出按照每个扇区j组织的结构化缺陷坐标...
  • 本发明涉及半导体技术领域,提供了一种基片清洗设备及清洗方法,所述基片清洗设备包括设备本体;设置于所述设备本体内的氧化层清洗装置,所述氧化层清洗装置用于清洗基片正面的氧化层;设置于所述设备本体内的颗粒物清洗装置,所述颗粒物清洗装置用于清洗所述...
  • 本发明属于涂胶显影设备技术领域,具体地说是一种恒温恒湿洁净的晶圆工艺环境系统,包括竖直分隔板、温湿度调节装置、风机过滤机组、单元腔体供风主管、单元腔体排风管、单元腔体风盒、机器人腔体供风主管、机器人腔体排风管、机器人腔体风盒。本发明通过温湿...
  • 本申请提供了一种晶圆加工装置及半导体加工设备,涉及半导体技术领域,用于保障经过晶圆接受测试后的晶圆质量,晶圆加工装置包括机体以及至少一个电极机构,机体具有用于容纳晶圆的容纳空间,电极机构包括电极组件、供液组件和供电组件。电极组件容纳于容纳空...
  • 本申请提供了一种晶圆清洗装置及晶圆清洗方法,属于晶圆处理技术领域。该晶圆清洗装置包括箱体、承载盘、上挡圈及匀流结构,承载盘转动设置于箱体内,用于带动晶圆旋转,上挡圈升降设置于箱体内,以遮挡流体,匀流结构设置于上挡圈内侧下方,以均衡上挡圈内的...
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