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最新专利技术
  • 开关装置及功率变换器
    开关装置及功率变换器_华为技术有限公司_202511753993.4
    本申请提供一种开关装置及功率变换器，涉及光伏发电技术领域。该功率变换器包括开关装置、功率变换电路和控制器；在外部故障时，控制器向第一驱动装置发送第一驱动信号，第一驱动装置驱动操作机构动作，操作机构带动动触头运动实现分闸；在第一驱动装置驱动操...
    2026-04-27
  • 一种断路器和保护器设备
    一种断路器和保护器设备_烟台市业达建设工程质量检测有限公司_202511786564.7
    本申请涉及电力设备技术领域，尤其是涉及一种断路器和保护器设备，包括断路器本体和保护器本体；所述断路器本体包括外壳体，以及分别设置在外壳体内部的灭弧装置、触头系统、操作机构和脱扣机构，所述外壳体的外表面设置有操作开关，所述外壳体背面设置有卡接...
    2026-04-27
  • 断路器
    断路器_上海电科院技术有限公司_202411450483.5
    本申请公开了一种断路器，包括触头系统；灭弧系统，包括引弧组件和两个沿第二方向间隔设置的灭弧组件，引弧组件包括设于两个灭弧组件之间的中间引弧片，中间引弧片的至少部分沿第一方向朝向触头系统延伸；壳体，触头系统和灭弧系统沿第一方向相间隔的设于壳体...
    2026-04-27
  • 一种多功能直流断路器
    一种多功能直流断路器_乐星电气(无锡)有限公司_202610269732.3
    本发明涉及断路器技术领域，公开一种多功能直流断路器，包括壳体，设置于壳体两端处的引线，设置于壳体内部一侧的防过载机构，设置于防过载机构底部的防短路机构，设置于防短路机构一侧的跳闸机构，还包括设置于跳闸机构一侧的灭弧机构；防短路机构用于防止路...
    2026-04-27
  • 一种双开断式可控性保护装置
    一种双开断式可控性保护装置_杭州超熔科技有限公司_202610315168.4
    本发明涉及电路保护器件技术领域，且公开了一种双开断式可控性保护装置，包括导电排、触发体、信号传输模块和多个开断组件，触发体串联在导电排上，由通流金属体和低熔金属体组成，通流金属体上有若干折弯，折弯处放置低熔金属体，信号传输模块包括内触发线、...
    2026-04-27
  • 用于储能系统的大电流智能熔断器
    用于储能系统的大电流智能熔断器_浙江中贝能源科技有限公司_202610352226.0
    本申请提供了一种用于储能系统的大电流智能熔断器，包括壳体、分流器、点火装置和控制单元，壳体上开设有第一开口和第二开口；分流器设置在壳体中，且分流器的两端分别从第一开口和第二开口穿出；分流器用于检测主回路上的电流值；分流器上还设置有薄弱部，点...
    2026-04-27
  • 一种熔断器及其熔断器底座
    一种熔断器及其熔断器底座_韩超军_202311815156.0
    本发明涉及熔断器技术领域，具体而言，是一种熔断器及其熔断器底座；熔断器，包括熔断管，熔断管两侧分别安装有端部密封件，两个端部密封件之间安装有熔体，端部密封件包括边缘壳体和顶紧套，顶紧套可拆卸安装在边缘壳体内侧，顶紧套和边缘壳体分别卡在熔断管...
    2026-04-27
  • 一种基于透射电镜原位制备晶体电子源的方法
    一种基于透射电镜原位制备晶体电子源的方法_中山大学_202511805664.X
    本发明涉及场发射电子源技术领域，公开了一种基于透射电镜原位制备晶体电子源的方法。本发明提供的方法，通过在TEM高真空腔室内，利用纳米手对阴极材料进行原位可控的物理或电热激励，在其表面特定区域可控制备出尺寸、形貌和晶体结构明确的单晶或多晶纳米...
    2026-04-27
  • 一种用于太赫兹行波管的电子枪及行波管
    一种用于太赫兹行波管的电子枪及行波管_北京真空电子技术研究所(中国电子科技集团公司第十二研究所)_202511838682.8
    本发明提供一种用于太赫兹行波管的电子枪及行波管，该电子枪包括阳极件；位于阳极件内部的聚焦极件；位于阳极件与聚焦极件之间的外绝缘陶瓷环；位于聚焦极件内部的阴极件；以及位于阴极件与聚焦极件之间的内绝缘陶瓷环；所述阳极件，聚焦极件和阴极件的材质均...
    2026-04-27
  • 外腔加载超材料的同轴磁控管
    外腔加载超材料的同轴磁控管_南京理工大学_202610332473.4
    本发明公开了一种外腔加载超材料的同轴磁控管，包括由内至外依次设置的阳极叶片组、阳极圆筒、超材料层以及外圆筒，所述阳极叶片组由多个阳极叶片呈环形均匀阵列排布构成，相邻阳极叶片之间构成谐振内腔；所述阳极圆筒套设于阳极叶片组外部，其筒壁上开设有多...
    2026-04-27
  • 一种大电流脉冲微通道板电子发射源及X射线发生装置
    一种大电流脉冲微通道板电子发射源及X射线发生装置_海南会峰科技有限公司_202610077329.0
    本发明涉及电子发射技术领域，公开一种大电流脉冲微通道板电子发射源及X射线发生装置。该电子发射源采用快速调控的UV LED光源激发MCP组件首端的电子发射功能层，并通过电子流在MCP中的雪崩倍增过程，实现电子束流的超快时序调制。通过采用特定高...
    2026-04-27
  • 一种五层栅网聚焦型射频离子源
    一种五层栅网聚焦型射频离子源_湖南先进技术研究院_202610328643.1
    本发明公开了一种五层栅网聚焦型射频离子源，包括离子源模块，离子源模块的离子射出端设有五层栅网聚焦模块，五层栅网聚焦模块包括沿离子源模块的离子射出方向依次间隔布置的一级屏栅、一级加速栅、一级减速栅、二级减速栅和二级加速栅，一级屏栅、一级加速栅...
    2026-04-27
  • 用于环境扫描电镜过真空的可调节探针座
    用于环境扫描电镜过真空的可调节探针座_中国科学院理化技术研究所_202610011247.6
    本发明涉及扫描电镜和机械技术领域，特别是涉及一种用于环境扫描电镜过真空的可调节探针座。可调节探针座包括：法兰盘，所述法兰盘的第一端面与环境扫描电镜连接；连杆机构，位于所述法兰盘第一端面的外侧；探针，安装于所述连杆机构远离所述法兰盘的一端；真...
    2026-04-27
  • 离子注入机束流检测电路、方法及调整装置
    离子注入机束流检测电路、方法及调整装置_上海凯世通半导体股份有限公司_202411452066.4
    一种离子注入机束流检测电路、方法及调整装置，所述离子注入机束流检测电路，包括：输入调理单元，用于接收离子注入机束流的差分模拟信号；将所接收的差分模拟信号转换为对应的单端信号；对所述单端信号进行滤波处理，获取所述单端信号中的交变信号；对所述交...
    2026-04-27
  • 一种下电极组件、下电极组件控制方法和半导体工艺设备
    一种下电极组件、下电极组件控制方法和半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202411427106.X
    本发明实施例提供了一种下电极组件、下电极组件控制方法和半导体工艺设备，该下电极组件包括：聚焦环，晶圆承载装置，射频电源，检测模块和控制模块，聚焦环环绕晶圆承载装置的承载面设置，检测模块与控制模块连接；射频电源用于向晶圆承载装置的偏压电极和聚...
    2026-04-27
  • 基板处理装置、保护部件、半导体器件的制造方法及程序产品
    基板处理装置、保护部件、半导体器件的制造方法及程序产品_株式会社国际电气_202510992667.2
    本发明提供能够调整抑制反应副生成物等向处理容器内周面的附着的范围的技术。包括：处理容器，其进行基板的处理；气体供给部，其能够向所述处理容器内供给对所述基板进行处理的气体；保护部件，其沿着所述处理容器的内周面配置，能够通过在周向上旋转来调整高...
    2026-04-27
  • 一种刻蚀终点检测方法、半导体结构及其制作方法
    一种刻蚀终点检测方法、半导体结构及其制作方法_天府兴隆湖实验室_202511967053.5
    本申请提供一种刻蚀终点检测方法、半导体结构及其制作方法，刻蚀终点检测方法基于在刻蚀进程中对于第一反应产物浓度的直接检测，可以准确地确定刻蚀终点。相比于通过光谱等方式进行的对于第一反应产物浓度的趋势检测，本申请中确定的刻蚀终点的准确性更高。同...
    2026-04-27
  • 可兼容多尺寸晶圆的半导体设备用下电极
    可兼容多尺寸晶圆的半导体设备用下电极_上海稷以科技有限公司_202610058472.5
    本发明提出了一种可兼容多尺寸晶圆的半导体设备用下电极，包括：电极本体，其上表面开设有环形槽；环形槽关于电极本体的中心轴对称设置；及盖环，其与环形槽适配，其上表面不高于环形槽的上表面；其中，环形槽，其内径r＜100mm，其外径R≥104mm；...
    2026-04-27
  • 一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备
    一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备_安徽越好电子装备有限公司_202610080532.3
    本发明公开了一种大面积TGV玻璃表面和深孔内壁的刻蚀与清洗设备，属于半导体刻蚀与清洗设备技术领域。本发明旨在解决现有设备在处理大面积基板时存在的等离子体分布不均、密度低及深孔刻蚀效果差的问题。本设备集成了以电容耦合等离子体(CCP)反应腔为...
    2026-04-27
  • 等离子体处理装置及晶圆处理方法
    等离子体处理装置及晶圆处理方法_北京屹唐半导体科技股份有限公司_202610090786.3
    本公开实施例提供一种等离子体处理装置及晶圆处理方法，包括：工艺腔室、介质筒、等离子体产生单元、基座组件、主排气系统和辅助吸附系统；主排气系统，通过主排气管路与工艺腔室连接，用于调节工艺腔室内的压力；辅助吸附系统用于在主排气系统工作前将待处理...
    2026-04-27
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