Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • LED显示模组、电子产品和LED显示模组制造工艺
    LED显示模组、电子产品和LED显示模组制造工艺_深圳雷曼光电科技股份有限公司_202510722063.6
    本发明属于LED显示模组封装技术领域，具体是一种LED显示模组、电子产品和LED显示模组制造工艺。本发明的LED显示模组包括：基板，所述基板上设置有线路；若干个焊盘，设置在基板上，所述焊盘与所述线路电连接，至少两个相邻焊盘之间设置有间隙；L...
    2026-01-17
  • 芯片封装结构、摄像头模组及制备方法
    芯片封装结构、摄像头模组及制备方法_深圳市新四季信息技术有限公司_202510721301.1
    本申请涉及芯片封装的领域，提出一种芯片封装结构、摄像头模组及制备方法。所述芯片封装结构包括基板、芯片及散热导管组件。散热导管组件包括散热导管，散热导管的近芯片端对准芯片的预定热点区域进行热耦合，远芯片端用于将芯片的热量导出。本申请通过在芯片...
    2026-01-17
  • 一种太阳能电池组件
    一种太阳能电池组件_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510724697.5
    本发明涉及一种太阳能电池组件，包括若干个通过互联条串联的太阳能电池，太阳能电池包括硅基底，硅基底的背面交替设置有包括金属电极的第一区域和第二区域；电极包括沿第一方向设置的若干细栅和垂直细栅沿第二方向布置的若干主栅，细栅和主栅交叉位置沿第二方...
    2026-01-17
  • 一种太阳能电池组件
    一种太阳能电池组件_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510727460.2
    本发明涉及一种太阳能电池组件，包括若干个通过互联条串联的太阳能电池，太阳能电池的硅基底的背面间隔设置有若干去除部和非去除部，非去除部设置有背面金属电极；背面金属电极包括沿第一方向设置的若干细栅和沿第二方向布置的若干主栅，细栅和主栅交叉位置沿...
    2026-01-17
  • 多分片太阳能电池组件的制备方法和多分片太阳能电池组件
    多分片太阳能电池组件的制备方法和多分片太阳能电池组件_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510730290.3
    本发明提供的多分片太阳能电池组件的制备方法和多分片太阳能电池组件，涉及太阳能电池技术领域，该方法首先在电池片的正面和背面形成多个主栅和预切割槽，相邻的主栅上的多个间隔槽两两对应设置，且预切割槽与切割路径重合，并切除了PN结，然后将电池片切割...
    2026-01-17
  • 一种TOPCon太阳能电池切片及其制备方法、电池组件
    一种TOPCon太阳能电池切片及其制备方法、电池组件_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510727241.4
    本发明涉及一种TOPCon太阳能电池切片的制备方法，包括：硅片清洗与制绒；硅片正面硼掺杂；背面形成隧穿氧化层、磷掺杂的多晶硅层、掩膜层；激光图形化去除局部掩膜层；激光切片；去除激光损伤区域；去除掩膜层下的掺杂多晶硅层和隧穿氧化层形成减薄区，...
    2026-01-17
  • 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
    太阳能电池的制备方法和太阳能电池_淮安捷泰新能源科技有限公司_202510725857.8
    本发明实施例提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，该方法首先获取基底电池片，在该基底电池片上形成钝化膜层，然后再钝化膜层上形成栅线后进行烧结。先对栅线施加反向偏压，同时由钝化膜层的中间区域朝向边缘区域进行激光扫描，其中，对中间区域进行...
    2026-01-17
  • 一种基于二维材料墨水的光电探测器致密化打印制备方法
    一种基于二维材料墨水的光电探测器致密化打印制备方法_福州大学_202510721472.4
    本发明提出一种基于二维材料墨水的光电探测器致密化打印制备方法，所述制备方法在源极、漏极处以含纳米片的二维材料墨水打印活性层，以使纳米片在活性层处密集分布，所述源极、漏极以可收缩片为基底，当可收缩片收缩时，活性层处的纳米片在单位面积内的数量密...
    2026-01-17
  • 半金属MoTe2改性方法及基于改性半金属MoTe2的光电探测器
    半金属MoTe<Sub>2</Sub>改性方法及基于改性半金属MoTe<Sub>2</Sub>的光电探测器_西南技术物理研究所_202510716600.6
    本发明属于光电探测技术领域，公开了一种半金属MoTe2改性方法及基于半金属MoTe2的光电探测器，将半金属MoTe2晶体平铺在3M胶带上并按压；将3M胶带反复撕开‑粘贴4‑6...
    2026-01-17
  • 一种光电传感器及其制备方法、光电检测装置和电子设备
    一种光电传感器及其制备方法、光电检测装置和电子设备_阜时科技有限公司_202510724870.1
    本申请提供一种光电传感器及其制备方法、光电检测装置和电子设备，涉及半导体光电探测技术领域。针对电极制备的工艺误差导致的填充有金属的深槽隔离层与边缘掺杂结构需要保持安全距离的技术问题，本申请优化了像素单元的隔离结构，在填充有金属的深槽隔离层上...
    2026-01-17
  • 基于电场调控的高速高响应多模光电探测器芯片
    基于电场调控的高速高响应多模光电探测器芯片_中国电子科技集团公司第四十四研究所_202510716788.4
    本发明涉及一种基于电场调控的高速高响应多模光电探测器芯片，属于近红外光电探测技术领域。该光电探测器芯片包括阵列排布的管芯，每个管芯均包括半导体外延结构、抗反射膜、位于半导体外延结构和抗反射膜表面的金属电极以及形成于芯片表面的金属焊盘，其中金...
    2026-01-17
  • 一种晶圆重构结构和相应的制备方法
    一种晶圆重构结构和相应的制备方法_江阴长电先进封装有限公司_202510721059.8
    本发明涉及半导体加工领域，提供了一种晶圆重构结构和相应的制备方法，通过提供第一晶圆和边缘假片结构，所述边缘假片结构内具有贯穿厚度方向的通孔结构；将所述第一晶圆固定于对应的通孔结构内，且所述第一晶圆的侧面和对应通孔结构的内壁相连接；使得通过所...
    2026-01-17
  • 一种晶圆重构结构和相应的制备方法
    一种晶圆重构结构和相应的制备方法_江阴长电先进封装有限公司_202510721021.0
    本发明涉及半导体加工领域，提供了一种晶圆重构结构和相应的制备方法，通过提供第一晶圆和边缘假片结构，所述边缘假片结构内具有贯穿厚度方向的通孔结构；将所述边缘假片结构固定于所述第一晶圆表面；使得通过所述边缘假片结构降低所述第一晶圆的翘曲。
    2026-01-17
  • 显示面板、显示装置及显示面板的制造方法
    显示面板、显示装置及显示面板的制造方法_北京京东方显示技术有限公司_202510725043.4
    本公开提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法，该显示面板，包括显示区域，所述显示区域包括：层叠设置的基板、第一功能层和第二功能层；所述第一功能层中包括第一源漏金属层和半导体层；所述第二功能层中包括像素层和像素电极；所述第一源漏金属层...
    2026-01-17
  • 一种显示面板及显示装置
    一种显示面板及显示装置_湖北长江新型显示产业创新中心有限公司_202510724712.6
    本申请提供一种显示面板及显示装置，显示面板包括衬底和第一类晶体管，第一类晶体管包括有源层、第一栅极和第一供电结构。第一栅极位于有源层远离衬底的一侧，第一供电结构位于第一栅极远离有源层的一侧且第一供电结构与第一栅极电连接。有源层包括第一区域和...
    2026-01-17
  • 半导体结构及其制作方法
    半导体结构及其制作方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510726235.7
    本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制作方法，其中，半导体结构包括：上电极层及下电极层；电容介质结构，电容介质结构位于上电极层及下电极层之间，且电容介质结构包括：第一介质层和第二介质层，第一介质层覆盖下电极层的表面，第二介质层...
    2026-01-17
  • 一种用于改善硅电容深槽底部介质层尖角的深槽刻蚀方法
    一种用于改善硅电容深槽底部介质层尖角的深槽刻蚀方法_上海烨映微电子科技股份有限公司_202510718216.X
    本发明提供一种用于改善硅电容深槽底部介质层尖角的深槽刻蚀方法，包括如下步骤：采用近室温高密度等离子体刻蚀法对硅衬底进行锥形深槽刻蚀，具体工艺参数如下：源功率为400‑800W，偏置功率为20‑40W，蚀刻期间的SF6/...
    2026-01-17
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510726424.4
    本公开实施例提供了一种半导体结构及其制造方法，其中半导体结构包括：衬底以及位于衬底上的堆叠设置的多个第一晶体管，第一晶体管包括第一沟道层；沿第一方向延伸的第一字线，第一沟道层环绕第一字线；第一方向与衬底表面垂直；导电层，位于第一沟道层背离第...
    2026-01-17
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_长鑫科技集团股份有限公司_202510725792.7
    本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：基底，所述基底包括有源结构，所述有源结构包括第一子结构和第二子结构，所述第一子结构位于所述第二子结构沿第一方向相对的两侧；其中，所述第二子结构的垂直于所述第一方向的第一截面的面...
    2026-01-17
  • 一种冷凝面带热管凹槽的3DVC均热板及其生产工艺
    一种冷凝面带热管凹槽的3DVC均热板及其生产工艺_东莞市睿嘉新材料有限公司_202510721777.5
    本申请涉及均温板领域，更具体地说，它涉及一种冷凝面带热管凹槽的3DVC均热板及其生产工艺。从上表面至下表面依次设置有上盖、上盖毛细芯、下盖毛细芯以及下盖，所述上盖与所述下盖盖合，且内壁通过支撑模块连接；所述上盖包括热管槽模块，所述热管槽模块...
    2026-01-17
首页 上一页 7 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证