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最新专利技术
  • 一种提高溴离子介导苯乙烯环氧化体系法拉第效率的方法
    一种提高溴离子介导苯乙烯环氧化体系法拉第效率的方法_中国科学院化学研究所_202410360935.4
    本发明公开一种提高溴离子介导苯乙烯环氧化法拉第效率的方法。本发明利用以α‑Fe2O3为工作电极的三电极体系进行溴离子介导的苯乙烯光电催化环氧化反应， 在不搅拌的情况下， 溴离子在光阳极局域酸性环境中被氧化生成次溴酸， 随后次溴酸高选择性和高...
    2025-12-31
  • 燃料制造方法以及燃料制造装置
    燃料制造方法以及燃料制造装置_丰田自动车株式会社_202510347271.2
    本公开为燃料制造方法以及燃料制造装置。一种燃料制造方法， 是通过依次反复进行工序1和工序2来制造CH4的燃料制造方法， 工序1包含：通过将具备在表面具有Ni2O3H的正极、包含储氢合金的负极和KHCO3水溶液的电化学单元利用与正极和负极分别...
    2025-12-31
  • 一种含溴废水电氧化处理系统及方法
    一种含溴废水电氧化处理系统及方法_中国石油大学(华东)_202511223456.9
    本发明公开了一种含溴废水电氧化处理系统及方法， 属于含溴废水处理技术领域。该系统包括含溴废水储罐、调节剂储罐、电解液储罐、横置式串流电解装置及刮板式薄膜蒸发器、溴素冷凝回收储罐及脱溴废水储罐， 且横置式串流电解装置包括阳极腔室、阴极腔室及调...
    2025-12-31
  • 一种间接电催化硫化氢电解液体系的制备方法及应用
    一种间接电催化硫化氢电解液体系的制备方法及应用_中国石油大学(华东)_202510445767.3
    本发明属于石油化工领域， 具体涉及了一种间接电催化硫化氢分解的电解液制备方法及应用。其特征在于基于二硫化碳的有机铵盐电解质溶液的反应体系， 通过多种有机铵盐以及有机溶剂调配比例制备出了基于二硫化碳的有机铵盐电解质溶液， 采用电化学装置组合形...
    2025-12-31
  • 一种基于复合处理的不锈钢工件表面强化方法及应用
    一种基于复合处理的不锈钢工件表面强化方法及应用_南京工业大学_202510980021.2
    本发明提供一种基于复合处理的不锈钢工件表面强化方法及应用， 包括以下步骤：S1待处理工件表面电解减薄预处理：将不锈钢工件置于电解抛光溶液一中进行减薄处理；S2低温表面强化处理：将经过步骤S1处理后的不锈钢工件置于加热炉中， 通入卤素气体进行...
    2025-12-31
  • 一种耐盐雾防锈剂
    一种耐盐雾防锈剂_洛阳润得利金属助剂有限公司_202510959528.X
    本发明涉及材料科学技术领域， 且公开了一种耐盐雾防锈剂， 其原材料及其质量分数为：石油磺酸钡10%～30%；石油磺酸钠5%～15%；十二烯基丁二酸3%～10%；二壬基磺酸钡8%～20%；石油磺酸镁5%～12%；苯并三氮唑0.5%～3%；N肌...
    2025-12-31
  • 含银金属膜蚀刻液组合物及其制备方法
    含银金属膜蚀刻液组合物及其制备方法_易安爱富科技有限公司_202510374399.8
    本发明涉及一种用于选择性地蚀刻含银(Ag)金属膜的组合物及其制备方法， 可防止下部膜的损坏、残渣及污痕并选择性地蚀刻含银或银合金的单一膜、或含所述金属膜及铟氧化膜的多层膜。
    2025-12-31
  • 一种双剂型蚀刻液
    一种双剂型蚀刻液_四川和晟达电子科技有限公司_202510785000.5
    本发明涉及蚀刻液技术领域， 具体的， 涉及一种双剂型蚀刻液。包括主剂和辅剂， 按重量百分比计， 所述主剂包括第一蚀刻剂10‑15％、第一调节剂0.5‑1％、第一稳定剂1‑5％、第一络合剂8‑12％、第一抑制剂0.05‑0.3％、双氧水10‑...
    2025-12-31
  • 一种显示器线路板的腐蚀加工工艺及装置
    一种显示器线路板的腐蚀加工工艺及装置_衢州元森光电技术股份有限公司_202510830618.9
    本发明涉及印刷电路技术领域， 具体涉及一种显示器线路板的腐蚀加工工艺及装置， 显示器线路板的腐蚀加工装置包括底座、两个导杆、两个第一滑块、腐蚀池、晃动组件、升降组件、移动组件和两个挂杆；所述晃动组件包括支架、第一电机、转轴、转盘和连杆；使用...
    2025-12-31
  • 一种耐高电位腐蚀复合涂层及其制备方法与应用
    一种耐高电位腐蚀复合涂层及其制备方法与应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511149101.X
    本发明公开了一种耐高电位腐蚀复合涂层及其制备方法与应用。所述耐高电位腐蚀复合涂层包括依次形成于作为基体的金属双极板表面的金属过渡层、类石墨非晶碳层和SnO2封孔层；其中， 所述SnO2封孔层通过原子层沉积的方式制备得到。本发明提供的耐高电位...
    2025-12-31
  • 一种复合铜箔的制备方法和一种锂离子电池
    一种复合铜箔的制备方法和一种锂离子电池_江西沃格光电集团股份有限公司_202510902058.3
    本发明提供了一种复合铜箔的制备方法， 包括以下步骤：S1)在高分子聚合物基膜表面制备金属薄膜， 得到粘附层；S2)利用磁控溅射方法在所述粘附层表面溅射铜；S3)将步骤S2)得到基膜在电镀液中进行电镀， 以在所述基膜的表面形成电镀层；S4)将...
    2025-12-31
  • 一种球阀球芯表面耐磨涂层的制备方法
    一种球阀球芯表面耐磨涂层的制备方法_六盘山实验室_202510866339.8
    本发明公开了一种球阀球芯表面耐磨涂层的制备方法， 属于耐磨涂层技术领域。该制备方法具体包括以下步骤：(1)对球芯表面进行喷砂， 超声清洗， 干燥， 备用；(2)将聚乙二醇和乙醇混合， 球磨， 得到聚乙二醇溶液；(3)将水基硅溶胶和聚乙二醇溶...
    2025-12-31
  • 铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体
    铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体_帕珂表面处理技术(上海)有限公司_202510121840.1
    本申请提供了一种铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体。在铜类材料表面或表面上具有第一表面处理层， 在铜类材料与第一表面处理层之间设置有第二表面处理层；第一表面处理层是由含有苯乙烯‑丁二烯‑丙烯酸系共聚物和具有乙烯基硅烷化合物的共聚物A、其...
    2025-12-31
  • 铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体
    铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体_帕珂表面处理技术(上海)有限公司_202411992272.4
    本发明的目的在于提供密合性和耐热性优异的铜类材料、铜类材料的制造方法以及层叠体。本发明的铜类材料在上述铜类材料的表面或表面上具有第一表面处理层、在上述铜类材料与上述第一表面处理层之间具有第二表面处理层， 上述第一表面处理层是由第一剂形成的层...
    2025-12-31
  • 一种基于非晶态TiC陶瓷耐磨涂层的耐磨板及其堆焊工艺
    一种基于非晶态TiC陶瓷耐磨涂层的耐磨板及其堆焊工艺_江阴市一英机械制造有限公司_202510947466.0
    本发明涉及非晶态TiC陶瓷技术领域， 具体涉及一种基于非晶态TiC陶瓷耐磨涂层的耐磨板及其堆焊工艺， 包括以下重量份原料：20‑40份多元粉、70‑80份Ti粉、20‑30份C粉；其中， 多元粉的制备工艺， 包括以下步骤：步骤1：通过溶胶凝...
    2025-12-31
  • 一种基于激光减材预处理的激光熔覆方法
    一种基于激光减材预处理的激光熔覆方法_广东工业大学_202510566783.8
    本发明涉及零件制造技术领域， 具体涉及一种基于激光减材预处理的激光熔覆方法。所述激光熔覆方法包括以下步骤：S1.使用第一激光对目标物的当前层进行激光抛光；S2.使用第二激光对抛光后的当前层表面进行激光减材， 使当前层表面上形成微结构；S3....
    2025-12-31
  • 一种铝散热器表面金属粉末冷喷涂生产线及其控制方法
    一种铝散热器表面金属粉末冷喷涂生产线及其控制方法_安徽新富新能源科技股份有限公司_202510894431.5
    本发明公开了一种铝散热器表面金属粉末冷喷涂生产线及其控制方法， 属于金属表面处理技术领域。包括上料输送线、上下料机械手、双称重系统、双冷喷系统、监控系统、下料输送线及中央控制系统， 上料输送线和下料输送线平行布设于双称重系统一侧， 上下料机...
    2025-12-31
  • 一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法
    一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法_山图(济南)新材料科技有限公司_202510284086.3
    本发明涉及金属表面处理技术领域， 尤其涉及一种硅烷纳米陶瓷覆膜剂及其制备方法。本发明的硅烷纳米陶瓷覆膜剂是采用硅烷技术开发出的适用于浸渍、喷淋法等处理方法的无磷皮膜金属处理剂， 能在金属表面生成一层难溶的纳米级转换膜。无有害重金属离子， 不...
    2025-12-31
  • 贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法
    贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法_芯恩(青岛)集成电路有限公司_202410376865.1
    本发明提供了一种贴膜设备、贴膜方法及功率器件的制备方法。该贴膜设备中的压膜本体具有第一压合面和第二压合面， 第一压合面和待贴膜基片内的凹槽底表面相匹配， 第二压合面和凹槽之外的第一表面相匹配， 从而可利用该压膜本体一次性对基片上的至少凹槽底...
    2025-12-31
  • 薄膜沉积方法及半导体工艺设备
    薄膜沉积方法及半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202510935236.2
    本发明提供一种薄膜沉积方法及半导体工艺设备， 涉及半导体技术领域。该薄膜沉积方法包括：沉积步， 对基底执行预设的等离子体增强化学气相沉积工艺后， 关闭高频射频功率， 保持开启低频射频功率， 并停止通入硅源气体；修复步， 提升低频射频功率运行...
    2025-12-31
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