Document
拖动滑块完成拼图
首页 专利交易 IP管家助手 科技果 科技人才 积分商城 国际服务 商标交易 会员权益 需求市场 关于龙图腾
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
最新专利技术
  • 本发明公开一种储能电源、加热方法和存储介质,储能电源包括电池模组、线圈、逆变器、输出端口和开关,电池模组包括多个电池单体,电池单体包括导电外壳,逆变器可以与电池模组电连接,以将电池模组的直流电转换为交流电,线圈可电连接逆变器并能够流通交流电...
  • 本申请提供一种电池包及用电设备,电池包包括电芯模组及冷却板,电芯模组包括多个电芯及泄压阀,电芯包括电芯顶部和电芯底部,电芯顶部具有极柱,冷却板位于电芯底部,泄压阀设置于电芯顶部且位于极柱的一侧。本申请通过将泄压阀设置在电芯模组的顶部并通过将...
  • 本发明涉及电池技术领域,公开了电池。电池包括第一叠芯及第二叠芯。第二叠芯与第一叠芯沿第一方向层叠设置,第一叠芯与第二叠芯沿第二方向的尺寸不同,使得电池的形状适配机舱,提高机舱的空间利用率及电池的能量密度,通过在第一极片的第一主体与第二主体之...
  • 本发明涉及电池技术领域,公开了电芯及电池。电芯包括N层电芯单元,每层电芯单元包括正极片,正极片的表面具有第一区域和第二区域;第1层电芯单元和第N层电芯单元的正极片为第一正极片,第2层电芯单元至第N‑1层电芯单元的正极片为第二正极片,第一正极...
  • 本申请公开了一种圆柱电池及电池包。圆柱电池具有相互垂直的轴向以及周向,包括外壳以及设置于外壳内的卷芯组件。卷芯组件包括多个极片单元且具有轴线,各极片单元均具有沿轴向延伸的连接边,在周向上,各极片单元的连接边间隔设置,各极片单元在周向上均朝同...
  • 本申请公开了一种二次电芯及用电装置,属于电池技术领域。该产品在负极极片上进行激光打孔处理,同时对打孔深度百分比、负极极片中活性活性物质层的硅含量以及电芯中隔膜的陶瓷涂层厚度构建关系调控,不仅可以有效提升二次电芯中锂离子的传导效率,降低内阻,...
  • 本发明公开一种锌镍液流电池吹扫系统及方法,吹扫系统包括吹扫气体供应模块、流量控制模块、吹扫管道网络、压力监测模块、气体收集模块与智能控制系统;吹扫气体供应模块与流量控制模块相连,流量控制模块与吹扫管道网络相连,吹扫管道网络与锌镍液流电池电堆...
  • 本发明提供了一种钠离子电池正极材料及其制备方法与应用,所述钠离子电池正极材料的化学通式为NaXNiaMnbFecTidM...
  • 本发明公开了一种硅碳材料及其制备方法与应用。所述硅碳材料包括氮掺杂多孔碳及包覆氮掺杂多孔碳的无定形碳层,所述氮掺杂多孔碳的孔隙内填充有硼掺杂纳米硅。本发明中的氮掺杂多孔碳在提升电子导电率的同时改善了硅烷气体亲和性,实现高导电性、高致密硅碳复...
  • 本发明提供了一种预锂化剂及其制备方法、负极片和锂离子电池。该预锂化剂包括多孔碳、锂硅合金、非晶硅和碳层,锂硅合金和非晶硅位于多孔碳的孔隙中,且非晶硅包覆在锂硅合金的表面,碳层包覆在多孔碳的外表面。多孔碳作为载体,其高比表面积提供了充足的反应...
  • 本发明属于电池技术领域,本发明提供了一种负极材料及其制备方法与用途,负极材料包括内核以及包覆所述内核的壳层;内核包括含有La、Mn以及Fe的复合金属氧化物,壳层包括碳层;且内核及壳层均具有孔道结构并形成开孔。通过构建特定的复合金属氧化物,利...
  • 本发明提供了一种层状‑钙钛矿双相钾离子电池正极材料及其制备方法和应用,属于新能源材料领域。所述材料的制备方法包括以下步骤:S1、称取适量钾源、锰源、镨(或镧、钆)源于球磨罐中;S2、加入乙醇进行球磨处理,得混合料;S3、将混合料干燥;S4、...
  • 一种金属网络增强型锌基复合负极材料及其制备方法,所述材料包括锌基体颗粒和三维金属网络;锌基体颗粒表面具有梯度分布的Zn‑M合金层,M为Cu、Ag、Ni中的至少一种,所述合金层的厚度为200‑800nm;三维金属网络的网络线径为50‑200n...
  • 本发明属于电池制造技术领域,涉及一种基于功能集流体的封边极片及其制备方法与电池,所述封边极片包括功能集流体和设置于所述功能集流体至少一侧表面的活性材料层,所述功能集流体至少含有过渡层,所述封边极片的边缘端面设置有密封层,且所述密封层完全覆盖...
  • 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构,涉及半导体技术领域。框架本体(1)上表面设有芯片安装位,芯片安装位侧部设有多个封闭的第一凸台;第一凸台上设有顶部开口的第一凹槽;多个凸台、凹槽和塑封体形成的榫桙结构,减小施加在半导体器件上的会导致塑封...
  • 本发明公开了一种浸没式散热结构及其制备方法,涉及散热结构技术领域,浸没式散热结构包括第一冷却壳,内部具有冷却腔,第一冷却壳上端为冷凝端,冷却腔的周侧壁上至少部分设置有亲冷媒性微结构;冷却腔内用于放置发热件,冷却腔内用于填充液态冷媒,发热件能...
  • 本公开涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器,该形成方法包括:形成堆叠结构,堆叠结构包括至少两层沿竖直方向层叠连接的半导体单元,每层半导体单元包括介质层和嵌设于介质层内的金属互连结构;且在竖直方向上位于最顶层的半导体单元的介质层内具有过孔,...
  • 本发明涉及晶体管压接封装技术领域,公开了一种用于大功率晶体管压接封装结构,包括工作台,所述工作台的外侧固定连接有控制器,所述工作台的顶部安装有封装机构,所述封装机构包括运转板、液压缸、活塞杆以及封装板,所述工作台的顶部设置有夹持机构,所述夹...
  • 本申请涉及一种晶圆形貌测量方法、装置、计算机设备及可读存储介质。该方法包括:获取待测晶圆的几何形貌模型;待测晶圆表面设有多个对准标记;几何形貌模型包括几何参数以及形变参数;获取光刻机作用于待测晶圆的多个对准标记后,每个对准标记对应的实际对准...
  • 本发明提供了一种半导体器件失效定位方法,包括:步骤S1:提供一失效样品,在第一倍率下对失效样品进行热点抓取,得到热点的第一位置;步骤S2:在第一位置周围做出多个标记;步骤S3:在第二倍率下对失效样品进行热点抓取,第二倍率大于第一倍率;步骤S...
技术分类